PL63758B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL63758B1 PL63758B1 PL125755A PL12575568A PL63758B1 PL 63758 B1 PL63758 B1 PL 63758B1 PL 125755 A PL125755 A PL 125755A PL 12575568 A PL12575568 A PL 12575568A PL 63758 B1 PL63758 B1 PL 63758B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- crystal
- plane
- screws
- screen
- light
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 101100008047 Caenorhabditis elegans cut-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 25.XI.1971 63758 KI. 42 b, 23/01 MKP B 25 h, 7/00 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Sikorski, Tadeusz Piotrowski Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (Polska) Urzadzenie do wyznaczania plaszczyzny krystalograficznej krysztalów Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do wy¬ znaczania plaszczyzny krystalograficznej krysztalów w celu obróbki powierzchni krysztalu zgodnie z ta plaszczyzna. Urzadzenie znajduje szczególnie ko¬ rzystne zastosowanie przy produkcji przyrzadów pólprzewodnikowych.Stosowane do wyrobu przyrzadów pólprzewodni¬ kowych monokrysztaly maja zazwyczaj ksztalt w przyblizeniu cylindrycznego preta. Najczesciej spo¬ tykane sa przy tym krysztaly germanu i krzemu z kierunkami wzrostu [110] i [112] lezacymi w pla¬ szczyznach {111}. Wynika to z faktu, ze krysztaly germanu i krzemu rosna glównie kosztem rozsze¬ rzenia plaszczyzn {111}, które to plaszczyzny sa najczesciej upakietowane w sieci typu diamentu.Badanie liniowej gestosci szeregów atomów, le¬ zacych w plaszczyznach {111} wykazaly, iz najwiek¬ sza liniowa gestosc atomów posiada kierunek [110].Do okreslenia orientacji krysztalów wykorzystuje sie odbicie swiatla od ujawnionych plaszczyzn, szczególnie od plaszczyzn {111}. Orientacje kryszta¬ lów prowadzono dotychczas na goniometrach op¬ tycznych.Uzyskanie zadanej plaszczyzny krystalograficznej wymagalo dotychczas kilku pracochlonnych etapów obróbki powierzchni krysztalu. Miedzy poszczegól¬ nymi etapami obróbki, obrabiana powierzchnie na¬ lezalo sprawdzac na goniometrze. Proces technolo¬ giczny konczyl sie z chwila stwierdzenia, ze kieru¬ nek powierzchni jest zgodny z kierunkiem zada¬ nym, w ramach wymaganej dokladnosci.Jak zaznaczono, wyznaczanie plaszczyzny krysta¬ lograficznej monokrysztalu oraz wyznaczanie plasz- 5 czyzny obróbki zgodnej z ta plaszczyzna dokony¬ wane bylo na goniometrze optycznym. Goniometr taki byl wszakze dodatkowo zaopatrzony w przy¬ rzad, w którym osadzano monokrysztal. Znane przy¬ rzady, do tego celu sluzace, skladaly sie z podstawy, 10 do której zamocowane bylo przychylane na boki jarzmo ze sruba dociskajaca.W plaszczyznie osi obrotu jarzma, od strony pod¬ stawy, umieszczona byla przyslona na której sta¬ wiano krysztal, po czym dociskano go do przyslo- 15 ny sruba dociskajaca. Skupiona wiazke swiatla kie¬ rowano, poprzez przyslone, na czolowa powierzch¬ nie monokrysztalu uprzednio wytrawiona lub wy¬ kruszona. Odbita od badanej powierzchni wiazke swiatla kierowano nastepnie na ekran, na którym 20 otrzymywano odpowiednie figury plamek swietl¬ nych. Jezeli powierzchnia czolowa krysztalu pokry¬ wala sie z wybrana plaszczyzna krystalograficzna, srodek ukladu plamek znajdowal sie na osi ekranu.Jezeli natomiast powierzchnia czolowa nie pokry- 25 wala sie z plaszczyzna krystalograficzna, wówczas nalezalo przeprowadzic orientacje krysztalu. Czyn¬ nosc te wykonywano w ten sposób, ze obracajac krysztal dookola jego osi podluznej naprowadzano najpierw srodek figur swietlnych na prostopadla 30 os ekranu, nastepnie zas przechylaniem jarzma na 637583 63758 4 boki, wraz z krysztalem, naprowadzano srodek fi¬ gur na przeciecie krzyza naniesionego na ekranie.Po dokonaniu orientacji unieruchamiano jarzma, zdejmowano przyrzad z goniometru, do krysztalu doklejano plytke prostopadla do podstawy i krysz¬ tal uwalniano z zacisku. Plytke z przyklejonym krysztalem mocowano w urzadzeniu do obróbki krysztalu, po czym krysztal cieto lub szlifowano do¬ póty, dopóki jego powierzchnia nie zrównala sie z krawedzia plytki.Wada opisanego wyzej urzadzenia jest mala do¬ kladnosc w okreslaniu plaszczyzny krystalograficz¬ nej, pracochlonne manipulowanie krysztalem oraz zawodne przygotowanie krysztalu do obróbki we¬ dlug wyznaczonej plaszczyzny.Celem wynalazku jest wykonanie urzadzenia do wyznaczania plaszczyzny krystalograficznej, za po¬ moca którego plaszczyzne mozna by wyznaczyc z wieksza dokladnoscia i w sposób mozliwie naj¬ mniej pracochlonny.Cel ten osiagniety zostal przez zaopatrzenie urza¬ dzenia w uchwyt krysztalu, który ma trzy sruby, wskazujace wyznaczana w krysztale plaszczyzne oraz jest osadzony na ruchomym w plaszczyznie poziomej i w plaszczyznie pionowej stoliku zamo¬ cowanym wraz z ukladem optycznym i ekranem na wspólnej plycie oraz przez zaopatrzenie urzadzenia w dodatkowe wyposazenie, które stanowi plaskie zwierciadlo przykladane do konców srub.Korzyscia techniczna jaka zapewnia urzadzenie wedlug wynalazku jest szybkie i dokladne wyzna¬ czenie zadanej plaszczyzny krystalograficznej wraz z jednoczesnym wyznaczeniem, koncami srub, linii ciecia lub plaszczyzny szlifowania krysztalu.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia urzadzenie w widoku perspektywicz¬ nym, a fig. 2 uchwyt krysztalu z przylozonym do srub zwierciadlem.Urzadzenie wedlug wynalazku sklada sie z uchwy¬ tu krysztalu zamocowanego rozlacznie do stolika oraz z ekranu, za którym znajduje sie zródlo swia¬ tla oraz uklad optyczny formujacy wiazke swietl¬ na. Uchwyt 1 zaopatrzony jest w trzy sruby 2 wy¬ znaczajace swymi koncami plaszczyzne ciecia za¬ mocowanego w uchwycie 1 krysztalu 3. Stolik 4, na którym spoczywa uchwyt 1 z krysztalem 3 ma mozliwosc wykonywania niezaleznie od siebie ru¬ chów w plaszczyznie poziomej i pionowej. Dla tego celu stolik 4 ma w przykladzie wykonania obrotnice 5 oraz prowadnice 6. Ekran 7 ma na srodku przelotowy otwór 8 przez który przechodzi wiazka swiatla kierowana przez uklad optyczny 9.Stolik 4, ekran 7 oraz uklad optyczny 9 zamoco¬ wane sa na wspólnej plycie 10.Dzialanie urzadzenia wedlug wynalazku opisane 5 zostanie na przykladzie wyznaczania plaszczyzny obróbki krysztalu zgodnej z plaszczyzna krystalo¬ graficzna {111}. Podlegajacy obróbce krysztal 3 mocuje sie w uchwycie 1 i na czolowa powierzch¬ nie krysztalu kieruje sie przez otwór 8 w ekranie 7 wiazke swiatla z ukladu optycznego 9. Odbite od powierzchni krysztalu 3 promienie swietlne pada¬ ja na ekran 7 tworzac odpowiednia, dla danego kierunku wzrostu monokrysztalu, konfiguracje pla¬ mek swietlnych. Przykladowo, dla kierunku [111] plamek tych bedzie trzy i powinny byc one roz¬ mieszczone symetrycznie wzgledem siebie co 120°.W przypadku, gdy