PL58992B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58992B1
PL58992B1 PL115191A PL11519166A PL58992B1 PL 58992 B1 PL58992 B1 PL 58992B1 PL 115191 A PL115191 A PL 115191A PL 11519166 A PL11519166 A PL 11519166A PL 58992 B1 PL58992 B1 PL 58992B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
insert
graphite
oriented
crucible
aluminum
Prior art date
Application number
PL115191A
Other languages
English (en)
Inventor
Antoni Modrzejewski /mgr
Original Assignee
Instytut Badan Jadrowych
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Badan Jadrowych filed Critical Instytut Badan Jadrowych
Publication of PL58992B1 publication Critical patent/PL58992B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 18.VI.1966 (P 115 191) 20.11.1970 58992 KI. 12 g, 17/20 MKP UKD b.m Jlj20 Twórca wynalazku: /mgr Antoni Modrzejewski Wlasciciel patentu: Instytut Badan Jadrowych, Warszawa (Polska) Urzadzenie do otrzymywania duzych zorientowanych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul Przedmiotem zgloszenia patentowego jest urza¬ dzenie do otrzymywania duzych zorientowanych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul.Duze monokrysztaly aluminium, o srednicy okolo 5 cm, przygotowane sa w ksztalcie walca, poprzez stosowanie prostych w budowie cylindrycznych ty¬ gli grafitowych. Zarówno krysztaly zorientowane jak tez krysztaly o dowolnej orientacji krystalo¬ graficznej otrzymuje sie poprzez powolna krystali¬ zacje stopniowego w tyglu, w obszarze grzejnym pieca, metalu. Proces krystalizacji odbywa sie naj¬ czesciej na skutek zmiany polozenia tygla w sto¬ sunku do pionowego gradientu temperatury pieca.Otrzymanie krysztalów zorientowanych w ksztalcie walca wymaga umieszczenia w dolnej czesci tygla zorientowanego zarodka krystalicznego. W przy¬ padku aluminium doprowadzono do czesciowego nadtopienia zarodka i polaczenia go z krysztalem zasadniczym, oraz stosowano wodne chlodzenie za¬ rodka dla zabezpieczenia go przed calkowitym stopieniem.Dotychczas przygotowanie monokrysztalów me¬ tali w ksztalcie kul odbywalo sie na drodze obrób¬ ki mechanicznej z otrzymywanych uprzednio mo¬ nokrysztalów w ksztacie walca. Praca ta jest bar¬ dzo czasochlonna i wymaga zachowania duzej sta¬ rannosci, aby nie zniszczyc wewnetrznej struktury krysztalu. Gotowych zorientowanych monokryszta¬ lów metali w ksztalcie kul dotychczas nie otrzy¬ mywano. Celem wynalazku jest uzyskiwanie w 10 15 25 30 sposób powtarzalny gotowych zorientowanych krystalograficznie monokrysztalów aluminium w ksztalcie kuli, zas zadaniem wynalazku jest opra¬ cowanie urzadzenia przeznaczonego do osiagniecia tego celu.Cel ten osiagnieto konstruujac urzadzenie w którym dolna czesc cylindra grafitowego zamknie¬ ta jest grafitowym wkretem stanowiacym jedno¬ czesnie podstawe tygla, zas na jej górnej czesci zamontowane sa grafitowe wkladki, jedna dolna z tulejka na zorientowany zarodek krystaliczny i druga górna z przewezeniem na zorientowany kry¬ stalograficznie uchwyt kuli. Obie te wkladki tworza przestrzen sferyczna a na nie nakladana jest wkladka tworzaca miejsce na wsad. Wynalazek zo¬ stanie blizej objasniony na przykladzie wykonania przedstawionego na rysunku.Do cylindra grafitowego 1, 5 wsuwane sa paso¬ wane wkladki grafitowe 2, 3, 4, zapewniajace otrzy¬ manie monokrysztalu w ksztalcie kuli. Wkladki 2, 3 tworza razem przestrzen sferyczna 9, wkladka 2 posiada tulejke 7 — miejsce na zorientowany za¬ rodek krystaliczny a wkladka 3 posiada w górnej czesci przewezenie 10 dla uformowania w procesie narastania monokrysztalu odpowiedniego uchwytu kuli aluminiowej, okreslajacego orientacje krysta¬ lograficzna kuli. Górna wkladka 4 skladajaca sie z dwóch polówek zapewnia miejsce 12 na wsad prze¬ znaczonego do topienia metalu. W dolnej czesci cylindra grafitowego 1, 5 znajduje sie wkrecany na 5899258992 3 gwint wkret 6 grafitowy stanowiacy podstawe ty¬ gla i zamykajacy od dolu tulejke 7 z zarodkiem krystalicznym. Otwór 8 przy podstawie tygla prze¬ znaczony jest na umieszczenie termopary celem kontrolowania temperatury zarodka. Na cylinder grafitowy 1 pasowany jest cylinder