PL58316B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58316B1
PL58316B1 PL122452A PL12245267A PL58316B1 PL 58316 B1 PL58316 B1 PL 58316B1 PL 122452 A PL122452 A PL 122452A PL 12245267 A PL12245267 A PL 12245267A PL 58316 B1 PL58316 B1 PL 58316B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
collector
transistors
discriminator
signals
Prior art date
Application number
PL122452A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Bohdan Wojtowicz mgr
inz. MarianJozanis mgr
Original Assignee
Instytut Maszyn Matematycznych
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Maszyn Matematycznych filed Critical Instytut Maszyn Matematycznych
Publication of PL58316B1 publication Critical patent/PL58316B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: 05.IX.1967 fP 122 452) Opublikowano: 30.X.1969 58316 KI. 42 m3,13/08 MKP G 06 f fó\0$ CZYU:UVsA Polskiej Bzecr»i6J621,3 Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Bohdan Wojtowicz, mgr inz. Marian Jozanis Wlasciciel patentu: Instytut Maszyn Matematycznych, Warszawa (Pobfca) Uklad tranzystorowy do wzmacniania i dyskryminowania sygnalów róznicowych, stosowany w ukladach cyfrowych, a zwlaszcza do odczytu informacji z pamieci ferrytowej Przedmiotem wynalazku jest uklad tranzystoro¬ wy do wzmacniania i dyskryminowania sygnalów róznicowych dowolnej polarnosci, stosowany w urzadzeniach cyfrowych, a zwlaszcza do odczytu informacji z pamieci ferrytowej i umozliwiajacy wyróznienie sygnalów uzytecznych pojawiajacych sie lacznie z sygnalami synfazowymi, których am¬ plituda wielokrotnie przewyzsza amplitude sygna¬ lu uzytecznego.Problem odrózniania sygnalów o amplitudzie wiekszej od pewnej zalozonej i okreslonej wartos¬ ci, wystepuje w wielu zastosowaniach techniki im¬ pulsowej. Ze wzgledu na znane trudnosci w dys¬ kryminowaniu sygnalów o malej amplitudzie na okreslonym i stabilnym w czasie poziomie, sygnaly te sa zwykle wzmacniane i dopiero po wzmocnie¬ niu dyskryminowane.W znanych i stosowanych ukladach, niestabil¬ nosc progów dyskryminacji wymagala znacznego wzmacniania sygnalu, co powodowalo koniecz¬ nosc rozbudowy wzmacniaczy, zwiekszalo koszty ich wytwarzania i obnizalo niezawodnosc. Zagadnie¬ nie okazalo sie jeszcze trudniejsze, gdy wymaga¬ nia dotyczyly dyskryminowania sygnalów obydwu polarnosci o. tej samej amlitudzie. W takich przy¬ padkach stosowano zwykle uklady prostujace, wspólpracujace z jednym dyskryminatorem, badz dwa niezalezne uklady dyskryminacji.W zastosowaniach, na przyklad przy odczytywa¬ niu informacji z pamieci ferrytowej, sygnal uzy- 15 20 25 30 teczny, który wymaga dyskryminowania, moze po¬ jawic sie tylko w okreslonych i znanych momen¬ tach w czasie. Bywaja równiez i takie zastoso¬ wania, w których sygnal uzyteczny zmienia sie bardzo wolno i wtedy wystarcza badac jego am¬ plitude w okreslonych odstepach czasu. W oby¬ dwu wspomnianych przypadkach, gdy ilosc zródel sygnalu jest dostatecznie duza, czesc urzadzen jest wspólna, a dotyczy to w szczególnosci stopnia dys¬ kryminujacego sygnal orar koncowego wzmac¬ niacza.Nie spotkano natomiast w ogólnodostepnej lite¬ raturze ukladów wspólpracujacych z pamiecia fer¬ rytowa i sluzacych do odczytu informacji z takich pamieci, w których rozwiazanie dyskryminatora byloby oparte na wzmacnianiu róznicowym z pet¬ la dodatniego sprzezenia zwrotnego, co w przypad¬ ku dyskryminowania sygnalów z kilku zródel umozliwia wprowadzenie jednej petli sprzezenia zwrotnego, a sam dyskryminator oprócz funkcji dyskryminowania pelnilby funkcje ukladu prostu¬ jacego.Celem wynalazku jest zatem usuniecie niedo¬ godnosci wystepujacych w znanych i stosowanych dotychczas ukladach dyskryminowania przy wspól¬ pracy ze wzmacniaczami odczytu informacji z pa¬ mieci ferrytowej.Cel ten zostal osiagniety dzieki temu, ze uklad tranzystorowego dyskryminatora sygnalów rózni¬ cowych zbudowany jest z dwóch tranzystorów, 5831658316 emitery tych tranzystorów sa polaczone i podlaczo¬ ne przez opornik do okreslonego potencjalu, kolek¬ tor jednego z nich jest polaczony z baza drugiego przez pojemnosc, a zródlo sygnalów podlegajacych dyskryminacji wlaczone jest pomiedzy toazy tych tranzystorów.Zaleta ukladu wedlug wynalazku jest przede wszystkim to, ze dzieki stabilnemu i ostremu pro¬ gowi dyskryminacji mozna obnizyc wymagane wzmocnienie sygnalu, zachowujac dobra rozróz- ntalnosc sygnalów o malej róznicy amplitud, a przy odpowiednim sterowaniu dyskryminatora z wyjscia wzmacniacza róznicowego, uczynic próg dyskryminacji, mimo polaczen stalopradowych, niezaleznym od napiecia zasilajacego kolektory wzmacniacza sterujacego dyskryminator.Uklad stanowiacy przedmiot niniejszego wyna¬ lazku zostanie blizej wyjasniony na przykladzie jego wykorzystania przedstawionym na rysunku.Jest to uklad skladajacy sie ze wzmacniacza róznicowego 1, ukladu sterowania dyskryminato¬ ra 2, oraz dyskryminatora 3, przy czym uklad ten moze byc wykonany w wersji rozbudowanej przez dolaczenie stopnia koncowego 5 oraz poprzedzony przedwzmacniaczami 4. Stopnie wzmacniacza 1 i 4 sa dowolnymi znanymi wzmacniaczami róznico¬ wymi, posiadajacymi co najmniej dwa wejscia i dwa wyjscia. Stopien 2 lacznie ze wzmacniaczem 1 stanowi uklad sterowania dyskryminatora. Glów¬ na funkcja tego ukladu jesit wytworzenie sygna¬ lów róznicowych pojawiajacych sie na tle sygnalu okreslajacego próg dyskryminacji dyskryminatora 3, a zaleznego m. in. od sumy pradów wyjscio¬ wych wzmacniacza 1.Dzialanie ukladu przy dyskryminacji sygnalu o jednej polarnosci jest nastepujace. W stanie spo¬ czynkowym, za który przyjmuje sie przewodzenie tranzystorowe 12 i zerowa wartosc pradu w ga¬ lezi 14 petli dodatniego sprzezenia zwrotnego, na¬ piecie na bazie tranzystora 12 jest bardziej do- . datnie od napiecia na bazie tranzystora 11, Na¬ piecie pomiedzy bazami tych tranzystorów, przy zerowej róznicy pradów kolektorów tranzystorów ~wzmacniacza 1, okresla w przyblizeniu próg dys¬ kryminacji. Wielkosc progu dyskryminacji zalezy od rozplywu sumy pradów kolektorów wzmac¬ niacza 1 pomiedzy galeziami 6, 7, 8, 9 i 10 ukladu - mostkowego. Wymienione galezie ukladu mostko¬ wego moga zawierac zródla napieciowe i musza umozliwiac przeplyw pradu stalego.Jezeli prad kolektora tranzystora 22 wzmacnia¬ cza 1 zaczyna malec, napiecie na elemencie 9, którym moze byc np. opornik, dioda — maleje.Przy dostatecznie malej wartosci napiecia na ele¬ mencie 9, wzmacniacz róznicowy zlozony m. in. z tranzystorów 12 i 11 zacznie wzmacniac, a dzie¬ ki petli dodatniego sprzezenia zwrotnego, do któ¬ rej wchodza m. in. elementy 14 i 18, tranzystor 12 zostaje odciety. Jezeli sygnal, który spowodowal odciecie tranzystora 12 bedzie dostatecznie duzy i trwac bedzie dostatecznie dlugo, stan przewo¬ dzenia tranzystora 11 i odciecia tranzystora 12 bedzie utrzymany.Taki rezim mozna uwazac za drugi stan pracy dyskryminatora. Jezeli napiecie na elemencie D bedzie bliskie zeru przez dostatecznie dlugi okres czasu, tranzystory 11 i 12 beda przewodzic na- przemian, tzn. na wyjsciu dyskryminatora bedzie ciag impulsów o czasie trwania i okresie powta- 5 rzania zaleznym od elementów wystepujacych w ukladzie. Jest to jakby trzeci rezim pracy dyskry¬ minatora.W przypadku, gdy zachodzi koniecznosc dys¬ kryminowania sygnalów obydwu polarnosci, dys- io kryminator dla sygnalów jednej polarnosci jest utworzony z tranzystorów 13 i 12, a dla drugiej polarnosci z tranzystorów 13 i 12. W ostatnim przypadku dyskryminowane beda takie sygnaly, którym odpowiada dostatecznie mala wartosc pra¬ du kolektora tranzystora 23 wzmacniacza 1.Petla dodatniego sprzezenia zwrotnego moze byc wspólna, poniewaz kolektory tranzystorów 11 i 13, przy braku koniecznosci rozrózniania znaku sygna¬ lu, moga byc zwarte.Za sygnal wyjsciowy z dyskryminatora mozna uwazac badz sygnal na elemencie 15, badz na ele¬ mencie 17. W przypadku gdy wymaga sie wiek¬ szej obciazalnosci pradowej dla sygnalu wyjscio¬ wego, mozna podlaczyc stopien koncowy 5, zbudo¬ wany na tranzystorze 20 i diodzie 19. Dioda 19 ogranicza-zmiany napiecia na bazie tranzystora 20 oraz przy odpowiednim doborze innych elementów ukladu, zabezpiecza tranzystor 12 przed nasyca¬ niem sie. Element 21 stanowi 0'bciazenie dla sygna¬ lów wyjsciowych. 15 30 PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad tranzystorowy do wzmacniania i dys¬ kryminowania sygnalów róznicowych, stosowany 35 w urzadzeniach cyfrowych, a zwlaszcza do odczytu informacji z pamieci ferrytowej, umozliwiajacy rozróznienie sygnalów o malej róznicy amplitud, znamienny tym, ze zbudowany jest z dwóch tran¬ zystorów, których emitery sa polaczone ze soba 40 i podlaczone przez opornik do okreslonego poten¬ cjalu, przy czym kolektor jednego z tych tranzy¬ storów jest polaczony z baza drugiego przez po¬ jemnosc, a ze zródlem napiecia zasilajacego przez dwójnik umozliwiajacy przeplyw pradu stalego, 45 zas zródlo sygnalów róznicowych podlegajacych dyskryminacji jest wlaczone pomiedzy bazy wy¬ mienionych tranzystorów.
  2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze ma dolaczony dodatkowy tranzystor, którego emi- 50 ter i kolektor polaczone sa z emiterem i kolekto¬ rem tego tranzystora, do kolektora którego do¬ laczona jest pojemnosc, zas drugie zródlo sygna¬ lów podlegajacych dyskryminacji jest wlaczone po¬ miedzy bazy tranzystora dolaczonego i tego tran- 55 zystora, do bazy którego dolaczona jest pojem¬ nosc.
  3. 3. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze baza jednego z tranzystorów dyskryminatora, do 60 której nie jest dolaczona pojemnosc, polaczona jest z kolektorem jednego tranzystora wzmacniacza róz¬ nicowego, a fcaza drugiego tranzystora dyskrymina¬ tora, do której nie jest dolaczona pojemnosc, pola¬ czona jest z kolektorem drugiego tranzystora wy- 65 mienionego wzmacniacza róznicowego, pomiedzy58316 bazy wymienionych tranzystorów dyskryminatora wlaczony jest uklad mostkowy o czterech galeziach, w którym do konców jednej przekatnej podlaczone sa kolektory wzmacniacza róznicowego, a pomiedzy konce drugiej przekatnej wlaczona jest galaz do¬ datkowa, przy czym do jednego z konców tej prze- 6 katnej podlaczony jest dowolny potencjal, a do drugiego baza tego tranzystora dyskryminatora, do której dolaczona jest pojemnosc, zas wszystkie galezie ukladu mostkowego, lacznie z galezia do¬ datkowa, sa dwójnikami umozliwiajacymi przeplyw pradu stalego. PL
PL122452A 1967-09-05 PL58316B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58316B1 true PL58316B1 (pl) 1969-08-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4338646A (en) Current limiting circuit
KR950010129B1 (ko) 전원 조절 회전 장치
US6590456B2 (en) Active cascode amplifier with an amplitude limiter
US3073968A (en) Peak detector with dual feedback automatic gain adjusting means
US3815037A (en) Current translating circuits
US3215854A (en) Difference amplifier including delay means and two-state device such as tunnel diode
US2943267A (en) Series-energized transistor amplifier
PL58316B1 (pl)
US3315089A (en) Sense amplifier
KR960035629A (ko) 반도체 메모리장치의 감지증폭기회로
US3541466A (en) Gated differential amplifier
US4709216A (en) Operational amplifier with passive current limiting
CA1131718A (en) Am detecting circuit
US3432688A (en) Sense amplifier for memory system
US4477846A (en) Sensitive amplifier having a high voltage switch
US3444473A (en) Fast recovery read amplifier
WO1995034129A1 (en) Rail-to-rail gain stage of an amplifier
US2898578A (en) Magnetic reading apparatus
GB1289705A (pl)
US3406351A (en) Transformerless push-pull transistor amplifier
US3636527A (en) Storage circuit
US3181004A (en) Binary memory device employing flipflop that is controlled by in-phase drivers
US3614466A (en) Fail-safe level detector with 50{13 50 duty cycle
US3482176A (en) Memory sense amplifier
US3436565A (en) Nondestructive read out tunnel diode memory element