PL58067B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58067B1
PL58067B1 PL125332A PL12533268A PL58067B1 PL 58067 B1 PL58067 B1 PL 58067B1 PL 125332 A PL125332 A PL 125332A PL 12533268 A PL12533268 A PL 12533268A PL 58067 B1 PL58067 B1 PL 58067B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
diode
input
pulses
decade
Prior art date
Application number
PL125332A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Wysocki inz
Bogdan Glebocki inz.
Original Assignee
Zaklady Radiowe Im Marcina Kasprzaka
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklady Radiowe Im Marcina Kasprzaka filed Critical Zaklady Radiowe Im Marcina Kasprzaka
Publication of PL58067B1 publication Critical patent/PL58067B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 19.11.1968 (P 125 332) 3l.I.1970 58067 KI. 21 a1, 36/00 MKP H 03 k ZJ/zZ_ UKD Wspóltwórcy wynalazku: inz Jan Wysocki, inz. Bogdan Glebocki Wlasciciel patentu: Zaklady Radiowe im. Marcina Kasprzaka (Zaklad Doswiadczalny Aparatury Elektronicznej), Warsza¬ wa (Polska) Uklad do przetwarzania impulsów prostokatnych na standartowe impulsy szpilkowe zwlaszcza w ukladach sterujacych dekadami liczacymi Przedmiotem wynalazku jest uklad do przetwa¬ rzania impulsów prostokatnych na standartowe impulsy szpilkowe. Uklad znajdzie zastosowanie w ukladach sterujacych dekadami liczacymi.W znanych ukladach dekady zliczajace stero¬ wane sa z przerzutnika Scbmitfa, formujacego przebiegi prostokatne z napiecia sinusoidalnego.Rozwiazania ida w kierunku zmniejszenia czasu na¬ rastania impulsu sterujacego dekady przez zasto¬ sowanie wtórników lub diod tunelowych. Uformo¬ wane w ten sosób impulsy prostokatne maja; zmniejszone czasy przelaczen. Zmniejszenie sta¬ lych czasu na wejsciu dekady jest mozliwe tylko do pewnej granicy z uwagi na pojemnosci rozpro¬ szenia i techniczne mozliwosci. Przekroczenie tej granicy zmniejsza czulosc dekady uniemozliwiajac jej prawidlowa prace. Stosowanie natomiast opty¬ malnych stalych czasu na wejsciu ukladu zmniej¬ sza górna czestotliwosc pracy dekady, z uwagi na zjawisko detekcji na wejsciu.Celem wynalazku jest iskrócenie czasu rozla¬ dowania pojemnosci sprzegajacych i zwiekszenie granicznej czestotliwosci dekady zliczajacej, zas zadaniem wynalazku jest opracowanie odpowied¬ niego ukladu elektrycznego dla osiagniecia tego celu.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie ukladu do przetwarzania impulsów prostokat¬ nych na standartowe impulsy szpilkowe tym zna¬ miennego, ze równolegle do wejscia wlaczona 10 15 20 25 30 bramkujaca diode, z która szeregowo polaczony jest znany wtórnik emiterowy na tranzystorze, oraz wlaczony (równolegle do wejscia poprzez detekcyjna diode, znany wzmacniacz na tranzys¬ torze w ukladzie wspólnego emitera, przy czym czas przelaczania diody bramkujacej jest dluz¬ szy, niz pozostalych elementów pólprzewodniko¬ wych ukladu.Wynalazek zostanie blizej objasniony w przy¬ kladzie wykonania przedstawionym na rysunku.Dioda bramkujaca Dl wlaczona jest za sprzega¬ jacym kondensatorem C równolegle do wejscia ukladu We, do którego doprowadzane sa impulsy prostokatne, na przyklad z przerzutnika Schmitfa.Z katoda diody Dl polaczony jest poprzez opor¬ nik oibciazenia Rl emiter tranzystora Tl, pracu¬ jacego w ukladzie wtórnika emiterowego. Emiter polaczony jest z zaciskiem wyjsciowym Wy. Rów¬ niez z katoda diody Dl polaczona jest anoda diody detekcyjnej D2, której katoda jest polaczona z ba¬ za tranzystora T2, którego emiter polaczony jest z masa. Kolektor tranzystora Tl dolaczony jest do ujemnego bieguna napiecia pracy —Ul. Kolektor tranzystora T2 polaczony jest z baza tranzystora Tl oraz poprzez opornik R2 z ujemnymi biegunem napiecia pracy —Ul. Dzielnik napiecia stanowia polaczone szeregowo oporniki: R3, R4 i R5. Do opornika R3 dolaczone jest napiecie pracy —Ul, zas do opornika R5 dodatnie