PL62581B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL62581B1
PL62581B1 PL128501A PL12850168A PL62581B1 PL 62581 B1 PL62581 B1 PL 62581B1 PL 128501 A PL128501 A PL 128501A PL 12850168 A PL12850168 A PL 12850168A PL 62581 B1 PL62581 B1 PL 62581B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
acid
volume
silicon
mixture
parts
Prior art date
Application number
PL128501A
Other languages
English (en)
Inventor
Buczynski Jan
Ledóchowski Wiktor
Mirkowska Zofia
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Publication of PL62581B1 publication Critical patent/PL62581B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 15.Y.1971 62581 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/00 -- Z r j ':. ¦¦-¦¦'¦ UKD Wspóltwórcy wynalazku: Jan Buczynski, Wiktor Ledóchowski, Zofia Mirkowska Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Polska) Sposób obróbki powierzchniowej krzemowych zlacz p-n Przedmiotem wynalazku jest sposób obróbki po¬ wierzchniowej krzemowych zlacz p-n.Istotny wplyw na potencjal powierzchniowy pólprze¬ wodnika i szybkosc rekombinacji powierzchniowej ma stan powierzchni pólprzewodnika, zalezny od ilosci za- adsorbowanych atomów tlenu, pary wodnej, oraz innych zanieczyszczen. Szybkosc rekombinacji powierzchniowej wplywa na takie podstawowe parametry przyrzadów pól¬ przewodnikowych jak napiecie przebicia, wspólczynnik wzmocnienia pradowego p oraz na prad nasycenia. W zwiazku z tym obróbka chemiczna powierzchni jest bar¬ dzo istotnym procesem umozliwiajacym uzyskanie pra¬ widlowych parametrów w technologii przyrzadów pól¬ przewodnikowych.W przypadku diod bardzo waznym parametrem, za¬ leznym od stanu powierzchni pólprzewodnika jest prad plynacy przez diode w kierunku zaporowym.Z technologicznego punktu widzenia powazne trud¬ nosci w uzyskaniu diod o prawidlowych i stabilnych wartosciach pradu nasycenia, nastrecza stosunkowo ma¬ la powtarzalnosc procesów obróbki powierzchniowej metodami chemicznymi. Wplywa na to duzy rozrzut stezenia chemikaliów, stopien ich zanieczyszczenia, oraz opornosc wody dejonizowanej stosowanej do plukania.Znane i stosowane sposoby obróbki powierzchniowej przyrzadów pólprzewodnikowych ze zlaczami p-n, wy¬ magaja niejednokrotnie zastosowania skomplikowanych urzadzen celem odizolowania powierzchni czynnej pól¬ przewodnika od wplywu róznych przypadkowych zanie¬ czyszczen i nie zapewniaja uzyskania powtarzalnych i stabilnych parametrów. 25 30 Inne sposoby obróbki powierzchniowej na drodze chemicznej nastreczaja duze trudnosci' w przygotowa¬ niu roztworów trawiacych i stosowanie ich na skale przemyslowa jest klopotliwe. Ze znanych metod che¬ micznych stosowana jest metoda obróbki powierzchnio¬ wej w mieszaninie kwasu fluorowodorowego azotowego i octowego z dodatkiem jodu, a nastepnie plukanie w stezonym kwasie octowym. Sposób ten jednak nie por zwala na powtarzalne uzyskiwanie zlacz p-n o wlasci¬ wych stabilnych pradach nasycenia.Inna znana metoda obróbki powierzchniowej takze na drodze chemicznej jest trawienie zlacz w mieszaninie zlozonej z kwasu fluorowodorowego:, azotowego i orto¬ fosforowego, nastepnie plukanie w przeplywie wody de¬ jonizowanej i wstepne osuszenie w acetonie. Ta metoda takze nie daje zadowalajacych wyników.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu obróbki powierzchniowej zlacz krzemowych p-n, pozwalajacego na uzyskanie malych i stabilnych pradów w kierunku zaporowym; Dla osiagniecia tego celu, zostalo wytyczone zadanie opracowania takiego skladu roztworu trawiacego w któ¬ rym obróbka zlacz krzemowych p-n gwarantowalaby uzyskiwanie powtarzalnych i stabilnych parametrów.Zgodnie z wynalazkiem, rozwiazanie tego zagadnienia poparte wielu doswiadczeniaimi, polega na zastosowaniu plukania wytrawionych zlacz w kwasie octowym lub w innych roztworach slabych organicznych kwasów karboksylowych o budowie prostej lub zlozonej na przy¬ klad w roztworach hydroksy lub ketonokwasów. 