PL62618B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 31.111.1971 62618 KI. 74 a, 33 MKP G 08 b, 17/10 CZYTELNIA W) Patentowego Wiej toczrptt,¦ ve, ly ,.ej Twórca wynalazku: Zdzislaw Jagielski Wlasciciel patentu: Zjednoczone Zaklady Urzadzen Jadrowych „Polon", Warszawa (Polska) Pólprzewodnikowy uklad elektroniczny z róznicowa komora jonizacyjna zwlaszcza do automatycznej detekcji dymu Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy uklad elektroniczny z róznicowa komora joniza¬ cyjna zwlaszcza do automatycznej detekcji dymu wystepujacego przy zagrozeniu pozarowym.W znanym detektorze dymu, którego uklad elektroniczny jest typowy dla znanych dotychczas Tozwiazan pólprzewodnikowych ukladów elektro¬ nicznych, stosowanych do detekcji dymu, ele¬ mentem powodujacym zadzialanie ukladu alar¬ mowego jest tyrystor sterowany zmianami zacho¬ dzacymi w jonizacyjnej komorze róznicowej — za pomoca tranzystora polowego z izolowana bramka poprzez diode Zenera. Dwie z elektrod tranzystora .x polowego w tym ukladzie, a miano¬ wicie: zródlo i podloze, sa ze soba zwarte.Zasadniczymi wadami w znanych rozwiazaniach ukladów elektronicznych sa: jednokierunkowe dzialanie, to znaczy ze nie maja one mozliwosci samoczynnego powrotu do stanu dozorowania po zaniknieciu przyczyny powstania alarmu, oraz .stosunkowo duzy fluktuacyjny prad plynacy przez te uklady w stanie dozorowania.W zwiazku z powyzszym dla odróznienia (przez centrale) stanu alarmu od stanu dozorowania i stanów posrednich — wartosc pradu alarmowego musi byc odpowiednio duza.Detektory z tak rozwiazanymi ukladami elektro¬ nicznymi musza byc polaczone z centrala prze¬ wodami o duzym przekroju, co ma wplyw na 2 ograniczenie odleglosci rozmieszczenia detektorów wzgledem centrali.Celem wynalazku jest unikniecie podanych wad.Dla osiagniecia tego celu zostalo wytyczone za- 5 danie opracowania ukladu elektronicznego cha¬ rakteryzujacego sie zdolnoscia rozróznienia sta¬ nów: dozorowania i alarmu oraz automatycznego przechodzenia w kazdy z tych stanów, przy czym prady plynace w ukladzie powinny byc co naj- io mniej o jeden rzad wielkosci mniejsze niz w ukladach dotychczas znanych.Zgodnie £ wynalazkiem, rozwiazanie tego za¬ gadnienia polega na wykorzystaniu wlasnosci sterujacej bramki pierwszej i bramki drugiej 15 (podloza) tranzystora polowego z izolowana bram¬ ka, przy czym zmiany napiecia, pochodzace z dzielnika napiecia utworzonego przez komore róz¬ nicowa, podawane sa do bramki pierwszej tran¬ zystora polowego identycznie, jak w ukladach 20 znanych. Tranzystor polowy polaczony jest z tranzystorem bipolarnym i pozostalymi elemen¬ tami ukladu w ten sposób, ze zródlo tranzystora polowego dolaczone jest do jednego z zacisków zasilacza bezposrednio lub przez diode Zenera i do 25 drugiego zacisku zasilacza przez rezystor.Bramka druga tranzystora polowego, dolaczona jest przez rezystor do kolektora tranzystora bipo¬ larnego, przy czym kolektor tego tranzystora do¬ laczony jest do pierwszego zacisku zasilacza przez 30 rezystor, zas dren tranzystora polowego dolaczony 62618S2BIS jest przez" rezystor do bazy tranzystora bipolarne¬ go, dolaczonej równiez do drugiego zacisku za¬ silacza przez rezystor, a emiter tego tranzystora dolaczony jest bezposrednio do drugiego zacisku zasilacza tak, ze przewodzenie lub nieprzewo- dzenie ukladu elektronicznego nastepuje tylko przy odpowiedniej polaryzacji bramki pierwszej tranzystora polowego, a przejscie ze stanu nie- przewodzenia do stanu przewodzenia ukladu i od¬ wrotnie nastepuje skokowo.Uklad wedlug wynalazku moze pracowac jako analizator stanu zadymienia dozorowanego oto¬ czenia, wlaczajac lub wylaczajac urzadzenia ga¬ szace pozar. Wlasnosci analizujace detektorów wymagane sa przy ich zastosowaniu w obiektach takich jak np.: kopalnie. Bardzo male prady spo¬ czynkowe pozwalaja na stosowanie malych pra¬ dów alarmowych, w zwiazku z czym przekroje przewodów linii dozorowych laczacych detektory z centrala moga byc mniejsze, a odleglosci roz¬ mieszczenia detektorów wzgledem centrali wiek¬ sze.