PL62581B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL62581B1 PL62581B1 PL128501A PL12850168A PL62581B1 PL 62581 B1 PL62581 B1 PL 62581B1 PL 128501 A PL128501 A PL 128501A PL 12850168 A PL12850168 A PL 12850168A PL 62581 B1 PL62581 B1 PL 62581B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- acid
- volume
- silicon
- mixture
- parts
- Prior art date
Links
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 15.Y.1971 62581 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/00 -- Z r j ':. ¦¦-¦¦'¦ UKD Wspóltwórcy wynalazku: Jan Buczynski, Wiktor Ledóchowski, Zofia Mirkowska Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Polska) Sposób obróbki powierzchniowej krzemowych zlacz p-n Przedmiotem wynalazku jest sposób obróbki po¬ wierzchniowej krzemowych zlacz p-n.Istotny wplyw na potencjal powierzchniowy pólprze¬ wodnika i szybkosc rekombinacji powierzchniowej ma stan powierzchni pólprzewodnika, zalezny od ilosci za- adsorbowanych atomów tlenu, pary wodnej, oraz innych zanieczyszczen. Szybkosc rekombinacji powierzchniowej wplywa na takie podstawowe parametry przyrzadów pól¬ przewodnikowych jak napiecie przebicia, wspólczynnik wzmocnienia pradowego p oraz na prad nasycenia. W zwiazku z tym obróbka chemiczna powierzchni jest bar¬ dzo istotnym procesem umozliwiajacym uzyskanie pra¬ widlowych parametrów w technologii przyrzadów pól¬ przewodnikowych.W przypadku diod bardzo waznym parametrem, za¬ leznym od stanu powierzchni pólprzewodnika jest prad plynacy przez diode w kierunku zaporowym.Z technologicznego punktu widzenia powazne trud¬ nosci w uzyskaniu diod o prawidlowych i stabilnych wartosciach pradu nasycenia, nastrecza stosunkowo ma¬ la powtarzalnosc procesów obróbki powierzchniowej metodami chemicznymi. Wplywa na to duzy rozrzut stezenia chemikaliów, stopien ich zanieczyszczenia, oraz opornosc wody dejonizowanej stosowanej do plukania.Znane i stosowane sposoby obróbki powierzchniowej przyrzadów pólprzewodnikowych ze zlaczami p-n, wy¬ magaja niejednokrotnie zastosowania skomplikowanych urzadzen celem odizolowania powierzchni czynnej pól¬ przewodnika od wplywu róznych przypadkowych zanie¬ czyszczen i nie zapewniaja uzyskania powtarzalnych i stabilnych parametrów. 25 30 Inne sposoby obróbki powierzchniowej na drodze chemicznej nastreczaja duze trudnosci' w przygotowa¬ niu roztworów trawiacych i stosowanie ich na skale przemyslowa jest klopotliwe. Ze znanych metod che¬ micznych stosowana jest metoda obróbki powierzchnio¬ wej w mieszaninie kwasu fluorowodorowego azotowego i octowego z dodatkiem jodu, a nastepnie plukanie w stezonym kwasie octowym. Sposób ten jednak nie por zwala na powtarzalne uzyskiwanie zlacz p-n o wlasci¬ wych stabilnych pradach nasycenia.Inna znana metoda obróbki powierzchniowej takze na drodze chemicznej jest trawienie zlacz w mieszaninie zlozonej z kwasu fluorowodorowego:, azotowego i orto¬ fosforowego, nastepnie plukanie w przeplywie wody de¬ jonizowanej i wstepne osuszenie w acetonie. Ta metoda takze nie daje zadowalajacych wyników.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu obróbki powierzchniowej zlacz krzemowych p-n, pozwalajacego na uzyskanie malych i stabilnych pradów w kierunku zaporowym; Dla osiagniecia tego celu, zostalo wytyczone zadanie opracowania takiego skladu roztworu trawiacego w któ¬ rym obróbka zlacz krzemowych p-n gwarantowalaby uzyskiwanie powtarzalnych i stabilnych parametrów.Zgodnie z wynalazkiem, rozwiazanie tego zagadnienia poparte wielu doswiadczeniaimi, polega na zastosowaniu plukania wytrawionych zlacz w kwasie octowym lub w innych roztworach slabych organicznych kwasów karboksylowych o budowie prostej lub zlozonej na przy¬ klad w roztworach hydroksy lub ketonokwasów. 