PL63487B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL63487B1 PL63487B1 PL131592A PL13159269A PL63487B1 PL 63487 B1 PL63487 B1 PL 63487B1 PL 131592 A PL131592 A PL 131592A PL 13159269 A PL13159269 A PL 13159269A PL 63487 B1 PL63487 B1 PL 63487B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gold
- covered
- substrate
- silicon
- cadmium
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- GOZCEKPKECLKNO-RKQHYHRCSA-N Picein Chemical compound C1=CC(C(=O)C)=CC=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 GOZCEKPKECLKNO-RKQHYHRCSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 229910015367 Au—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 25.1.1972 c Uri KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1, 7/00 ¦W-M A , .yL. p^ttrntajfnon 1 flMUl ^ar^HM) UIPMJ Twórca wynalazku: Stanislaw Gondek Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania kontaktu omowego w krzemowych przyrzadach pólprzewodnikowych Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymy¬ wania kontaktu omowego w krzemowych przy¬ rzadach pólprzewodnikowych.Znany i stosowany sposób otrzymywania kon¬ taktów omowych w krzemowych przyrzadach pól¬ przewodnikowych od strony kolektora polega na lutowaniu zlacz krzemowych do podloza pokry¬ tego cienka warstwa zlota i w niektórych wypad¬ kach niezbedne jest stosowanie dodatkowo podkla¬ dek zlotych lub ze stopów których glównym sklad- nikieim jest zloto.Zastosowanie zlota ma swoje uzasadnienie w tym, ze zloto z krzemem tworzy stop eutektyczny o tem¬ peraturze topnienia okolo 370°C. Temperatura po¬ wyzsza umozliwia stosowanie w procesie montazu nastepnych operacji jak termokompresja lub wszel¬ kiego rodzaju wygrzewania w temperaturze nizszej od 370°C.Przy pokryciu podloza zlotem o grubosci 1 do 3 /li wymagane jest stosowanie dodatkowo podkladek najkorzystniej ze stopu zloto-cyna Au-Sn (80% Au i 20% Sn) lub podobnych. Natomiast do przepu¬ stów pokrytych grubsza warstwa zlota 4—7 yi sto¬ suje sie podkladki ze stopów zloto-german Au-Ge, zloto-krzem Au-Si i zloto-antymon Au-Sb lub lu¬ tuje sie bezposrednio do podloza bez uzycia pod¬ kladek, gdy powierzchnia lutowanych krysztalków jest mniejsza od 1 mm2. Przy lutowaniu krysztal¬ ków o wiekszej powierzchni istnieje trudnosc otrzy- 10 20 30 2 mania dobrych kontaktów omowych nawet przy zastosowaniu podkladek ze zlota lub jego stopów.Inna znana i stosowana metoda jest pokrywa¬ nie podloza zlotem lokalnie na wieksze grubosci.Dotyczy to montazu elementów krzemowych wy¬ konywanych technologia mesa, planarna i epipla- narna.Wadami metod znanych i opisanych sa trudnosci wynikajace z pokrywania zlotem podloza o duzej grubosci (w trakcie procesu pokrywa sie cale pod¬ loze razem z wyprowadzeniami) oraz otrzymania grubej i równomiernej warstwy.Istnieja równiez trudnosci technologiczne w wy¬ konywaniu folii na podkladki ze stopów których glównym skladnikiem jest zloto. Dotyczy to glów¬ nie folii wykonywanych z takich stopów jak Au-Sn, Au-Si, Au-Ge, a trudnosc ta polega na tym, ze stopy powyzsze posiadaja mala plastycznosc.Celem wynalazku jest usuniecie tych niedogod¬ nosci i uzyskanie kontaktu omowego w krzemo¬ wych przyrzadach pólprzewodnikowych przez wy¬ eliminowanie podkladek ze zlota lub stopów, któ¬ rych glównym skladnikiem jest zloto, jak równiez wyeliminowanie podloza o grubym -pokryciu zlo¬ tem. Dla osiagniecia tego celu zostalo wytyczone zadanie techniczne zastosowania takiego sposobu, który by zapewnial kontakt omowy nie gorszy niz zloto, a usuwal wszystkie niedogodnosci.Zgodnie z wynalazkiem rozwiazanie postawio¬ nego zagadnienia technicznego polega na lutowa- 634873 niu plytki krzemowej przy zastosowaniu podkladki z kadmu lub stopów, których glównym skladnikiem jest kadm w celu osiagniecia kontaktu omowego przy wykorzystaniu metalizacji lub bez stosowa¬ niajej. 