PL62227B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL62227B1
PL62227B1 PL135141A PL13514169A PL62227B1 PL 62227 B1 PL62227 B1 PL 62227B1 PL 135141 A PL135141 A PL 135141A PL 13514169 A PL13514169 A PL 13514169A PL 62227 B1 PL62227 B1 PL 62227B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
circuit
current
transistor
base
collector
Prior art date
Application number
PL135141A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaminski Benedykt
Harassek Zdzislaw
Para¬dowski Stefan
Hirsz Janusz
Original Assignee
Instytut Elektrotechniki
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Elektrotechniki filed Critical Instytut Elektrotechniki
Publication of PL62227B1 publication Critical patent/PL62227B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.YIL1969 (P 135 141) 20.111.1971 62227 KI. 21 a2,18/02 MKP H03f, 1/0© UKD Wspóltwórcy wynalazku: Benedykt Kaminski, Zdzislaw Harassek, Stefan Para¬ dowski, Janusz Hirsz Wlasciciel patentu: Instytut Elektrotechniki, Warszawa (Polska) Uklad kompensacji skladowej stalej pradu w obwodzie kolektora ukladu tranzystorowego o wspólnej bazie Przedmiotem wynalazku jest uklad kompensacji skla¬ dowej stalej pradu w obwodzie kolektora ukladu tran¬ zystorowego o wspólnej bazie, wystepujacej na oporze uzytecznym.Ze znanych rozwiazan stosowanych dotychczas mozna wymienic uklad tranzystorowego wzmacniania konco¬ wego klasy A. Cecha charakterystyczna tego ukladu jest eliminacja skladowej stalej pradu za pomoca transfor¬ matora lub kondensatora.Wada tego ukladu jest to, ze elementy, oddzielajace skladowa stala pradu wprowadzaja znieksztalcenia am¬ plitudy i fazy przenoszonego sygnalu.Celem wynalazku jest unikniecie tej wady, a w posta¬ wionym zadaniu chodzi o znalezienie ukladu, pozwala¬ jacego na wyeliminowanie elementów znieksztalcajacych przenoszony sygnal.Uklad, bedacy przedmiotem wynalazku polega na wprowadzeniu do ukladu tranzystorowego, pracujacego w ukladzie wspólnej bazy na wspólny opór obciazenia, dodatkowego obwodu, zamykajacego sie przez opornosc baza-kolektor, w którym napiecie zródla zasilania jed¬ nego tranzystora sumuje sie z napieciem zródla zasila¬ nia drugiego tranzystora.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia uklad polaczen dla dwu tranzystorów p-n-p, a fig. 2 uklad n-p-n. Do tranzystora Ti w obwodzie emiter — baza doprowadzony jest prad Ii, na tle którego moze wystepowac skladowa zmienna jako sygnal uzyteczny. 10 15 20 25 Przez opór obciazenia R0, plynie prad równy w przybli*- zeniu pradowi Ii.Równoczesnie przez opór ROJ który jest wspólnym oporem obciazenia tranzystora Ti i T2, plynie prad rów¬ ny w przyblizeniu pradowi I2 obwodu emiter — baza T2.Prad ten jest kompensacyjnym pradem stalym. Zródlem pradu obwodu kolektor — baza tranzystora ,Ti jest ba¬ teria Bi, a dla tranzystora T2 bateria B2. Baterie Bi i B2 sa tak polaczone, ze tworza dodatkowy obwód ba¬ teria +Bi, opornosc baza — kolektor Ti, opornosc ko- lektor-baza T2, baterie — B2, +B2, — Bi. W obwodzie tym napiecia baterii Bi i B2 sumuja sie.Dzialanie ukladu polega na kompensacji skladowej stalej pradu wyjsciowego tranzystora Ti pradem wyjscio¬ wym tranzystora T2. Prady te plynace przez opór R0 maja kierunki przeciwne. W przypadkach, gdy sygnalem uzytecznym Ii jest prad staly, a nie skladowa zmienna, efektem kompensacji jest przetworzenie sygnalu z za¬ kresu 0 do X na zakres 0 ± -*- mA. 2 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad kompensacji skladowej stalej pradu w obwo¬ dzie kolektora ukladu tranzystorowego o wspólnej bazie, znamienny tym, ze tranzystory (Ti) i (T2) wlaczone sa na wspólny opór obciazenia (R0) a napiecia zródel zasi¬ lania (Bi) i (B2) tych tranzystorów sa tak wlaczone ze w dodatkowym obwodzie poprzez opornosci kolektor-baza, sumuja sie. 62227KI. 21 a2. 18/02 62227 MKP H 03 f, 1/00 ¦l B2 w l* ?2 /7tf / *,^ *. f^ U ^ 2 WD A-l. Zam. 6690. Naklad 230 cgr. PL PL
PL135141A 1969-07-30 PL62227B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL62227B1 true PL62227B1 (pl) 1970-12-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2789164A (en) Semi-conductor signal amplifier circuit
US3641448A (en) Transistor signal translating stage
KR940025186A (ko) 전압 제어 발진기
KR890005992A (ko) 상보신호 출력회로
KR870002694A (ko) 증폭회로
JPS62287705A (ja) Btl増幅回路
CA1199079A (en) High input impedance circuit
GB935555A (en) Pulse generators
GB1469793A (en) Current proportioning circuit
GB1297867A (pl)
PL62227B1 (pl)
US3351865A (en) Operational amplifier
US2941154A (en) Parallel transistor amplifiers
US4262262A (en) Electric amplifier
GB1008238A (en) Improvements in micro-microammeters
GB1485092A (en) Amplifier with gain control
US3446987A (en) Variable resistance circuit
US2882402A (en) Transistor oscillator
SU1571748A1 (ru) Дифференциальный усилитель
US3694763A (en) Differential current sense amplifier
US3424922A (en) Transistor switch
RU2079965C1 (ru) Полупроводниковый усилитель с двухполюсным электропитанием
SU516176A1 (ru) Усилитель
SU454692A2 (ru) Прерыватель
SU1083337A2 (ru) Двухтактный усилитель мощности с защитой