napiecie zatykajace +U2. Jako diody zabezpieczajace bazy tranzysto- 5806758067 3 rów przed dodatnimi ladunkami wlaczone sa diody D3 i D4, zas dioda D5 dolaczona jest do dzielnika oporowego i zabezpiecza tranzystor T2 przed nasy¬ ceniem.Czas przelaczania diody bramkujacej Dl jest dluzszy niz czas przelaczania tanzystora Tl.Dzialanie ukladu wedlug wynalazku jest naste¬ pujace.W stanie statycznym tranzystor T2 przewodzi, przy czym dioda D5 utrzymuje na jego kolektorze niewielkie napiecie ujemne, wprowadzajace tran¬ zystor Tl w stan lekkiego przewodzenia tak, aby dioda Dl spolaryzowana byla w kierunku przewo¬ dzenia.Impuls podany na wejscie blokuje swym dodat¬ nim zboczem tranzystor T2 na czas ladowania kondensatora C poprzez diody D2 i D4 oraz do¬ datkowo poprzez opornik Rl i tranzystor Tl, co nastepuje dzieki temu, ze czas przelaczania diody Dl na kierunek zaporowy jest dluzszy od czasu przelaczania pozostalych elementów pólprzewodni¬ kowych ukladu.Po naladowaniu kondensatora C tranzystor T2 powraca do stanu pierwotnego. Powrót tranzysto¬ ra T2 do stanu przewodzenia jest przyspieszony szybkim przelaczeniem diody D2 oraz wolnym 15 20 25 przelaczeniem diody Dl na kierunek przewodzenia.Na wyjsciu ukladu wysylany jest impuls szpil¬ kowy, którego szerokosc wyznacza istala czasu rozladowania kondensatora C poprzez opornosc przewodzenia diod D2, D3 i opornik Rl oraz suma¬ ryczne opóznienie przelaczania tranzystorów Tf i T2.Zastosowanie standartowych impulsów szpilko¬ wych zwieksza graniczna czestotliwosc pracy de¬ kady liczacej co najmniej dwukrotnie, pozwala na zwiekszenie czulosci dekady i umozliwia stosowa¬ nie wiekszych istalych czasu na wejsciu. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad do przetwarzania impulsów prostkatnych na standartowe impulsy szpilkowe zwlaszcza w ukladach sterujacych dekadami liczacymi, zna¬ mienny tym, ze równolegle do wejscia ma wlaczo¬ na bramkujaca diode (Dl), z która jest szeregowo polaczony znany wtórnik eimiterowy na tranzysto¬ rze (Tl), oraz wlaczony równolegle do wejscia, po¬ przez detekcyjna diode (D2), znany wzmacniacz na tranzystorze (T2), w ukladzie wspólnego emitera, przy czym czas przelaczenia diody bramkujacej (Dl) jest dluzszy niz pozostalych elementów pól¬ przewodnikowych ukladu. JUlo We i - • d " 0" 1 ^ 0 D3 W L L li II c f D2 r w\ ADt ! \i TD4 D5 w\ \ 12 ~\ S) \ 1 o |/?3 L lR4 - F nr +U2 LZGraf. Zam. 2050. 27.Y.69. 250 PL
PL125332A 1968-02-19 PL58067B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58067B1 true PL58067B1 (pl) 1969-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2787712A (en) Transistor multivibrator circuits
US4028556A (en) High-speed, low consumption integrated logic circuit
US2885574A (en) High speed complementing flip flop
US3328602A (en) Electrical pulse width discriminators
US2939967A (en) Bistable semiconductor circuit
US3406346A (en) Shift register system
US2965767A (en) Input circuits and matrices employing zener diodes as voltage breakdown gating elements
PL58067B1 (pl)
US2880317A (en) Electrical impulse responsive network
KR870002662A (ko) 반도체장치
US3599018A (en) Fet flip-flop circuit with diode feedback path
GB961845A (en) Improvements in or relating to counting devices
US3239695A (en) Semiconductor triggers
GB990682A (en) Bistable trigger circuit
GB1140667A (en) Electronic circuit
US3311754A (en) Transistorized high speed bistable multivibrator for digital counter bit
GB1305730A (pl)
GB1403249A (en) High-voltage electric switching circuits
US3453448A (en) Threshold detector employing a shunt connected tunnel diode
US3619667A (en) Bistable multivibrator
US3341717A (en) Binary circuit
US3376430A (en) High speed tunnel diode counter
US2883562A (en) Circuit for producing timing control signals
SU486461A1 (ru) Формирователь импульсов
US3056042A (en) Diode-inductor coupling for cascaded transistor stages