PL65655B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL65655B1
PL65655B1 PL137777A PL13777769A PL65655B1 PL 65655 B1 PL65655 B1 PL 65655B1 PL 137777 A PL137777 A PL 137777A PL 13777769 A PL13777769 A PL 13777769A PL 65655 B1 PL65655 B1 PL 65655B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
generator
negative feedback
diodes
semiconductor diodes
Prior art date
Application number
PL137777A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolszczak Boguslaw
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Publication of PL65655B1 publication Critical patent/PL65655B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.IX.1972 65655 KI. 21a4,8/01 MKP H03b 5/26 iisuorcKA Twórca wynalazku: Boguslaw Wolszczak Wlasciciel patentu: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Tranzystorowy generator z mostkiem Wien'a Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy ge¬ nerator z mostkiem Wien'a.Dotychczas znane tranzystorowe uklady genera¬ torów z mostkiem Wien'a maja stabilizacje ampli¬ tudy drgan rozwiazana w oparciu o nieliniowa charakterystyke wolframowego wlókna zarzenia zarówki lub termistora. Niedogodnosci techniczne stabilizacji amplitudy drgan przy pomocy wlókna zarzenia zarówki to duza bezwladnosc cieplna (uklad nie nadaza za szybkimi zmianami czestotli¬ wosci podczas przelaczania zakresów), maly zakres regulacji oraz ograniczony zakres zastosowan ze wzgledu na parametry elektryczne i duze wymiary zarówek. Niedogodnosci techniczne stabilizacji amplitudy drgan przy pomocy termistora to bez¬ wladnosc cieplna oraz wynikajaca z róznic mate¬ rialowych niezgodnosc wspólczynnika zmian tem¬ peraturowych opornosci termistora z analogicznym wspólczynnikiem elementów pólprzewodnikowych, a wiec brak kompensacji temperaturowej.Celem wynalazku jest weliminowanie niedogod¬ nosci wystepujacych w dotychczas znanych tran¬ zystorowych generatorach z mostkiem Wien'a, zas zadaniem wynalazku jest skonstruowanie genera¬ tora umozliwiajacego osiagniecie tego celu. Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie w galezi ujem¬ nego sprzezenia zwrotnego dwu polaczonych rów¬ nolegle ze soba, lecz w przeciwnych kierunkach przewodzenia pólprzewodnikowych diod. 10 15 20 Z Zasadnicze korzysci techniczne wynikajace ze stosowania tranzystorowego generatora wedlug wynalazku to wyeliminowanie bezwladnosci dzieki czemu uzyskuje sie natychmiastowe dzialanie, otrzymanie kompensacji zmian temperaturowych poniewaz tranzystory i diody sa wykonane z tego samego rodzaju materialu pólprzewodnikowego, oraz mozliwosc wykonania ukladu diod, jak calego generatora, technika cienkowarstwowa lub w ciele stalym.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat tranzystorowego generatora z mostkiem Wien'a.Przyklad wykonania generatora wedlug wy¬ nalazku jest przedstawiony na rysunku. Tranzy¬ storowy generator z mostkiem Wien'a stanowi uklad I generatora i galaz II ujemnego sprzeze¬ nia zwrotnego dla napiec zmiennych o nieliniowej charakterystyce napieciowej. Uklad I generatora zawiera dwustopniowy wzmacniacz na tranzysto¬ rach 1 i 2 z selektywnym dodatnim sprzezeniem zwrotnym z kolektora tranzystora 2 przez szerego¬ wi polaczenie rezystora 3 i kondensatora 4 z baza tranzystora 1 i równolegle polaczenie rezystora 5 z kondensatorem 6 laczace baze tranzystora 1 z zaciskiem 7. Uklad I generatora zawiera równiez skladajacy sie z rezystorów 8 i 9 dzielnik, który polaryzuje baze tranzystora 1. Galaz II ujemnego sprzezenia zwrotnego jest utworzona przez polacze- 65 65565 855 nie kolektora tranzystora 2 poprzez regulowany rezystor 10 i dwie polaczone równolegle w prze¬ ciwnych