PL58992B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL58992B1 PL58992B1 PL115191A PL11519166A PL58992B1 PL 58992 B1 PL58992 B1 PL 58992B1 PL 115191 A PL115191 A PL 115191A PL 11519166 A PL11519166 A PL 11519166A PL 58992 B1 PL58992 B1 PL 58992B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- insert
- graphite
- oriented
- crucible
- aluminum
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 18.VI.1966 (P 115 191) 20.11.1970 58992 KI. 12 g, 17/20 MKP UKD b.m Jlj20 Twórca wynalazku: /mgr Antoni Modrzejewski Wlasciciel patentu: Instytut Badan Jadrowych, Warszawa (Polska) Urzadzenie do otrzymywania duzych zorientowanych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul Przedmiotem zgloszenia patentowego jest urza¬ dzenie do otrzymywania duzych zorientowanych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul.Duze monokrysztaly aluminium, o srednicy okolo 5 cm, przygotowane sa w ksztalcie walca, poprzez stosowanie prostych w budowie cylindrycznych ty¬ gli grafitowych. Zarówno krysztaly zorientowane jak tez krysztaly o dowolnej orientacji krystalo¬ graficznej otrzymuje sie poprzez powolna krystali¬ zacje stopniowego w tyglu, w obszarze grzejnym pieca, metalu. Proces krystalizacji odbywa sie naj¬ czesciej na skutek zmiany polozenia tygla w sto¬ sunku do pionowego gradientu temperatury pieca.Otrzymanie krysztalów zorientowanych w ksztalcie walca wymaga umieszczenia w dolnej czesci tygla zorientowanego zarodka krystalicznego. W przy¬ padku aluminium doprowadzono do czesciowego nadtopienia zarodka i polaczenia go z krysztalem zasadniczym, oraz stosowano wodne chlodzenie za¬ rodka dla zabezpieczenia go przed calkowitym stopieniem.Dotychczas przygotowanie monokrysztalów me¬ tali w ksztalcie kul odbywalo sie na drodze obrób¬ ki mechanicznej z otrzymywanych uprzednio mo¬ nokrysztalów w ksztacie walca. Praca ta jest bar¬ dzo czasochlonna i wymaga zachowania duzej sta¬ rannosci, aby nie zniszczyc wewnetrznej struktury krysztalu. Gotowych zorientowanych monokryszta¬ lów metali w ksztalcie kul dotychczas nie otrzy¬ mywano. Celem wynalazku jest uzyskiwanie w 10 15 25 30 sposób powtarzalny gotowych zorientowanych krystalograficznie monokrysztalów aluminium w ksztalcie kuli, zas zadaniem wynalazku jest opra¬ cowanie urzadzenia przeznaczonego do osiagniecia tego celu.Cel ten osiagnieto konstruujac urzadzenie w którym dolna czesc cylindra grafitowego zamknie¬ ta jest grafitowym wkretem stanowiacym jedno¬ czesnie podstawe tygla, zas na jej górnej czesci zamontowane sa grafitowe wkladki, jedna dolna z tulejka na zorientowany zarodek krystaliczny i druga górna z przewezeniem na zorientowany kry¬ stalograficznie uchwyt kuli. Obie te wkladki tworza przestrzen sferyczna a na nie nakladana jest wkladka tworzaca miejsce na wsad. Wynalazek zo¬ stanie blizej objasniony na przykladzie wykonania przedstawionego na rysunku.Do cylindra grafitowego 1, 5 wsuwane sa paso¬ wane wkladki grafitowe 2, 3, 4, zapewniajace otrzy¬ manie monokrysztalu w ksztalcie kuli. Wkladki 2, 3 tworza razem przestrzen sferyczna 9, wkladka 2 posiada tulejke 7 — miejsce na zorientowany za¬ rodek krystaliczny a wkladka 3 posiada w górnej czesci przewezenie 10 dla uformowania w procesie narastania monokrysztalu odpowiedniego uchwytu kuli aluminiowej, okreslajacego orientacje krysta¬ lograficzna kuli. Górna wkladka 4 skladajaca sie z dwóch polówek zapewnia miejsce 12 na wsad prze¬ znaczonego do topienia metalu. W dolnej czesci cylindra grafitowego 1, 5 znajduje sie wkrecany na 5899258992 3 gwint wkret 6 grafitowy stanowiacy podstawe ty¬ gla i zamykajacy od dolu tulejke 7 z zarodkiem krystalicznym. Otwór 8 przy podstawie tygla prze¬ znaczony jest na umieszczenie termopary celem kontrolowania temperatury zarodka. Na cylinder grafitowy 1 pasowany jest cylinder stalowy 5 ce¬ lem wzmocnienia scianek bocznych cylindra i unie¬ mozliwienia ewentualnym przeciekom aluminium na zewnatrz tygla. Wkladke 2, w której znajduje sie miejsce na zarodek — tulejka — 7 mozna wy¬ mienic na wkladke z nawiercona osiowo