PL57184B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL57184B1
PL57184B1 PL117029A PL11702966A PL57184B1 PL 57184 B1 PL57184 B1 PL 57184B1 PL 117029 A PL117029 A PL 117029A PL 11702966 A PL11702966 A PL 11702966A PL 57184 B1 PL57184 B1 PL 57184B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
tungsten
gold
silver
soldering
semiconductor
Prior art date
Application number
PL117029A
Other languages
English (en)
Inventor
Renelle Andre
Original Assignee
Compagnie Generale D'electricite
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie Generale D'electricite filed Critical Compagnie Generale D'electricite
Publication of PL57184B1 publication Critical patent/PL57184B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: 25.X.1965 Francja Opublikowano: 31.111.1969 57184 KI. 21 g, 11/02 i ! i MKP H 01 1 UH ov.t| s!i"c i^^nj Lutowi Twórca wynalazku: Andre Renelle Wlasciciel patentu: Compagnie Generale d'Electricite, Paryz (Francja) Sposób lutowania elementu wolframowego zawierajacego zloto lub srebro na innym elemencie metalowym lub pólprzewodnikowym Przedmiotem wynalazku jest sposób lutowania elementu wolframowego zawierajacego metale np. zloto lub srebro, przynajmniej na innym elemencie metalowym lub materiale pólprzewodnikowym.Znane jest, ze przyrzady pólprzewodnikowe grzeja sie na skutek zjawiska Joule'a w czasie ich pracy i z tego powodu dla przyrzadów znacz¬ nej mocy, nalezy odpowiednio odprowadzic wy¬ dzielone cieplo. Na ogól cieplo odprowadza sie z przyrzadu pólprzewodnikowego przy pomocy stop¬ ki metalowej przylutowanej do przyrzadu, przy czym stopka sluzy jednoczesnie jako elektroda do¬ prowadzajaca prad. Najczesciej stopka wykonana jest z miedzi, z uwagi na dobre jej wlasciwosci cieplne i elektryczne. Jednak jezeli przyrzad pól¬ przewodnikowy osiaga stosunkowo duze wymiary, najkorzystniej nie lutuje sie go do stopki, lecz miedzy stopka a przyrzadem umieszcza sie ele¬ ment z metalu ogniotrwalego, lub przeciwelek- trode, np. z wolframu lub molibdenu.Z uwagi na korzystne wspólczynniki rozszerzal¬ nosci cieplnej tych metali posredniczacych, miedzy miedzia a materialem pólprzewodnikowym przy¬ rzadu, uzyskuje sie zlagodzone naprezenia mecha¬ niczne, którym poddany jest przyrzad w czasie pracy,* w porównaniu do bezposredniego lutowa¬ nia pólprzewodnika do stopki. Znany sposób za¬ pewnia uzyskanie przyrzadów pólprzewodniko¬ wych posiadajacych bardzo dobre wlasnosci me- 15 30 chaniczne, zwlaszcza jezeli sie stosuje równoczes¬ nie twarde lutowanie przyrzadu do stopki.Przy wykorzystaniu przeciwelektrod z molibde¬ nu, mozna dokonac lutowania materialu pólprze¬ wodnikowego do molibdenu, stosujac metal, np. zloto, który laczy sie w wysokiej temperaturze z molibdenem.Znany jest sposób lutowania zlotem molibdenu z krzemem. Natomiast w przykladzie przeciwelek¬ trod wolframowych metale jak zloto lub srebro, na ogól stosowane do lutowania materialu pólprze¬ wodnikowego, nie tworza stopu z wolframem. Jed¬ nak mozna uzyskac mieszanine zloto-wolfram, lub srebro-wolfram wedlug znanego sposobu np. w metalurgii proszków. W przykladzie tym uzyskuje sie mieszanine krysztalów zlota lub srebra z wol¬ framem. Przeciwelektrody srebro-wolfram lub zlo¬ to-wolfram posiadaja szczególnie korzystne wlas¬ ciwosci mechaniczne i elektryczne dla wykonania przyrzadów pólprzewodnikowych duzych mocy.Jednak stosunek ilosci srebra lub zlota do wol¬ framu jest na ogól maly, tak ze lutowanie tycl przeciwelektrod z materialem pólprzewodnikowym, lub z metalem stopki przy uzyciu folii zlota lub srebra, lub folii zawierajacej oba te metale nie daje dobrego polaczenia lutowanego.Celem wynalazku jest usuniecie tych wad i opracowanie sposobu, za pomoca którego mozna lutowac element wolframowy zawierajacy zloto lub srebro, na innym elemencie z metalu lub z 571843 pólprzewodnika. Sposób lutowania wedlug wyna¬ lazku ma zastosowanie w przyrzadach pólprze¬ wodnikowych duzych mocy.Zgodnie z wynalazkiem osiaga sie to w ten spo¬ sób, ze element wolframowy zawierajacy zloto lub srebro podgrzewa sie do temperatury topnienia zlota lub srebra, tak aby stalo sie ono plynne, w celu uzyskania na drodze ograniczonego wypaca- nia, warstwy zlota lub srebra na calej powierzchni wyzej wymienionego elementu, przy czym proces dokonuje sie w atmosferze kontrolowanej reduku¬ jacej lub nie.