PL60587B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL60587B1 PL60587B1 PL132452A PL13245269A PL60587B1 PL 60587 B1 PL60587 B1 PL 60587B1 PL 132452 A PL132452 A PL 132452A PL 13245269 A PL13245269 A PL 13245269A PL 60587 B1 PL60587 B1 PL 60587B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diffusion
- junction
- concentration
- impurities
- zinc
- Prior art date
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RHKSESDHCKYTHI-UHFFFAOYSA-N 12006-40-5 Chemical compound [Zn].[As]=[Zn].[As]=[Zn] RHKSESDHCKYTHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 20. X. 1970 60587 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1, 7/02 Twórca wynalazku: Bogdan Darek Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania dyfuzyjnego zlacza p — n w pólprzewodniku Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania dyfuzyjnego zlacza p—n w pólprzewodniku, zwla¬ szcza w arsenku galu, zapewniajacy powstanie odpowiedniego rozkladu wdyfundowanych domie¬ szek w poblizu zlacza korzystnego z punktu wi¬ dzenia zastosowania tego zlacza w przyrzadach elektroluminescencyjnych.W celu osiagniecia duzej sprawnosci przetwarza- nia energii elektrycznej na promienista, zlacza nalezy wykonac w ten sposób, aby otrzymac ma¬ ly gradient koncentracji domieszek.Jednakze, otrzymanie takich zlacz jest trudne, zwlaszcza w przypadku dyfuzji cynku do arsenku galu.Najtrudniejszym etapem wytwarzania zlacza p—n, jest prowadzenie procesu dyfuzji domie¬ szek, tak aby otrzymac mala koncentracje w ob¬ szarze zlacza, zwlaszcza gdy cynk dyfunduje do arsenku galu. Dotychczas proces ten przeprowa¬ dzano przy stalej temperaturze stosujac czysty cynk lub arsenek cynku. Jednakze wtedy otrzy¬ muje sie duzy gradient koncentracji a diody zbu¬ dowane na takim zlaczu maja maska wydajnosc kwantowa.Innym sposobem prowadzenia procesu dyfuzji jest dyfuzja w warunkach zapewniajacych po¬ wstanie malej koncentracji powierzchniowej.Wówczas otrzymuje sie maly gradient koncentra¬ cji lecz mala koncentracja powierzchniowa po- 10 15 20 25 30 woduje wzrost opornosci kontaktu, a wiec i wzrost szkodliwej opornosci szeregowej diody.Istota sposobu wytwarzania dyfuzyjnego zlacza p—m wedlug wynalazku jest, ze w celu otrzyma¬ nia malego gradientu koncentracji domieszek w obszarze zlacza p—n proces dyfuzji domieszek przeprowadza sie w stale zmieniajacej sie tem¬ peraturze.Rozpatrujac pólprzewodnik, w którym dyfun¬ duje cynk do arsenku galu, nalezy stwierdzic, ze rozklad atomów cynku w arsenku jest nietypowy i odbiega od krzywej erfc, a wspólczynnik dyfuzji D jest funkcja koncentracji domieszek i tempera¬ tury, o postaci D = f (N, T) (1) gdzie D = wspólczynnik dyfuzji N = koncentracja T = temperatura.Przyrost wspólczynnika wyrazeniem: <5D <5D = dN + <5N domieszek dyfuzji mozna okreslic ÓD <5T dT (2) Jezeli wspólczynnik dyfuzji rosnie ze wzrostem koncentracji domieszek, to pochodna --— ma war- oN tosc dodatnia; podobnie pochodna 5D jest do- 6058760587 datnia. W czasie zachodzenia procesu dyfuzji, ato¬ my przemieszczajac sie wglaib materialu, przecho¬ dza w obszar o mniejszej koncentracji domieszek.Stad tez pierwszy skladnik wyrazenia (2) jest uje¬ mny. Aby wspólczynnik dyfuzji nie zmienial sie, drugi skladnik wyrazenia (2) powinien kompenso¬ wac zmiany pierwszego skladnika. Kompensacja ta zachodzi gdy temperatura w czasie procesu dyfuzji stale narasta.W przypadku pólprzewodnika tego typu, ze po- ÓU chodna jest ujemna, pierwszy skladnik wy- ÓN razenia (2) jest dodatni i dla skompensowania zmian tego skladnika w czasie procesu dyfuzji, temperatura musi stale malec.Nalezy zaznaczyc, ze rozpatrywanym procesem dyfuzji, jest proces intensywnej dyfuzji domie¬ szek do materialu, po ogrzaniu go do odpowied¬ niej temperatury, dla danego materialu, dla pro¬ wadzenia procesu dyfuzji i okreslonego warunkami technologicznymi. Pomija sie dyfuzje przypadkowa.Sposobem wedlug wynalazku, przykladowo wy¬ konano zlacze p—n w arsenku galu o koncentra¬ cji donorów 5 . 