warunek ten nie jest spelnio¬ ny, przesuwa sie stolik 4 w plaszczyznie poziomej lub pionowej, albo w obu tych plaszczyznach jed¬ noczesnie, dopóty, az plamki swietlne beda roz¬ mieszczone co 120°. Oznaczac to bedzie, ze wiazka swiatla odbija sie od plaszczyzny {111}. Nastepnie, aby krysztal 3 poddac obróbce zgodnie z ta plasz¬ czyzna, do konców srub 2 przyklada sie plaskie zwierciadlo 11 i tak pokreca srubami 2, aby wiazka swiatla odbijana teraz od zwierciadla pokryla sie ze srodkiem ekranu 7. Wybrane polozenie srub 2 ustala sie np. za pomoca nakretek 12. Konce srub 2 wyznaczaja wówczas plaszczyzne ciecia kryszta¬ lu 3 zgodna z plaszczyzna krystalograficzna {111}.W celu obróbki krysztalu 3 zgodnie z wyznaczo¬ na plaszczyzna, uchwyt 1 wraz z zamocowanym w nim krysztalem 3 przenosi sie z urzadzenia we¬ dlug wynalazku na odpowiednie urzadzenie do obróbki, np. na pile lub szlifierke. Powierzchnia krysztalu 3 jest nastepnie szlifowana dotad, az pokryje sie z plaszczyzna wyznaczona przez konce srub 2. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do wyznaczania plaszczyzny krysta¬ lograficznej krysztalów zawierajace zródlo swiatla, uklad optyczny formujacy wiazke swietlna oraz uchwyt krysztalu, znamienne tym, ze uchwyt (1) ma trzy sruby (2) wskazujace wyznaczana w krysz¬ tale (3) plaszczyzne oraz osadzony jest na rucho¬ mym w plaszczyznie poziomej i w plaszczyznie pio¬ nowej stoliku (4) zamocowanym wraz z ukladem optycznym (9) i ekranem (7) na wspólnej plycie (10), przy czym dodatkowe wyposazenie urzadze¬ nia stanowi plaskie zwierciadlo (11) przykladane do konców srub (2). 15 20 25 30 35 40 45KI. 42 b, 23/01 63758 MKP B 25 h, 7/00 Fig. t ,11 ,2 ,1 Fig.
2. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL63758B1 true PL63758B1 (pl) | 1971-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1399306B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls | |
| US3277576A (en) | Restorative dental device | |
| US2858730A (en) | Germanium crystallographic orientation | |
| CN101733848B (zh) | 定向切割晶体任意晶面的简便方法 | |
| US5073918A (en) | Angle detector device for silicon wafers | |
| US4518155A (en) | Fixing device of workpieces for wire spark erosion machines | |
| Freund et al. | Two new experimental diffraction methods for a precise measurement of crystal perfection | |
| GB1258122A (pl) | ||
| PL63758B1 (pl) | ||
| US3168893A (en) | Semiprecious stone cutting vise | |
| US2430969A (en) | Process and apparatus for orienting crystals | |
| US2425750A (en) | Optical aligner | |
| US4862488A (en) | Device for measuring the orientation of bulk monocrystalline materials using the Laue method | |
| US3354753A (en) | Saw chain sharpener | |
| JP2909945B2 (ja) | 種棒切断方法 | |
| JP3918216B2 (ja) | 単結晶の切断装置と方法 | |
| US2556167A (en) | Crystal analysis apparatus | |
| US2445132A (en) | Apparatus for determining electrical axis of quartz crystals | |
| US3308704A (en) | Knife adjusting means for microtome | |
| JP3280869B2 (ja) | 劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法 | |
| US3903600A (en) | Electric hand saw guide | |
| US3025726A (en) | Method of mounting diamonds in tool shanks and other holders | |
| US2373486A (en) | Sawmill gauge | |
| JPS63201100A (ja) | 結晶体位置判定装置 | |
| US2367494A (en) | Apparatus for adjustably holding cutting tools against grinding wheels |