, Frankfurt n/Odra (Niemiecka* Republika Demokratyczna) Uklad logiczny na elementach pólprzewodnikowych do wykonywania róznych funkcji Wynalazek dotyczy ukladu logicznego na ele¬ mentach pólprzewodnikowych, przy pomocy któ¬ rego mozna realizowac funkcje logiczne „i—nie" oraz „nie". Funkcje logiczna „lub" mozna otrzymac przez polaczenie kilku takich ukladów.Uklady logiczne do spelniania takich funkcji sa znane. Mimo ze stosuje sie w tych ukladach ele¬ menty czynne o wielkiej czestotliwosci granicznej, to jednak ich predkosc laczenia jest jeszcze za mala dla wspólczesnych wymagan. Uklady takie sa równiez kosztowne, gdyz wymagaja licznych zlacz pn o osobnych napieciach wstepnych, co komplikuje technologie wytwarzania. Wynika to z duzej liczby elementów konstrukcyjnych i wy¬ maganej stad wielkiej liczby polaczen elektrycz¬ nych oraz ich wspólzaleznosci. .Zadaniem wynalazku jest podanie ukladu, w którym przy mniejszym nakladzie srodków i przy uzyciu mniejszej liczby zlacz pn otrzymuje sie lepsze wyniki w postaci wiekszych predkosci laczenia, przy czym nie sa wymagane osobne na¬ piecia wstepne.Dla osiagniecia tego celu w znanym ukladzie ne- gacyjnym w którym do bazy tranzystora jest przy¬ laczona jedna lub kilka diod w zaleznosci od liczby pozadanych wejsc i diody te maja tak usta¬ wione bieguny, ze przedstawiaja bardzo duza opornosc dla przylozonego napiecia wejsciowego sygnalu a bardzo mala opornosc gdy na wejsciach nie ma wcale sygnalu lub gdy przylozony poten- 10 25 20 cjal jest prawie równy potencjalowi ziemi, wedlug wynalazku stosuje sie diody wykonane z materialu pólprzewodnikowego, który ma mniejsza szerokosc pasma niz material diody emiterowej tranzystora, a punkt pracy tranzystora reguluje sie za pomo¬ ca elementów oporowych tak aby byl polozony na samej granicy nasycenia. Material diody emi¬ terowej tranzystora powinien miec wieksza sze¬ rokosc pasma niz material diod wejsciowych czyli charakterystyki diod powinny wykazywac znacz¬ nie wczesniej zalamanie na wieksze prady, anizeli charakterystyki diody emiterowej tranzystora a wiec np. moze byc dioda wejsciowa z Ge tran¬ zystora z Si lub odpowiednia dioda wejsciowa z Si a tranzystor z Ga As.W ten sposób osiaga sie niezawodne zatkanie tranzystora, gdy na jednym lub kilku wejsciach nie ma sygnalu lub panuje potencjal ziemi, gdyz opór diody wejsciowej jest mniejszy niz opór wej¬ sciowy tranzystora.W ukladzie wedlug wynalazku w obwodzie sa niepotrzebne oddzielne napiecia dla elementów konstrukcyjnych, przy czym jako napiecie robo¬ cze wystarcza napiecia bardzo niskie. W szczegól¬ nosci przy pomocy takiego ukladu osiaga sie bar¬ dzo szybkie dzialanie przelaczania.Dzieki wynalazkowi uzyskuje sie funkcje lo¬ giczne przy pomocy mniejszej liczby elementów pólprzewodnikowych lub zlacz pn. Obwód taki nadaje sie bardzo dobrze do wykonania zwartej 5572055720 3 budowy na jednej plytce pólprzewodnikowej. Wie¬ ksza szybkosc laczenia poprawia sprawnosc urza¬ dzen wyposazonych w takie logiczne obwody pól¬ przewodnikowe i rozszerza zakres zastosowania ukladów logicznych.Na rysunku przedstawiono przyklad ukladu we¬ dlug wynalazku. Wejscia 1, 2, 3 dla sygnalu wej¬ sciowego prowadza przez diody 4, 5 i 6 na baze 13 tranzystora 8. Tranzystor 8 pracuje w ukladzie emiterowym. Za pomoca nastawnych oporowych elementów 7 i 9 prowadzacych od punktu 10 na¬ piecia na baze 13 lub na kolektor 14 mozna usta¬ wic punkt pracy tranzystora na samej granicy na¬ sycenia.Gdy na wejscia 1, 2 i 3 podany jest sygnal to diody 4, 5 i 6 przedstawiaja bardzo duza opornosc a bez nich tranzystor 8 przewodzi. Gdy punkt pra¬ cy tranzystora 8 zostanie przesuniety do granicy nasycenia, na wyjsciu 11 nie bedzie zadnego sy¬ gnalu. Jezeli na wszystkich wejsciach lub tylko na jednym z wejsc nie ma zadnego sygnalu, to wej¬ scie ma prawie potencjal ziemi 12. Wobec tego po¬ miedzy baza 13 i emiterem 15 tranzystora 8 nie ma wcale napiecia lub tez jest bardzo male i w tym specjalnym przypadku powstaje napiecie ujemne, co powoduje, ze tranzystor 8 jest zatkany. Na wy}- * .-:¦:¦¦ sciu 11 wystepuje wtedy sygnal (lub napiecie) o wielkosci odpowiadajacej napieciu przylozonemu do punktu 10 ukladu. PL