kapilara dla otrzymywania krysztalów niezorientowanych.Celem otrzymania zorientowanego monokrysztalu aluminium w ksztalcie kuli umieszczamy tygiel, pokazany na fig. 1, wraz z wsadem metalu i zorien¬ towanym zarodkiem na cylindrycznej podstawce kwarcowej w piecu przystosowanym do otrzymy¬ wania monokrysztalów metali w ksztalcie walca.Wzajemne polozenie poczatkowe pieca i tygla uza¬ leznione jest od temperatury zarodka krystalicz¬ nego. Zarodek zabezpiecza sie przed calkowitym stopieniem nie przez zastosowanie chlodzenia wodnego, które okazalo sie zbedne, lecz przez wlas¬ ciwy dobór polozenia poczatkowego pieca. Po sto¬ pieniu metalu i ustaleniu sie warunków termicz¬ nych nastepuje proces krystalizacji stopionego me¬ talu poprzez powolne podnoszenie pieca.Tygiel graficzny po zakonczeniu krystalizacji daje sie latwo rozebrac, co sprawia, ze nie ulega on 5 zniszczeniu nawet po wielu wytopach. Celem wy¬ jecia z tygla kuli aluminiowej nalezy wykonac nastepujace czynnosci: wykrecic podstawke grafi¬ towa 6, wypchnac starannie od dolu tygla wkladki 2, 3, 4 wraz z kula i zarodkiem, rozchylic na boki lo obie czesci wkladki 4, przeciac krysztal w przewe¬ zeniu 11, zdjac z kuli wkladke 3 i biorac do reki uchwyt 10, wyjac kule z wkladki 2. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe 15 Urzadzenie do otrzymywania duzych zorientowa¬ nych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul znamienne tym, ze dolna czesc cylindra grafitowe¬ go (1, 5) zamknieta jest grafitowym wkretem (6) stanowiacym jednoczesnie podstawe tygla zas na 20 jej górnej czesci zamontowana jest grafitowa wkladka (2) z tulejka (7) na zorientowany zarodek krystaliczny, przy czym wkladka (2) wraz z wklad¬ ka (3) tworzy przestrzen sferyczna (9) zas wkladka (3) posiada przewezenie (10), i nakladana jest na 25 nia wkladka (4) tworzaca miejsce na wsad.KI. 12 g, 17/20 58992 MKP B 01 j PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL58992B1 true PL58992B1 (pl) | 1969-10-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3608050A (en) | Production of single crystal sapphire by carefully controlled cooling from a melt of alumina | |
| Osiko et al. | Synthesis of refractory materials by skull melting technique | |
| US4475582A (en) | Casting a metal single crystal article using a seed crystal and a helix | |
| JPH0379103B2 (pl) | ||
| GB2112309A (en) | Making a cast single crystal article | |
| US2594998A (en) | Single crystal fabrication | |
| Yang et al. | Dendrite morphology and evolution mechanism of nickel-based single crystal superalloys grown along the< 001> and< 011> orientations | |
| DE102014113806A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von DS/SC Gusskörpern | |
| US6343641B1 (en) | Controlling casting grain spacing | |
| PL58992B1 (pl) | ||
| US3584676A (en) | Method for the manufacture of single crystals | |
| Tatartchenko | 10 Sapphire Crystal Growth and Applications | |
| EP0059549A2 (en) | Method of casting an article | |
| Sturz et al. | Production and characterization of large single crystals made of ferromagnetic shape memory alloys Ni–Mn–Ga | |
| Novoselov | Growth of large sapphire crystals: Lessons learned | |
| Liu et al. | The effect of processing parameters on the temperature distribution and interface shape in Czochralski growth of Al2O3/YAG eutectic ceramic composite: Modeling and experiment | |
| US3519063A (en) | Shell mold construction with chill plate having uniform roughness | |
| Khattak et al. | Recent developments in sapphire growth by heat exchanger method (HEM) | |
| CN102069176B (zh) | 一种液态金属冷却定向凝固工艺 | |
| RU2312156C2 (ru) | Способ производства особо чистых металлов и монокристаллов из них | |
| CN214694462U (zh) | 一种ycob晶体生长用生长装置 | |
| CN104164699A (zh) | 用于生长金属双晶的坩埚 | |
| DE1558325A1 (de) | Heizvorrichtung fuer eine Giessform | |
| DE2307463A1 (de) | Verfahren zur herstellung von einkristallinen erzeugnissen und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
| US3738416A (en) | Method of making double-oriented single crystal castings |