5 W przypadku metalizacji przeprowadza sie ja po operacji dyfuzji lacznie z obróbka fotolitogra¬ ficzna i naparowywaniem kontaktów. Podczas me¬ talizacji plytki krzemowej nalezy uzyskac warstwe o grubosci od 1—10 p. Po osiagnieciu odpowiedniej io warstwy przeprowadza sie pomiar, dzielenie plytek na zlacza i segregacje. Zlacza dobre poddaje sie lutowaniu do podloza pokrytego cienka warstwa zlota lub innymi metalami albo tez bez pokrycia przy zastosowaniu podkladek z kadmu lub jego 15 stopów. Lutowanie zlacz mozna przeprowadzac mie¬ dzy innymi przy zastosowaniu urzadzen o pólauto¬ matycznym lub automatycznym cyklu pracy.Wykonanie sposobu przy zastosowaniu metali¬ zacji polega na tym, ze po wykonaniu operacji na- 20 parowywania kontaktów omowych do obszaru emi¬ tera i bazy pokrywa sie plytki od strony tych obszarów substancja maskujaca np. piceina, a na¬ stepnie cala plytke Si od strony kolektora pokrywa 4 sie cienka warstwa metaliczna np. na drodze elek¬ trolitycznej. Dalsze postepowanie polega na usu¬ nieciu substancji maskujacej ii oczyszczeniu doklad¬ nie powierzchni od strony zlacz. Kolejne dalsze operacje sa znane w technologii otrzymywania krzemowych przyrzadów pólprzewodnikowych i po¬ legaja na pomiarze ostrzowym zlacz na plytkach, dzieleniu ich i segregacji. Po segregacji nastepuje operacja otrzymywania kontaktów omowych na drodze lutowania wg sposobu. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania kontaktu omowego w krze¬ mowych przyrzadach pólprzewodnikowych, w któ¬ rych jedna strone plytki pokrywa sie materialem maskujacym, a druga strone wspomnianej plytki krzemowej pokrywa sie niklem lub innymi meta¬ lami na drodze chemicznej lub elektrolitycznej lub w niektórych przypadkach bez zastosowania war¬ stwy posredniej — znamienny tym, ze plytke lu¬ tuje sie do podloza przy zastosowaniu podkladki kadmowej lub podkladki ze stopów, których glów¬ nym skladnikiem jest kadm. KZG 1, z. 323/71 — 25C PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL63487B1 true PL63487B1 (pl) | 1971-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3761309A (en) | Ctor components into housings method of producing soft solderable contacts for installing semicondu | |
| US7022548B2 (en) | Method for making a semiconductor die package | |
| US6375062B1 (en) | Surface bumping method and structure formed thereby | |
| US5492235A (en) | Process for single mask C4 solder bump fabrication | |
| US6281106B1 (en) | Method of solder bumping a circuit component | |
| US4113578A (en) | Microcircuit device metallization | |
| CN107431001B (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
| KR19980018358A (ko) | 반도체 금속화 시스템 및 그 구조체의 형성방법 | |
| US5672913A (en) | Semiconductor device having a layer of gallium amalgam on bump leads | |
| US5800726A (en) | Selective chemical etching in microelectronics fabrication | |
| US20240373548A1 (en) | Pre-Plating of Solder Layer on Solderable Elements for Diffusion Soldering | |
| US3622385A (en) | Method of providing flip-chip devices with solderable connections | |
| US6637638B1 (en) | System for fabricating solder bumps on semiconductor components | |
| US3562040A (en) | Method of uniformally and rapidly etching nichrome | |
| US5795619A (en) | Solder bump fabricated method incorporate with electroless deposit and dip solder | |
| KR20100035168A (ko) | 납없는 땜납을 위한 구리 용해의 방지 | |
| US3669734A (en) | Method of making electrical connections to a glass-encapsulated semiconductor device | |
| PL63487B1 (pl) | ||
| Chiou et al. | Metallurgical reactions at the interface of Sn/Pb solder and electroless copper-plated AlN substrate | |
| DE102009000541B4 (de) | Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche sowie Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
| JPH09186161A (ja) | 半導体装置のはんだバンプ形成方法 | |
| US20060266446A1 (en) | Whisker-free electronic structures | |
| EP0581152B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Multichipmoduls mittels Kontakhöcker | |
| Lin et al. | Material interactions of solder bumps produced with fluxless wave soldering | |
| Chen et al. | Interfacial Reactions of Ag and Ag-4Pd Stud Bumps with Sn-3Ag-0.5 Cu Solder for Flip Chip Packaging. |