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przyklad ukladu z tranzysto¬ rem polowym z izolowana bramka rodzaju de- pletion — pracujacym w rezimie zubozania nos¬ ników, fig. 2 przedstawia inny przyklad wykona¬ nia ukladu wedlug wynalazku.Fig. 1 przedstawia pólprzewodnikowy uklad elektroniczny z tranzystorem polowym 3 — uni¬ polarnym — z izolowana bramka o kanale typu N i tranzystorem bipolarnym 7 typu PNP. Zasada dzialania jest nastepujaca: w warunkach dozoro¬ wania, bez obecnosci dymu w otoczeniu jednej z komór komory róznicowej skladajacej sie z dwóch komór 1 i 2, bramka pierwsza tranzystora polowego 3 i jego bramka druga (podloze) spola¬ ryzowane sa ujemnie w stosunku do zródla tego tranzystora. Prad plynacy przez uklad jest bardzo maly, poniewaz obydwa tranzystory Si 7 sa w tych warunkach zatkane.Bez obecnosci dymu w otoczeniu komory 2, do której dym ma dostep, plynie w ukladzie tylko minimalny prad przez rezystor 10 i przez diode Ze- nera 9, polaryzujac ja w zakresie napiecia Zenera plyna wówczas takze prady zerowe tranzystorów 3 i 7- i prad jonizacji plynacy przez komory. 1 i 2.Z chwila dostania sie dymu do komory 2 rosnie napiecie dzielnika napiecia utworzonego z komór 1 i 2, które doprowadzone jest do bramki pierwszej tranzystora polowego 3. Po przekroczeniu war¬ tosci napiecia odciecia bramki pierwszej tranzys¬ tora 3; zaczyna plynac prad zródla tego tranzysto¬ ra. Zródlo to jest dolaczone do jednego z zacis¬ ków 11 zasilacza przez diode Zenera 9 i do dru¬ giego zacisku 12 zasilacza przez rezystor 10. Prad drenu tranzystora 3, który zaczyna równiez ply¬ nac odtyka tranzystor bipolarny 7, poniewaz dren jest polaczony z baza tranzystora 7 przez rezystor S, przy czym baza jest równiez dolaczona do za¬ cisku 12 zasilacza, przez rezystor & Na skutek sprzezenia zwrotnego zrealizowanego* za pomoca rezystora 4 laczacego bramke druga tranzystora 3 z kolektorem tranzystora 7, wzrasta. potencjal bramki drugiej tranzystora 3, co po- 5 woduje lawinowy wzrost wartosci pradu tran¬ zystora 7, który ma emiter dolaczony do zacisku 12 zasilacza, a kolektor przez rezystor 8 do za¬ cisku 11 zasilacza.Po zaniknieciu dymu w komorze 2, przebieg: io zjawisk zachodzacych w ukladzie jest . odwrotny.Zmiana wartosci pradu — od wartosci dozoro¬ wania do wartosci niezbednej do uruchomienia przekaznika alarmowego w centrali i odwrotnie — nastepuje skokowo. 15 Wartosc pradu alarmowania okreslana jest przez, rezystor 8, laczacy kolektor tranzystora bipolar¬ nego 7 z zaciskiem 11 zasilacza^ który mozna za¬ stapic zarówka dla optycznej sygnalizacji albo uzwojeniem przekaznika, którego zestyki moga bez— 20 posrednio uruchamiac sygnal alarmowy albo wla¬ czac na miejscu zasygnalizowania urzadzenia ga¬ szace, wylaczac urzadzenia z pod napiecia, np. przy instalowaniu detektorów w maszynach ma¬ tematycznych itp. 25 Fig. 2 przedstawia inny przyklad ukladu, w którym zastosowano tranzystor polowy 3 rodzaju enhancement — pracujacy w rezimie wzbogaca¬ nia nosników, który moze byc zatykany napie¬ ciem o polaryzacji zgodnej z polaryzacja drenu. 30 W zwiazku z tym nie zachodzi potrzeba uzyski¬ wania napiecia polaryzujacego bramke pierwsza przeciwnie w stosunku do zródla, co pozwala na polaczenie zródla tranzystora 3 bezposrednio- do zacisku 11 zasilacza i wyeliminowanie z ukla- 35 du diody 9 i rezystora 10. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Pólprzewodnikowy uklad elektroniczny z róz¬ nicowa komora jonizacyjna zwlaszcza do automa- 40 tycznej detekcji dymu sterowany napieciem z: dzielnika napiecia doprowadzonym do bramki pierwszej tranzystora polowego z izolowana bram¬ ka, znamienny tym, ze zródlo tranzystora polo¬ wego (3) dolaczone jest do jednego z zacisków (11) 45 zasilacza bezposrednio lub przez diode Zenera (9 i do drugiego zacisku (12) zasilacza przez rezys¬ tor (10), a bramka druga tranzystora polowego (3 dolaczona jest przez rezystor (4) do kolektora tranzystora bipolarnego (7), przy czym kolektor 50 tego tranzystora dolaczony jest do jednego z za¬ cisków (11) zasilacza przez rezystor (8), a dren tranzystora polowego (3) dolaczony jest przez re¬ zystor (5) dó bazy tranzystora bipolarnego (7), po¬ laczonej z drugim z zacisków (12) zasilacza przez. S5 rezystor (6), a emiter tranzystora bipolarnego (7 dolaczony jest bezposrednio do drugiego z zacis¬ ków (12) zasilacza tak, ze przewodzenie lub nie- przewodzenie ukladu elektronicznego nastepuje tylko przy odpowiedniej polaryzacji bramki eo pierwszej tranzystora polowego (3), a przejscie* ze stanu nieprzewodzenia do stanu przewodzenia ukladu i odwrotnie nastepuje skokowo.KI. 74 a,33 62618 MKP G 08 b, 17/10 ^a zr 3 , 1 - 4 X X X 12 -a 10 -i y- $ '-S^-r S9 X. Ao.l Il -0 ][^A 5 -I h I X 2 i I i H h 4 J2 -0 fib.

2. PL PL