6258162581 4 Zlacza krzemowe p-n najkorzystniej trawi sie w mie¬ szaninie zlozonej z okolo 1 czesci objetosciowej kwasu fluorowodorowego, okolo 3 czesci objetosciowych kwasu azotowego l okolo 3 czesci objetosciowych kwasu orto¬ fosforowego. Dla dokladniejszego wyjasnienia przedmio¬ tu wynalazku podaje sie ponizszy przyklad.Do trawienia krzemowych zlacz p-n uzyto mieszaniny trawiacej skladajacej sie z 1 czesci objetosciowej kwasu fluorowodorowego o stezeniu 47%, 3 czesci objetoscio¬ wych kwasu azotowego o stezeniu 65 % i 3 czesci obje¬ tosciowych kwasu ortofosforowego o stezeniu 65%.Sporzadzona mieszanine nalezy dokladnie wymieszac i pozostawic na okres minimum trzech godzin w tempe¬ raturze okolo 20°C. Nastepnym zabiegiem jest spraw¬ dzenie szybkosci trawienia mieszaniny. W tym celu wrzuca sie do mieszaniny trawiacej krysztalki krzemu o znanej grubosci i trawi sie je okreslona ilosc czasu, na przyklad jedna minute, po czym przerywa sie trawie¬ nie, mierzy sie plytke i otrzymuje sie szybkosc trawie¬ nia sporzadzonej mieszaniny. Znajac szybkosc trawienia mieszaniny, umieszcza sie w nieij krzemowe zlacza p-n w celu ich obróbki powierzchniowej.Najlepsze rezultaty osiaga sie przy szybkosci trawie¬ nia 10 mikronów w ciagu jednej minuty, przy czym czas trawienia wynosi wówczas okolo 2-=-3 minuty. W przy¬ padku gdy mieszanina trawi szybciej niz 10 mikronów w ciagu minuty nalezy odpowiednio skrócic czas trawie¬ nia lub w przeciwnym przypadku odpowiednio zwiek¬ szyc czas trawienia. Po dokonaniu obróbki powierzch- niowej zlacz nalezy przerwac proces trawienia i umies¬ cic zlacza p-n w stezonym kwasie octowym. Plukac lekko poruszajac zlewka trzykrotnie zmieniajac kwas octowy. 5 Po zakonczeniu plukania zlacze p-n suszy sie w suszar¬ kach prózniowych ,w temperaturze okolo 150°C.Sposób wedlug wynalazku pozwala na uzyskanie pa¬ sywnej powierzchni pólprzewodnika szczególnie w ob¬ szarze zlacza przez co uzyskuje sie niezbedna stabilizacje 10 powierzchni i w zwiazku z tym stabilizacje pradu wstecz¬ nego. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 15 1. Sposób obróbki powierzchniowej krzemowych zlacz p-n, w którym wspomniane zlacza umieszcza sie w mie¬ szaninie kwasów fluorowodorowego azotowego i orto¬ fosforowego znamienny tym, ze wytrawione zlacza plu¬ cze sie w kwasie octowym lub w innych roztworach 20 slabych organicznych kwasów karboksylowych o budo¬ wie prostej lub zlozonej na przyklad w roztworach hydroksy lub ketonokwasów.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zlacza krzemowe p-n poddaje sie trawieniu najkorzystniej w 23 mieszaninie zlozonej z okolo 1 czesci objetosciowej kwa¬ su fluorowodorowego, okolo 3 czesci objetosciowych kwasu azotowego i okolo 3 czesci objetosciowych kwasu ortofosforowego. WDA-l. Zam. 212. Naklad 250 cg*. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL62581B1 true PL62581B1 (pl) | 1971-02-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69231971T2 (de) | Lösungen zur Oberflächenbehandlung von Halbleitern | |
| US4264374A (en) | Cleaning process for p-type silicon surface | |
| DE60028962T2 (de) | Zusammensetzungen zum reinigen von substraten von organischen und plasmaätz-rückständen bei halbleiter-vorrichtungen | |
| DE69816219T2 (de) | Reinigungsnachbehandlung | |
| US5861064A (en) | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries | |
| KR20000067903A (ko) | 연속 화학 공정을 이용한 전자부품 제조를 위한 습식 처리법 | |
| KR20000076984A (ko) | 포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법 | |
| US3859222A (en) | Silicon nitride-silicon oxide etchant | |
| SG173833A1 (en) | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers | |
| PL62581B1 (pl) | ||
| JP2643814B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| EP0946976B1 (de) | Wässrige reinigungslösung für ein halbleitersubstrat | |
| US3117899A (en) | Process for making semiconductor devices | |
| DE10227867A1 (de) | Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues | |
| US6495099B1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components | |
| DE69317141T2 (de) | Anisotropische Ätzung von Metalloxid | |
| US3728154A (en) | Semiconductor wafer cleaning | |
| JP2700778B2 (ja) | 酸含有液による半導体材料処理方法 | |
| US6245158B1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using liquids of varying temperature | |
| DE69613476T2 (de) | Metallspülungsverfahren mit kontrollierter Metallmikrokorrosionsreduktion | |
| US3669775A (en) | Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces | |
| JPH07321080A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
| US2973253A (en) | Etching of semiconductor materials | |
| DE1194987C2 (de) | Verfahren zum Praeparieren von Halbleiterbau-elementen | |
| Ogawa et al. | Pt Etching Method at Low Temperature Using Electrolyzed Sulfuric Acid Solution |