6258162581 4 Zlacza krzemowe p-n najkorzystniej trawi sie w mie¬ szaninie zlozonej z okolo 1 czesci objetosciowej kwasu fluorowodorowego, okolo 3 czesci objetosciowych kwasu azotowego l okolo 3 czesci objetosciowych kwasu orto¬ fosforowego. Dla dokladniejszego wyjasnienia przedmio¬ tu wynalazku podaje sie ponizszy przyklad.Do trawienia krzemowych zlacz p-n uzyto mieszaniny trawiacej skladajacej sie z 1 czesci objetosciowej kwasu fluorowodorowego o stezeniu 47%, 3 czesci objetoscio¬ wych kwasu azotowego o stezeniu 65 % i 3 czesci obje¬ tosciowych kwasu ortofosforowego o stezeniu 65%.Sporzadzona mieszanine nalezy dokladnie wymieszac i pozostawic na okres minimum trzech godzin w tempe¬ raturze okolo 20°C. Nastepnym zabiegiem jest spraw¬ dzenie szybkosci trawienia mieszaniny. W tym celu wrzuca sie do mieszaniny trawiacej krysztalki krzemu o znanej grubosci i trawi sie je okreslona ilosc czasu, na przyklad jedna minute, po czym przerywa sie trawie¬ nie, mierzy sie plytke i otrzymuje sie szybkosc trawie¬ nia sporzadzonej mieszaniny. Znajac szybkosc trawienia mieszaniny, umieszcza sie w nieij krzemowe zlacza p-n w celu ich obróbki powierzchniowej.Najlepsze rezultaty osiaga sie przy szybkosci trawie¬ nia 10 mikronów w ciagu jednej minuty, przy czym czas trawienia wynosi wówczas okolo 2-=-3 minuty. W przy¬ padku gdy mieszanina trawi szybciej niz 10 mikronów w ciagu minuty nalezy odpowiednio skrócic czas trawie¬ nia lub w przeciwnym przypadku odpowiednio zwiek¬ szyc czas trawienia. Po dokonaniu obróbki powierzch- niowej zlacz nalezy przerwac proces trawienia i umies¬ cic zlacza p-n w stezonym kwasie octowym. Plukac lekko poruszajac zlewka trzykrotnie zmieniajac kwas octowy. 5 Po zakonczeniu plukania zlacze p-n suszy sie w suszar¬ kach prózniowych ,w temperaturze okolo 150°C.Sposób wedlug wynalazku pozwala na uzyskanie pa¬ sywnej powierzchni pólprzewodnika szczególnie w ob¬ szarze zlacza przez co uzyskuje sie niezbedna stabilizacje 10 powierzchni i w zwiazku z tym stabilizacje pradu wstecz¬ nego. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 15 1. Sposób obróbki powierzchniowej krzemowych zlacz p-n, w którym wspomniane zlacza umieszcza sie w mie¬ szaninie kwasów fluorowodorowego azotowego i orto¬ fosforowego znamienny tym, ze wytrawione zlacza plu¬ cze sie w kwasie octowym lub w innych roztworach 20 slabych organicznych kwasów karboksylowych o budo¬ wie prostej lub zlozonej na przyklad w roztworach hydroksy lub ketonokwasów.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zlacza krzemowe p-n poddaje sie trawieniu najkorzystniej w 23 mieszaninie zlozonej z okolo 1 czesci objetosciowej kwa¬ su fluorowodorowego, okolo 3 czesci objetosciowych kwasu azotowego i okolo 3 czesci objetosciowych kwasu ortofosforowego. WDA-l. Zam. 212. Naklad 250 cg*. PL PL
PL128501A 1968-08-05 PL62581B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL62581B1 true PL62581B1 (pl) 1971-02-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69231971T2 (de) Lösungen zur Oberflächenbehandlung von Halbleitern
US4264374A (en) Cleaning process for p-type silicon surface
DE69816219T2 (de) Reinigungsnachbehandlung
US6132522A (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing
KR0185180B1 (ko) 반도체 디바이스 제조방법 및 그 제조장치
US5861064A (en) Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries
DE2245809A1 (de) Aetzmittel zum aetzen von halbleitermaterial
KR20000076984A (ko) 포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법
US3859222A (en) Silicon nitride-silicon oxide etchant
SG173833A1 (en) Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
PL62581B1 (pl)
US3117899A (en) Process for making semiconductor devices
DE10227867A1 (de) Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues
US6495099B1 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components
DE69317141T2 (de) Anisotropische Ätzung von Metalloxid
US3728154A (en) Semiconductor wafer cleaning
US6245158B1 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using liquids of varying temperature
US3669775A (en) Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces
US3007830A (en) Surface treatments of semiconductive bodies
Ghandhi et al. Chemical etching of germanium
JPH07321080A (ja) シリコンウェハーの洗浄方法
DE1194987B (de) Verfahren zum Praeparieren von Halbleiterbau-elementen
DE1015541B (de) Verfahren zum AEtzen elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiteranordnungen
US2973253A (en) Etching of semiconductor materials
RU2080687C1 (ru) Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин