PL58742B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL58742B1 PL58742B1 PL121134A PL12113467A PL58742B1 PL 58742 B1 PL58742 B1 PL 58742B1 PL 121134 A PL121134 A PL 121134A PL 12113467 A PL12113467 A PL 12113467A PL 58742 B1 PL58742 B1 PL 58742B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cds
- compounds
- chlorine
- cadmium
- photoconductive layers
- Prior art date
Links
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229940065285 cadmium compound Drugs 0.000 claims description 3
- 150000001662 cadmium compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 25.XL196» 58742 KI. 21 g, 29/01 MKP^H-flrf UKD Wspóltwórcy wynalazku: mgr Kazimierz Malinski, mgr Jan Poniatow¬ ski, mgr Szczepan Waczynski Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Elektroniki (Zaklad Doswiad¬ czalny Nr 2), Torun (Polska) Sposób wytwarzania warstw fotoprzewódzacych ze zwiazków kadmu Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw fotoprzewódzacych o duzej mocy ze zwiazków kadtmu poprzez dwustopniowa aktywa¬ cje siarczku kadmu zwiazkami miedzi i chloru w atmosferze powietrza.Siarczek kadmowy znalazl szerokie zastosowanie w produkcji fotooporników dzieki duzej czulosci, znacznej stabilnosci — malym efektom zmeczenio¬ wym i niskiej cenie.Stosowane sa równiez inne sposoby otrzymywa¬ nia warstw fotoprzewódzacych charakteryzujacych sie tym, ze ich obciazalnosc nie jest zbyt wielka, wzglednie jest stosunkowo duza ale kosztem po¬ gorszenia takich parametrów jak opornosc jasna Re lub opornosc ciemna R0.Jednak sposób otrzymywania tych warstw wyma¬ ga skomplikowanej aparatury, bowiem fotoprze- wodzaca postac CdS otrzymuje sie w procesie des¬ tylacji siarczku kadmowego zawierajacego aktywa¬ tory w atmosferze gazu inercyjnego i pod cisnie¬ niem 75 atmosfer. Powszechnie stosowany sposób otrzymywania polikrystalicznych warstw fotoprze¬ wódzacych polega na prasowaniu i spiekaniu zia¬ ren.Sposób ten polega na prasowaniu cienkich plytek z drobnych krysztalów aktywowanego CdS, a na¬ stepnie ich spiekaniu majacym za zadanie popra¬ we wlasciwosci fotoelektrycznych oraz mechanicz¬ nych. 15 20 25 Odmiennym sposobem jest nakladanie warstwy fotoczulej na plytce nieprzewodzacej ze szkla, kwar¬ cu lub ceramiki, badz przez osadzenie wodnej za¬ wiesiny CdS oraz zwiazków zawierajacych aktywa¬ tory lub naparowanie CdS w prózni.Dla poprawienia spoistosci warstwy stosowane sa równiez srodki wiazace dodawane do proszku CdS.Celem wynalazku jest uzyskanie technologicznie nieskomplikowanego procesu otrzymywania warstw fotoprzewódzacych o duzej obciazalnosci wykona¬ nych z CdS oraz sposób aktywacji CdS, w wyniku której nastepuje polepszenie wlasciwosci siarczku kadmowego jako materialu fotoprzewodzacego.Proces dwustopniowy aktywacji siarczku kadmu zwiazkami miedzi i chloru wedlug wynalazku po¬ lega na wygrzewaniu CdS z roztworem wodnym CUS04 • 5 H20 oraz OdC!l2 • %k H20 i NaCl w atmo¬ sferze powietrza i temperaturze 600'—800°C w cza¬ sie 1 godziny przy czym stezenie jonów miedzi wy-" nosi 4—6 • 10"4g/g CdS zas stezenie jonów chloru wprowadza sie w przeciwienstwie do innych sposo¬ bów aktywacji jednoczesnie z dwu zwiazków to jest z OdCl2 • 2V2 H20 oraz z NaCl w proporcji 1 :4 lub zblizonej i wynosi ono od 5 • 10_3g/g CdS do 2 • 10-2g/g CdS.Po aktywacji nastepuje proszkowanie produktu wygrzewania a nastepnie kilkakrotnie plukanie w wodzie destylowanej, suszenie oraz formowanie w zadane ksztaltki pod prasa. Otrzymane ksztaltki uczula sie nastepnie w atmosferze powietrza w tem- 5874258742 peraturze 480—530°C przez okres 10—40 minut. W otrzymywaniu warstw fotoprzewodzacych o duzej mocy istotne znaczenie ma równoczesne stosowa¬ nie przy aktywacji CdS zwiazków z których wpro¬ wadza jony chloru: Odd2 • 2Vs H20 i Niad. Akty¬ wowanie OdS chlorem z CdClg • 2V2H20 prowadzi do otrzymywania warstw fotoprzewodzacych o du¬ zej czulosci i dobrej stabilnosci.Obecnosc jonów chloru wprowadzonych do CdS z NaCl powoduje ze warstwy fotoprzewodzace po¬ siadaja duza, opornosc ciemna. Jednoczesnie sto¬ sowanie obu tych zwiazków przy aktywacji CdS laczy wszystkie te cechy oraz znacznie zwieksza obciazalnosc warstw.Ma to duze znaczenie przy projektowaniu urza¬ dzen elektronicznych, bowiem stosowanie w nich fotooporników z warstwa wykonana wedlug wy¬ nalazku nie wymaga zastosowania urzadzen wzma¬ cniajacych.Przyklad sposobu aktywacji przy otrzymywaniu warstw fotoprzewodzacych polega na tym, ze bar¬ dzo czysty siarczek kadmowy miesza sie z wod^ nymi roztworami zwiazków zawierajacych miedz i chlor, na przyklad: CUS04. 5H20 • 2V2H20 i NaCl w takiej ilosci aby stezenie jonów miedzi wynosilo okolo 5 • 10_4g/g CdS a stezenie jonów chloru wprowadzanego jed¬ noczesnie z CdiGL2 • 2V2H20 i NaCl w proporcji 1 :4 lub zblizonej wynosilo okolo 10~2 g/g CdS.Mieszanine te poddaje sie suszeniu w temperatu¬ rze okolo 80°C przez czas okolo 18 godzin w atmosferze powietrza.Wysuszony produkt wygrzewa sie w temperatu¬ rze okolo 650°C przez czas 1 godziny. Otrzymany spiek zostaje rozdrobniony do granulacji okolo 100—150^ lub mniejszej, przemyty w wodzie de¬ stylowanej w celu usuniecia zbednych niezwia- zanych domieszek i ponownie suszony w tempera¬ turze okolo 80°C przez czas okolo 18 godzin. Wy- 10 15 20 25 30 35 40 suszony proszek prasuje sie w ksztaltki zadanego formatu. Otrzymane plaskie ksztaltki uczula sie w temperaturze 520°C w czasie do 30 minut.W ten sposób otrzymane warstwy charakteryzu¬ ja sie duza obciazalnoscia, duza czuloscia w za¬ kresie wszystkich dlugosci swiatla widzialnego i bli¬ skiej podczerwieni.W celu praktycznego wykorzystania warstw na¬ klada, sie na nie metodami ogólnie znanymi, np. przez naparowanie w prózni elektrody metalowe np. indowe. Potem dolacza sie do nich wyprowadze¬ nia i obudowuje by zabezpieczyc przed szkodli¬ wym dzialaniem warunków atmosferycznych. Otrzy¬ mane warstwy fotoprzewodzace posiadaja nastepu¬ jace niektóre parametry elektryczne. iPrad jasny mierzony przy oswietleniu 11000 lx (Tb = 2854°K) i napieciu 5V wynosi 70 mA, prad ciemny mierzony przy napieciu 100 V nie przekra¬ cza 100/^A.Moc nominalna wynosi 1,2 W. Przez moc nomi¬ nalna rozumie sie punkt w którym nastepuje za¬ giecie charakterystyki pradowo napieciowej wyko¬ nanej w skali logarytmicznej. Wyzej opisany spo- spób wytwarzania warstw fotoprzewodzacych cha¬ rakteryzujacych sie duza moca moze byc równiez wykorzystany przy produkcji innego rodzaju urza¬ dzen elektronowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania warstw fotoprzewodzacych ze zwiazków kadmu poprzez dwustopniowa akty¬ wacje siarczku kadmu zwiazkami miedzi i chloru w atmosferze powietrza, znamienny tiym, ze jako zwiazki chloru stosuje sie lacznie CdCl2 • 21/2H20 i NaCl, przy czym stosunek ilosciowy jonów chloru wprowadzonych z obu tych zwiazków ma sie jak 1 :4. Dok onano Jednej poprawki ZG „Ruch" W-wa, zam. 992-69 nakl. 290 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL58742B1 true PL58742B1 (pl) | 1969-08-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Singhal et al. | Cu-doped ZnO nanoparticles: synthesis, structural and electrical properties | |
| Ralston et al. | Activation of zinc sulphide with CuII, CdII and PbII: I. Activation in weakly acidic media | |
| Xu et al. | Structural and optical properties of Zn-doped SnO2 films prepared by DC and RF magnetron co-sputtering | |
| Kavitha et al. | Enhanced acetone gas sensing behavior of n-ZnO/p-NiO nanostructures | |
| Khan et al. | Structural, dielectric and magnetic properties of (Al, Ni) co-doped ZnO nanoparticles | |
| US2985757A (en) | Photosensitive capacitor device and method of producing the same | |
| Bevan et al. | Electronic conductivity and surface equilibria of zinc oxide | |
| Mikhlin et al. | XPS and DFT studies of the electronic structures of AgAuS and Ag3AuS2 | |
| US2843914A (en) | Method of producing a photoconductive device | |
| GB782095A (en) | Improvements in or relating to electro-luminescent powders | |
| Darban et al. | Electrochemical study of orpiment (As2S3) dissolution in a NaOH solution | |
| GB588652A (en) | Electrical contact materials and contacts and methods of making the same | |
| PL58742B1 (pl) | ||
| Ambalagi et al. | Mechanism of DC conductivity measurement of zinc oxide doped polyaniline nanocomposites | |
| Chani et al. | Synthesis and pressure sensing properties of the pristine cobalt oxide nanopowder | |
| Pathinettam Padiyan et al. | X‐ray Determination of Lattice Constants of CdXSn1‐XSe Mixed Crystal Systems | |
| Faiz et al. | Rapid microwave assisted synthesis of Zn1− xInxO heterostructured nanotetrapods and their hydrogen sensing properties | |
| Ao et al. | Deposition and characterization of Sb and Cu doped nanocrystalline SnO2 thin films fabricated by the photochemical method | |
| US3222215A (en) | Method of producing a photoconductive layer | |
| Nobbs | The effect of water vapour on the photoconductivity of zinc oxide | |
| Iriqui Razcón et al. | Novel ZnO: Li phosphors for electronics and dosimetry applications | |
| US3284235A (en) | Method of manufacturing photoconductive layers | |
| Priya et al. | Novel synthesis and characterisation of CdS nanoparticles | |
| GB956471A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| Guimarães et al. | Optical properties of colloids formed in copper–tin sulfate solution containing Rhodamine B |