PL65349B3 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL65349B3
PL65349B3 PL139914A PL13991470A PL65349B3 PL 65349 B3 PL65349 B3 PL 65349B3 PL 139914 A PL139914 A PL 139914A PL 13991470 A PL13991470 A PL 13991470A PL 65349 B3 PL65349 B3 PL 65349B3
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
metals
metal
grain size
crystals
less
Prior art date
Application number
PL139914A
Other languages
Polish (pl)
Inventor
Lusniak-Wójcicka Danuta
Sztaba Olgierda
Nowak Stanislaw
Kaczmarczyk Edward
Rewilak Roman
Original Assignee
Zaklady Wytwórcze Podzespolów Telekomunikacyj¬Nych Telpod Przedsiebiorstwo Panstwowe Wy¬Odrebnione
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklady Wytwórcze Podzespolów Telekomunikacyj¬Nych Telpod Przedsiebiorstwo Panstwowe Wy¬Odrebnione filed Critical Zaklady Wytwórcze Podzespolów Telekomunikacyj¬Nych Telpod Przedsiebiorstwo Panstwowe Wy¬Odrebnione
Publication of PL65349B3 publication Critical patent/PL65349B3/pl

Links

Description

Opublikowano: 10.IV.1972 KI. 21c,54/05 MKP HOlc 7/00 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Danuta Lusniak-Wójcicka, Olgierda Sztaba, Stanislaw Nowak, Edward Kaczmarczyk, Roman Rewilak Wlasciciel patentu: Zaklady Wytwórcze Podzespolów Telekomunikacyj¬ nych TELPOD Przedsiebiorstwo Panstwowe Wy¬ odrebnione, Kraków (Polska) Sposób wytwarzania grubych warstw rezystywnych cermetowych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania grubych warstw cermetowych rezystywnych w za¬ stosowaniu do rezystorów stalych i zmiennych.Sposób wytwarzania grubych warstw rezystyw¬ nych cermetowych wedlug patentu nr 63323 polega na dodaniu do proszków szkiel krystalicznych o uziarnieniu ponizej 60 n, drobnodyspersyjnych proszków metali, tlenków metali wzglednie stopów metali o uziarnieniu ponizej 40 fi, oraz spoiwa orga¬ nicznego i poddaniu tak przygotowanej masy do¬ kladnemu wymieszaniu w celu uzyskania pasty re¬ zystywnej. Pasty te po naniesieniu na podloze ce¬ ramiczne, szklane lub szklano ceramiczne suszy sie i wypala w temperaturze 550—800°C, po czym pod¬ daje sie scisle kontrolowanej obróbce termicznej w celu osiagniecia struktury krystalicznej.Rozwiazanie to posiada te niedogodnosc, ze przy wprowadzeniu do past jako skladnika przewodzace¬ go dwu lub kilku metali istnieje mozliwosc nieho- mogenicznego wzajemnego rozmieszczenia ich w ma¬ sie. Wplywa to niekorzystnie na jednorodnosc war¬ stwy, a tym samym na powtarzalnosc parametrów elektrycznych wytworzonej warstwy.Celem wynalazku jest wyeliminowanie tych nie¬ dogodnosci.Zadanie to zostalo osiagniete przez zastosowanie, jako skladnika przewodzacego, krysztalów miesza¬ lo 15 2 nych typu stopów, uzyskanych droga wspólstrace- nia dwu lub kilku metali. Wspólstracanie polega na wprowadzeniu do roztworu stracajacego, redu¬ kujacego, roztworów zawierajacych sole stracanych metali lub ich tlenki. Dla zapewnienia równoczes¬ nego wytracania skladników metalicznych stosuje sie silne reduktory jak hydrazyna i jej pochodne wzglednie borowodorki metali alkalicznych. PLPublished: 10.IV.1972 KI. 21c, 54/05 MKP HOlc 7/00 UKD Inventors of the invention: Danuta Lusniak-Wójcicka, Olgierda Sztaba, Stanislaw Nowak, Edward Kaczmarczyk, Roman Rewilak The owner of the patent: Zakłady Wytwórcze Telecommunication Components TELPOD Przedsiebiorstwo Panstwowe Wyrebnie, Krakow (Poland) The method of producing thick cermet resistive layers. The subject of the invention is a method of producing thick cermet resistive layers for use in fixed and variable resistors. fine dispersion metal powders, metal oxides or metal alloys with a grain size of less than 40 µ, and an organic binder, and subjecting the mass thus prepared to thorough mixing to obtain a residual paste. These pastes, when applied to a ceramic, glass or glass-ceramic substrate, are dried and fired at a temperature of 550-800 ° C, and then subjected to a strictly controlled thermal treatment in order to obtain a crystalline structure. This solution has the disadvantage of When two or more metals are incorporated into the pastes as a conductive component, there is a possibility of their inhomogeneous mutual distribution in the mass. This adversely affects the uniformity of the layer, and thus the repeatability of the electrical parameters of the produced layer. The aim of the invention is to eliminate these inconveniences. This task has been achieved by using mixed crystals of the alloy type obtained as a conductive component. the way of co-concentration of two or more metals. Co-collapse consists in introducing into the reducing solution, solutions containing the salts of the lost metals or their oxides. Strong reducing agents, such as hydrazine and its derivatives or alkali metal borohydrides, are used to ensure the simultaneous precipitation of the metallic components. PL