stalowy 5 ce¬ lem wzmocnienia scianek bocznych cylindra i unie¬ mozliwienia ewentualnym przeciekom aluminium na zewnatrz tygla. Wkladke 2, w której znajduje sie miejsce na zarodek — tulejka — 7 mozna wy¬ mienic na wkladke z nawiercona osiowo kapilara dla otrzymywania krysztalów niezorientowanych.Celem otrzymania zorientowanego monokrysztalu aluminium w ksztalcie kuli umieszczamy tygiel, pokazany na fig. 1, wraz z wsadem metalu i zorien¬ towanym zarodkiem na cylindrycznej podstawce kwarcowej w piecu przystosowanym do otrzymy¬ wania monokrysztalów metali w ksztalcie walca.Wzajemne polozenie poczatkowe pieca i tygla uza¬ leznione jest od temperatury zarodka krystalicz¬ nego. Zarodek zabezpiecza sie przed calkowitym stopieniem nie przez zastosowanie chlodzenia wodnego, które okazalo sie zbedne, lecz przez wlas¬ ciwy dobór polozenia poczatkowego pieca. Po sto¬ pieniu metalu i ustaleniu sie warunków termicz¬ nych nastepuje proces krystalizacji stopionego me¬ talu poprzez powolne podnoszenie pieca.Tygiel graficzny po zakonczeniu krystalizacji daje sie latwo rozebrac, co sprawia, ze nie ulega on 5 zniszczeniu nawet po wielu wytopach. Celem wy¬ jecia z tygla kuli aluminiowej nalezy wykonac nastepujace czynnosci: wykrecic podstawke grafi¬ towa 6, wypchnac starannie od dolu tygla wkladki 2, 3, 4 wraz z kula i zarodkiem, rozchylic na boki lo obie czesci wkladki 4, przeciac krysztal w przewe¬ zeniu 11, zdjac z kuli wkladke 3 i biorac do reki uchwyt 10, wyjac kule z wkladki 2. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe 15 Urzadzenie do otrzymywania duzych zorientowa¬ nych monokrysztalów aluminium w ksztalcie kul znamienne tym, ze dolna czesc cylindra grafitowe¬ go (1, 5) zamknieta jest grafitowym wkretem (6) stanowiacym jednoczesnie podstawe tygla zas na 20 jej górnej czesci zamontowana jest grafitowa wkladka (2) z tulejka (7) na zorientowany zarodek krystaliczny, przy czym wkladka (2) wraz z wklad¬ ka (3) tworzy przestrzen sferyczna (9) zas wkladka (3) posiada przewezenie (10), i nakladana jest na 25 nia wkladka (4) tworzaca miejsce na wsad.KI. 12 g, 17/20 58992 MKP B 01 j PL
PL115191A 1966-06-18 PL58992B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58992B1 true PL58992B1 (pl) 1969-10-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3608050A (en) Production of single crystal sapphire by carefully controlled cooling from a melt of alumina
Osiko et al. Synthesis of refractory materials by skull melting technique
US4475582A (en) Casting a metal single crystal article using a seed crystal and a helix
JPH0379103B2 (pl)
GB2112309A (en) Making a cast single crystal article
US2594998A (en) Single crystal fabrication
Yang et al. Dendrite morphology and evolution mechanism of nickel-based single crystal superalloys grown along the< 001> and< 011> orientations
DE102014113806A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von DS/SC Gusskörpern
US6343641B1 (en) Controlling casting grain spacing
PL58992B1 (pl)
US3584676A (en) Method for the manufacture of single crystals
Tatartchenko 10 Sapphire Crystal Growth and Applications
EP0059549A2 (en) Method of casting an article
Sturz et al. Production and characterization of large single crystals made of ferromagnetic shape memory alloys Ni–Mn–Ga
Novoselov Growth of large sapphire crystals: Lessons learned
Liu et al. The effect of processing parameters on the temperature distribution and interface shape in Czochralski growth of Al2O3/YAG eutectic ceramic composite: Modeling and experiment
US3519063A (en) Shell mold construction with chill plate having uniform roughness
Khattak et al. Recent developments in sapphire growth by heat exchanger method (HEM)
CN102069176B (zh) 一种液态金属冷却定向凝固工艺
RU2312156C2 (ru) Способ производства особо чистых металлов и монокристаллов из них
CN214694462U (zh) 一种ycob晶体生长用生长装置
CN104164699A (zh) 用于生长金属双晶的坩埚
DE1558325A1 (de) Heizvorrichtung fuer eine Giessform
DE2307463A1 (de) Verfahren zur herstellung von einkristallinen erzeugnissen und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US3738416A (en) Method of making double-oriented single crystal castings