1017 [cm-3] przy czym stosowano cynk w ilosci 1 mg/cm3 ampuly w obecnosci arse- 5 nu w ilosci 2 mg/cm3 ampuly. Proces dyfuzji prze¬ prowadzono przy zmianie temperatury o okolo 150°C. W wyniku otrzymano zmniejszenie gra¬ dientu koncentracji domieszek w poblizu zlacza p—n, co uwidocznilo sie w zmniejszeniu pojem- 10 nosci zlacza o okolo 15°/o. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe 15 20 Sposób wytwarzania dyfuzyjnego zlacza p—n w pólprzewodniku, zwlaszcza dla przyrzadów elektroluminescencyjnych, polegajacy na otrzy¬ mywaniu malego gradientu koncentracji w obsza¬ rze wdyfundowywanych domieszek, znamienny tym, ze proces dyfuzji domieszek przeprowadza sie w stale zmieniajacej sie temperaturze. KZG 1 z. 179/70 240 PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL60587B1 true PL60587B1 (pl) | 1970-06-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Heckingbottom et al. | Ion implantation in compound semiconductors–an approach based on solid state theory | |
| Goldstein | Diffusion in compound semiconductors | |
| Swartz et al. | Analysis of the Effect of Fast‐Neutron Bombardment on the Current‐Voltage Characteristic of a Conductivity‐Modulated p‐i‐n Diode | |
| US2900286A (en) | Method of manufacturing semiconductive bodies | |
| Streetman | Carrier recombination and trapping effects in transient photoconductive decay measurements | |
| Spitzer et al. | Anomalous thermal conductivity of Cd3As2 and the Cd3As2− Zn3As2 alloys | |
| Lucovsky et al. | Edge absorption and photoluminescence in closely compensated GaAs | |
| Nelson et al. | Direct Transition and Exciton Effects in the Photoconductivity of Gallium Phosphide | |
| Saul et al. | Distribution of impurities in Zn, O‐doped GaP liquid phase epitaxy layers | |
| PL60587B1 (pl) | ||
| US3387163A (en) | Luminescent semiconductor devices including a compensated zone with a substantially balanced concentration of donors and acceptors | |
| Gershenzon | Radiative recombination in the III-V compounds | |
| ES354654A1 (es) | Metodo para la difusion de cinc en arseniuro de gelio. | |
| US3769558A (en) | Surface inversion solar cell and method of forming same | |
| US3174882A (en) | Tunnel diode | |
| Sandiford | Temperature dependence of carrier lifetime in silicon | |
| Saidov et al. | Liquid-phase epitaxy of the (Si2) 1− x− y (Ge2) x (GaAs) y substitutional solid solution (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94) and their electrophysical properties | |
| US3211589A (en) | P-n junction formation in iii-v semiconductor compounds | |
| Evstropov et al. | The dislocation origin and model of excess tunnel current in GaP pn structures | |
| PL71396B1 (pl) | ||
| Parat et al. | Annealing and electrical properties of Hg1− xCdxTe grown by OMVPE | |
| Yu et al. | Zinc and phosphorus co-implantation in indium phosphide | |
| Katz et al. | Polycrystalline Silicon solar cells: Improvements in efficiency through hydrogen passivation | |
| US3713910A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| Long | Energy Band Structures of Mixed Crystals of III–V Compounds |