PL62227B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL62227B1 PL62227B1 PL135141A PL13514169A PL62227B1 PL 62227 B1 PL62227 B1 PL 62227B1 PL 135141 A PL135141 A PL 135141A PL 13514169 A PL13514169 A PL 13514169A PL 62227 B1 PL62227 B1 PL 62227B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- circuit
- current
- transistor
- base
- collector
- Prior art date
Links
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.YIL1969 (P 135 141) 20.111.1971 62227 KI. 21 a2,18/02 MKP H03f, 1/0© UKD Wspóltwórcy wynalazku: Benedykt Kaminski, Zdzislaw Harassek, Stefan Para¬ dowski, Janusz Hirsz Wlasciciel patentu: Instytut Elektrotechniki, Warszawa (Polska) Uklad kompensacji skladowej stalej pradu w obwodzie kolektora ukladu tranzystorowego o wspólnej bazie Przedmiotem wynalazku jest uklad kompensacji skla¬ dowej stalej pradu w obwodzie kolektora ukladu tran¬ zystorowego o wspólnej bazie, wystepujacej na oporze uzytecznym.Ze znanych rozwiazan stosowanych dotychczas mozna wymienic uklad tranzystorowego wzmacniania konco¬ wego klasy A. Cecha charakterystyczna tego ukladu jest eliminacja skladowej stalej pradu za pomoca transfor¬ matora lub kondensatora.Wada tego ukladu jest to, ze elementy, oddzielajace skladowa stala pradu wprowadzaja znieksztalcenia am¬ plitudy i fazy przenoszonego sygnalu.Celem wynalazku jest unikniecie tej wady, a w posta¬ wionym zadaniu chodzi o znalezienie ukladu, pozwala¬ jacego na wyeliminowanie elementów znieksztalcajacych przenoszony sygnal.Uklad, bedacy przedmiotem wynalazku polega na wprowadzeniu do ukladu tranzystorowego, pracujacego w ukladzie wspólnej bazy na wspólny opór obciazenia, dodatkowego obwodu, zamykajacego sie przez opornosc baza-kolektor, w którym napiecie zródla zasilania jed¬ nego tranzystora sumuje sie z napieciem zródla zasila¬ nia drugiego tranzystora.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia uklad polaczen dla dwu tranzystorów p-n-p, a fig. 2 uklad n-p-n. Do tranzystora Ti w obwodzie emiter — baza doprowadzony jest prad Ii, na tle którego moze wystepowac skladowa zmienna jako sygnal uzyteczny. 10 15 20 25 Przez opór obciazenia R0, plynie prad równy w przybli*- zeniu pradowi Ii.Równoczesnie przez opór ROJ który jest wspólnym oporem obciazenia tranzystora Ti i T2, plynie prad rów¬ ny w przyblizeniu pradowi I2 obwodu emiter — baza T2.Prad ten jest kompensacyjnym pradem stalym. Zródlem pradu obwodu kolektor — baza tranzystora ,Ti jest ba¬ teria Bi, a dla tranzystora T2 bateria B2. Baterie Bi i B2 sa tak polaczone, ze tworza dodatkowy obwód ba¬ teria +Bi, opornosc baza — kolektor Ti, opornosc ko- lektor-baza T2, baterie — B2, +B2, — Bi. W obwodzie tym napiecia baterii Bi i B2 sumuja sie.Dzialanie ukladu polega na kompensacji skladowej stalej pradu wyjsciowego tranzystora Ti pradem wyjscio¬ wym tranzystora T2. Prady te plynace przez opór R0 maja kierunki przeciwne. W przypadkach, gdy sygnalem uzytecznym Ii jest prad staly, a nie skladowa zmienna, efektem kompensacji jest przetworzenie sygnalu z za¬ kresu 0 do X na zakres 0 ± -*- mA. 2 PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Uklad kompensacji skladowej stalej pradu w obwo¬ dzie kolektora ukladu tranzystorowego o wspólnej bazie, znamienny tym, ze tranzystory (Ti) i (T2) wlaczone sa na wspólny opór obciazenia (R0) a napiecia zródel zasi¬ lania (Bi) i (B2) tych tranzystorów sa tak wlaczone ze w dodatkowym obwodzie poprzez opornosci kolektor-baza, sumuja sie. 62227KI. 21 a2. 18/02 62227 MKP H 03 f, 1/00 ¦l B2 w l* ?2 /7tf / *,^ *. f^ U ^ 2 WD A-l. Zam. 6690. Naklad 230 cgr. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL62227B1 true PL62227B1 (pl) | 1970-12-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2789164A (en) | Semi-conductor signal amplifier circuit | |
| US3641448A (en) | Transistor signal translating stage | |
| KR940025186A (ko) | 전압 제어 발진기 | |
| KR890005992A (ko) | 상보신호 출력회로 | |
| KR870002694A (ko) | 증폭회로 | |
| JPS62287705A (ja) | Btl増幅回路 | |
| CA1199079A (en) | High input impedance circuit | |
| GB935555A (en) | Pulse generators | |
| GB1469793A (en) | Current proportioning circuit | |
| GB1297867A (pl) | ||
| PL62227B1 (pl) | ||
| US3351865A (en) | Operational amplifier | |
| US2941154A (en) | Parallel transistor amplifiers | |
| US4262262A (en) | Electric amplifier | |
| GB1008238A (en) | Improvements in micro-microammeters | |
| GB1485092A (en) | Amplifier with gain control | |
| US3446987A (en) | Variable resistance circuit | |
| US2882402A (en) | Transistor oscillator | |
| SU1571748A1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
| US3694763A (en) | Differential current sense amplifier | |
| US3424922A (en) | Transistor switch | |
| RU2079965C1 (ru) | Полупроводниковый усилитель с двухполюсным электропитанием | |
| SU516176A1 (ru) | Усилитель | |
| SU454692A2 (ru) | Прерыватель | |
| SU1083337A2 (ru) | Двухтактный усилитель мощности с защитой |