Claims (2)

Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania grubych warstw rezy¬ stywnych cermetowych skladajacych sie z proszków szkiel krystalicznych o uziarnieniu ponizej 60 \i i drobnodyspersyjnych proszków metali, tlenków metali, stopów metali o uziarnieniu ponizej 40 \i w ilosci powyzej 5%, wedlug patentu nr 63323, znamienny tym, ze w przypadku stosowania dwu lub wiecej metali wprowadza sie je do pasty w po¬ staci krysztalów mieszanych typu stopów.Claims 1. Method for the production of thick resistive cermet layers consisting of crystal glass powders with a grain size of less than 60% and fine dispersion metal powders, metal oxides, metal alloys with a grain size less than 40% and in an amount greater than 5%, according to patent No. 63323, characterized by in that when two or more metals are used, they are introduced into the paste in the form of mixed alloy crystals. 2. Sposób wedlug, zastrz. 1, znamienny tym, ze dla uzyskania krysztalów mieszanych typu stopów, stosuje sie wspólstracanie dwu lub kilku metali, przy czym dla zapewnienia równoczesnego wytraca¬ nia skladników metalicznych stosuje sie silne re¬ duktory jak hydrazyna i jej pochodne wzglednie borowodorki metali alkalicznych. 05349 PL2. The method according to claim The process of claim 1, characterized in that two or more metals are used to obtain mixed crystals of the alloy type, and strong reducers, such as hydrazine and its derivatives or alkali metal borohydrides, are used to ensure the simultaneous removal of metallic components. 05349 PL
PL139914A 1970-04-09 PL65349B3 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL65349B3 true PL65349B3 (en) 1972-02-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Blank et al. Preparation of YBa2Cu3O7-δ by citrate synthesis and pyrolysis
US3170805A (en) Ceramics and their production
DE3705336A1 (en) ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE
Qin et al. Enhanced thermal and mechanical properties of Li–Al–Si composites with K2O–B2O3–SiO2 glass for LTCC application
Vandenberg et al. An in situ X-ray study of phase formation in Cu Al thin film couples
DE2222754C2 (en) Metallizing paste and its uses
PL65349B3 (en)
NO117185B (en)
Harper et al. Crystal nucleation in lithium silicate glasses
Chu et al. Phase transition mechanism and long‐term stability of LiF‐assisted sintered Li2MgxZrO3+ x microwave dielectric ceramics
Capelletti Kinetics of defect clustering in ionic solids
Roy et al. Di-phasic structure of switching and memory device ‘glasses’
Ma et al. Glass ceramics with different colours from granite wastes prepared by changing crystallisation temperature: Crystallisation and properties
Kanda et al. The Barium-Sodium Equilibrium System1
CA1102106A (en) Conductor compositions
CN113860738A (en) Application of metal bismuth and preparation method of lead-free metal frit
SU1247360A1 (en) Glass
PL63323B1 (en)
CN104439764A (en) Manufacturing method for lead-free copper-based amorphous brazing filler metal strip
US3936397A (en) Semiconductive glass-ceramic articles
PL87145B1 (en)
US3516133A (en) High temperature bulk capacitor
JPH05330958A (en) Glass composition for forming metallizing primer layer
US3783155A (en) Sintered cupric oxide masses
SU755772A1 (en) Method of producing electroconducting composition