PL63713B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 25.XI.1971 63713 KI. 21 a4, 29/04 MKP H 03 f, 1/44 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Józef Bajor, Anatol Hatwich Wlasciciel patentu: Zaklady Konstrukcyjno-Mechanizacyjne Przemyslu Weglowego (Zaklad Elektroniki Górniczej), Tychy (Polska) uklad elektryczny tranzystorowego rezonansowego wzmacniacza selektywnego Przedmiotem wynalazku jest uklad elektryczny tranzystorowego rezonansowego wzmacniacza selek¬ tywnego, zawierajacego co najmniej jeden stopien rezonansowy z obwodem rezonansowym LC w ob¬ wodzie kolektora tego stopnia.Znany jest uklad tranzystorowego rezonansowego wzmacniacza selektywnego, w którym elementem sprzegajacym wyjscie jednego stopnia wzmacnia¬ cza rezonansowego z wejsciem nastepnego stopnia tranzystorowego wzmacniacza jest transformator dopasowujacy mala opornosc wejsciowa stcpnia tranzystorowego do duzej opornosci wyjsciowej stopnia rezonansowego.Wada znanego ukladu jest to, ze transformator sprzegajacy obniza poziom napiecia sygnalu, co zmusza konstruktorów do stosowania dodatkowego stopnia wzmacniacza, w celu uzyskania zalozonego wzmocnienia.Wynikiem tego jest zwiekszenie znieksztalcen nie¬ liniowych i fazowych, wprowadzanych przez ten stopien. Poziom znieksztalcen nieliniowych wzmac¬ nianego sygnalu jest dodatkowo powiekszony nie¬ liniowoscia charakterystyki magnesowania zelazne¬ go rdzenia transformatora. Ponadto przetransfor- mowanie sygnalu pogarsza stosunek poziomu sygna¬ lu uzytecznego do poziomu szumów na wejsciu na¬ stepnego stopnia wzmacniacza. Dodatkowa wada znanego ukladu jest niemozliwosc wiernego prze- transformowania sygnalu w przypadku stosowania we wzmacniaczu rezonansowym obwodu pasmowe- 2 go o specjalnie uksztaltowanej charakterystyce przenoszenia.Celem wynalazku jest usuniecie wad dotychczas stosowanego wzmacniacza poprzez zastosowanie 5 ukladu elektrycznego, pozwalajacego na sprzezenie miedzystopniowe bez zwiekszenia znieksztalcen nie¬ liniowych i fazowych, bez zwiekszenia poziomu szumów oraz bez znieksztalcenia charakterystyki przenoszenia wzmacniacza. 10 Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie ukla¬ du elektrycznego tranzystorowego rezonansowego wzmacniacza selektywnego, zlozonego z co najmniej jednego stopnia z obwodem rezonansowym LC, w którym kolektor tranzystora pracujacego w stopniu 15 rezonansowym jest polaczony z wejsciem nastep¬ nego stopnia wzmacniacza za posrednictwem wtór¬ nika emiterowego. Baza tranzystora tego wtórnika jest polaczona z kolektorem tego rezonansowego stopnia poprzez równolegly uklad RC. Emiter tran- 20 zystora wtórnika jest polaczony z niskoomowym wejsciem nastepnego stopnia wzmacniacza. W opi¬ sanym ukladzie polaczen równolegly uklad RC spel¬ nia dwojaka funkcje: opornik ustala punkt pracy tranzystora wtórnika emiterowego, a kondensator 25 przenosi wzmacniany sygnal w szerokim pasmie czestotliwosci z duza wiernoscia ksztaltu charakte¬ rystyki przenoszenia wzmacniacza rezonansowego.Wtórnik emiterowy spelnia role transformatora /opornosci, który przenosi sygnal bez tlumienia na- 30 pieciowego i znieksztalcen nieliniowych. 6371363713 4 Uklad rezonansowego wzmacniacza wedlug wy¬ nalazku umozliwia wzmacnianie sygnalu bez wpro¬ wadzania dodatkowych znieksztalcen nieliniowych i fazowych, przy zachowaniu niezmienionego pozio¬ mu szumów oraz ksztaltu charakterystyki przeno¬ szenia wzmacniacza.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie jego praktycznego wykonania na ry¬ sunku przedstawiajacym schemat ideowy wzmac¬ niacza. Stopien rezonansowy wzmacniacza 1 jest polaczony z nastepnym stopniem 2 przez uklad sprzegajacy 3. Kolektor tranzystora Ti pracuja¬ cego w stopniu rezonansowym 1 jest polaczony z wejsciem nastepnego stopnia wzmacniacza 2 za posrednictwem ukladu sprzegajacego 3, zlozonego z wtórnika emiterowego zbudowanego na tranzys¬ torze T3 oraz równoleglego obwodu RC. Baza tran¬ zystora T3 jest polaczona z kolektorem tranzystora Ti poprzez równolegly uklad RC. Emiter tranzys¬ tora T3 jest polaczony z baza tranzystora T2. 15 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad elektryczny tranzystorowego rezonansowe¬ go wzmacniacza selektywnego, zawierajacego co najmniej jeden stopien rezonansowy z obwodem rezonansowym L.C w obwodzie kolektora tego sto¬ pnia, znamienny tym, ze kolektor tranzystora (T^ pracujacego w stopniu rezonansowym (1) jest po¬ laczony z wejsciem nastepnego stopnia wzmacnia¬ cza (2) za posrednictwem ukladu sprzegajacego (3), zlozonego z wtórnika emiterowego zbudowanego na tranzystorze (T3) oraz równoleglego obwodu (RC), przy czym baza tranzystora (T3) wtórnika emite¬ rowego jest polaczona z kolektorem tranzystora (Ti) rezonansowego stopnia (1) poprzez równolegly uklad (RC), zas emiter tranzystora (T3) wtórnika emiterowego jest polaczony z niskoomowym wej¬ sciem nastepnego stopnia wzmacniacza (2). W.D. Kart. C/671/71, A4, 240 PL PL