kierunkach pólprzewodnikowe diody 11 i 12 (zlacza p-n) z emitrem tranzystora 1.Regulowany rezystor 10 sluzy do ustalania po¬ czatkowych warunków wzbudzenia generatora.Równolegle polaczenie pólprzewodnikowych diod 11 i 12 przy przeciwnym ustawieniu wzgledem kie¬ runku przeplywu pradu zapewnia przy identycz¬ nych charakterystykach diod 11 i 12 symetryczna charakterystyke wypadkowa niezalezna od kierunku pradu. Dzieki nieliniowej charakterystyce pólprze¬ wodnikowych diod 11 i 12 uklad ten charakteryzuje sie duza opornoscia dla malych sygnalów a mala opornoscia dla duzych sygnalów.W chwili wlaczenia zasilania na zaciskach 7 i 13 generator nie oscyluje, a wiec opornosc diod 11 i 12 jest bardzo duza i dzieki temu napiecie ujemnego sprzezenia zwrotnego jest równe zeru, w wyniku czego wzmocnienie tranzystora 1 jest-bardzo duze co powoduje latwe wzbudzenie sie drgan. W mia¬ re narastania amplitudy drgan opornosc pólprze¬ wodnikowych diod 11 i 12 gwaltownie maleje i tym samym zwieksza sie ujemne sprzezenie zwrotne i wzmocnienie tranzystora 1 maleje. W wyniku wzajemnych oddzialywan amplituda drgan ustala sie automatycznie na okreslonym poziomie.Jesli zmieni sie napiecie zasilania, a w zwiazku 5 z tym wzmocnienie tranzystorów 1 i 2 to ujemne sprzezenie zwrotne dziala w kierunku kompensacji tych zmian. Analogiczne zjawiska zachodza kiedy wzmocnienie tranzystorów 1 i 2 zmieni sie w funk¬ cji czestotliwosci. Wzmocnienie tranzystorów 1 i 2 10 rosnie przy podwyzszeniu sie temperatury, a opor¬ nosc pólprzewodnikowych diod 11 i 12 w tych wa¬ runkach maleje. Poniewaz diody 11 i 12 pracuja w galezi ujemnego sprzezenia zwrotnego to na opisanej powyzej zasadzie nastepuje równiez sta- 15 bilizacja od zmian temperatury. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Tranzystorowy generator z mostkiem Wien'a, 20 znamienny tym, ze uklad (I) generatora posiada galaz (II) ujemnego sprzezenia zwrotnego wypo¬ sazona w dwie polaczone równolegle ze soba lecz w przeciwnych kierunkach przewodzenia pólprze¬ wodnikowe diody (11) i (12). Typo Lódz, zam. 6S1/12 — 2ÓÓ egz. Cena zl 10,— PL PL
PL137777A 1969-12-23 PL65655B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL65655B1 true PL65655B1 (pl) 1972-04-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3845405A (en) Composite transistor device with over current protection
US3444399A (en) Temperature controlled electronic devices
US3308271A (en) Constant temperature environment for semiconductor circuit elements
KR19990014722A (ko) 직류 전류를 생성하기 위한 회로 장치
US3395293A (en) Two-way ramp generator
US3602796A (en) Transistorized voltage regulator,particularly for automotive use
EP0142177A1 (en) Transistor protection circuit
PL65655B1 (pl)
US3091939A (en) Thermoelectric cooler circuit with thermal electric feed-back arrangement
US4058779A (en) Transistor oscillator circuit using thermal feedback for oscillation
KR102318627B1 (ko) Led 어셈블리의 전원공급장치를 위한 기준 전압을 생성하기 위한 회로 장치
US3144619A (en) Oscillation generator having an amplitude stabilizing circuit
US4117391A (en) Current stabilizing circuit
US3328607A (en) Trigger circuit having adjustable signal sensitivity
SU408431A1 (pl)
SU662028A3 (ru) Усилитель
SU517013A1 (ru) Источник опорного напр жени
US3280338A (en) Constant current biasing circuit
US3703647A (en) Voltage clipping circuit
Marzolf Tunnel diode static inverter
KR970006892Y1 (ko) 열전장치
US3634653A (en) Thermostat circuit for electronic compartments
SU1451669A1 (ru) Стабилизатор напр жени посто нного тока
SU1051667A2 (ru) Формирователь импульсов управлени силовыми тиристорами
SU551624A1 (ru) Компенсационный стабилизатор напр жени посто нного тока