* Mozna równiez umieszczac pomiedzy elementem wolframowym a drugim elementem folie metalo¬ wa, po czym caly zespól grzeje sie do temperatu¬ ry niezbednej dla uzyskania istopu miedzy zlotem lub srebrem zawartym w elemencie wolframowym a tym drugim elementem. Najkorzystniej folia me¬ talowa moze byc z tego samego metalu co metal zawarty w elemencie wolframowym lub stanowic moze stop zawierajacy ten metal. Folia ta moze byc ewentualnie uszlachetniona pierwiastkiem III lub V grupy ukladu okresowego. W przypadku gdy drugi element jest z materialu pólprzewod¬ nikowego, zapobiega sie tworzeniu w nim warstwy zaporowej — a zatem tworzy sie zlacze p—n w wyzej wymienionym materiale w zaleznosci od wyboru pierwiastka uszlachetniajacego.Mozna jednak nie umieszczac tej folii miedzy elementami w przypadku, gdy stosunek ilosci zlota lub srebra zawartego w wolframie jest dostatecz¬ nie duzy w stosunku do czasu trwania procesu, w celu uzyskania wypacania warstwy zlota lub srebra dostatecznie grubej na powierzchni ele¬ mentu wolframowego.W przypadku zastosowania sposobu wedlug wy¬ nalazku do lutowania elementu pólprzewodniko¬ wego, mozna lutowac element jedna plaszczyzna do elementu wolframowego a druga plaszczyzna do stopki. Spoine druga mozna dokonac przed lub po utworzeniu pierwszej. 4 Wedlug wynalazku mozna ksztaltki elementów lub przeciwelektrod wolframowych lutowac na jednym elemencie pólprzewodnikowym.Przyrzad pólprzewodnikowy do lutowania moze 5 byc jakikolwiek, na przyklad dioda prostownicza, tyrystor lub tyratron staly lub tez przyrzad sy¬ metryczny. PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL
PL117029A 1966-10-22 PL57184B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL57184B1 true PL57184B1 (pl) 1969-02-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Seitz Influence of plastic flow on the electrical and photographic properties of the alkali halide crystals
Morris A history of the world semiconductor industry
FR1478918A (fr) Procédés de soudage
GB848039A (en) Improvements in or relating to semiconductor devices
GB1159979A (en) Improvements in and relating to Methods of Electrically Connecting Objects
GB1089878A (en) Method of connecting electrical devices to printed wiring
US3294951A (en) Micro-soldering
GB991267A (en) Hermetically sealed semiconductor devices
CN107546131A (zh) 一种用于封装电子组件的金属外壳的制作方法
US2953693A (en) Semiconductor diode
JPS5568661A (en) Structure for mounting power transistor
US2733390A (en) scanlon
PL57184B1 (pl)
US3537174A (en) Process for forming tungsten barrier electrical connection
US3001895A (en) Semiconductor devices and method of making same
US2817609A (en) Alkali metal alloy agents for autofluxing in junction forming
GB1198884A (en) Silicon Semiconductor with Metal-Silicide Heterojunction
US3065534A (en) Method of joining a semiconductor to a conductor
US2931960A (en) Electric semiconductor p-nu junction devices and method of producing them
US3186879A (en) Semiconductor devices utilizing cadmium alloy regions
US3294895A (en) Semiconductor device with flexible lead connection
US2823148A (en) Method for removing portions of semiconductor device electrodes
JP2015065313A (ja) 回路基板および電子装置
US3005735A (en) Method of fabricating semiconductor devices comprising cadmium-containing contacts
US3063876A (en) Preparation of junctions in silicon carbide members