PL54502B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL54502B1 PL54502B1 PL114163A PL11416366A PL54502B1 PL 54502 B1 PL54502 B1 PL 54502B1 PL 114163 A PL114163 A PL 114163A PL 11416366 A PL11416366 A PL 11416366A PL 54502 B1 PL54502 B1 PL 54502B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- phosphorus
- boron
- pressure
- crystallization
- temperature
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 21.IV.1966 (P 114 163) 20.1.1968 54 KI. 12 i, 25/08 MKP C 01 b SFJ08 UKD Wspóltwórcy wynalazku: dr Tadeusz Niemyjski, mgr Swietlana Appen- heimer, mgr Julian Majewski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Fizyki), Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania krystalicznego fosforku boru Fosforek boru BP jest zwiazkiem pólprzewodni¬ kowym typu Ani Bv. Fizyczne i elektryczne wla¬ sciwosci jego sa dotychczas malo zbadane ze wzgle¬ du na istniejace trudnosci w uzyskaniu krysztalów.Znane sposoby otrzymywania fosforku boru po¬ legaja na krystalizacji BP ze stopionych" metali lub za pomoca chemicznych reakcji transportu np. we¬ dlug opisu patentowego NRF nr 1191794.Powyzsze sposoby nie zapewniaja jednak otrzy¬ mywania bardzo czystych krysztalów BP o skla¬ dzie stechiometrycznym ze wzgledu na duze róz¬ nice preznosci par boru i fosforu.Wady tej pozbawiony jest sposób wedlug wyna¬ lazku, wedlug którego krystalizacje BP prowadzi sie z roztworu cieklego fosforu, pod wysokim cis¬ nieniem, nie mniejszym niz 10.000 kg/cm2 i w tem¬ peraturze nie nizszej niz 1100°C.Podane warunki cisnienia i temperatury zapew¬ niaja stan ciekly czarnego fosforu. Proces krystali¬ zacji przebiega w cieczy, w nastepstwie czego stwo¬ rzone sa dobre warunki wzrostu krysztalów, przy czym korzystnie jest stosowac mieszanine reakcyj¬ na, w której zawartosc boru nie przekracza 20% wagowych.Przyklad. Przygotowuje sie mieszanine boru o czystosci 99,999 i fosforu czerwonego o czystosci 10 15 20 25 2 99,999. Mieszanine, zawierajaca 0,4 g boru i 3,6 g fosforu, wklada sie do komory wysokiego cisnienia, gdzie tygiel grafitowy sluzy jednoczesnie jako grzejnik i poddaje sie dzialaniu cisnienia 15.000 kg/cm2 i temperatury 1200°C. Proces prowadzi sie przez 6 godzin. W tym czasie zachodzi przemiana fazowa fosforu czerwonego w fosfor czarny, po czym czarny fosfor topi sie i nastepuje krystali¬ zacja BP w cieczy.Po wylaczeniu ogrzewania i cisnienia, wyjmuje sie wklad i krysztaly BP oddziela sie od czarnego fosforu przez rozpuszczanie tego ostatniego w kwasie solnym lub innym.W wyzej podanych warunkach otrzymano prze¬ zroczyste, czerwone krysztaly BP o zawartosci za¬ nieczyszczen ponizej 10—3 wagowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania krystalicznego fosforku boru przez poddanie reakcji syntezy boru z fosfo¬ rem i krystalizacje produktu w wysokiej tempera¬ turze znamienny tym, ze reakcje syntezy i krysta¬ lizacje fosforku boru prowadzi sie z roztworu cieklego fosforu, pod cisnieniem nie mniejszym niz 10.000 kG/cm2 i w temperaturze nie nizszej niz 1100°C. 54502 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL54502B1 true PL54502B1 (pl) | 1967-12-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2174614A (en) | Method of producing polyphosphates and polyphosphate mixtures | |
| US2986448A (en) | Preparation of sodium percarbonate | |
| Oliver et al. | Growth of single crystal YB66 from the melt | |
| KR860008936A (ko) | 인산결정을 위한 종자결정의 제조방법 | |
| US2588449A (en) | Levulose dihydrate | |
| PL54502B1 (pl) | ||
| US4045186A (en) | Method for producing large soft hexagonal boron nitride particles | |
| US2289286A (en) | Process for the manufacture of hydrated aluminum triformate | |
| US2498539A (en) | Method of crystallizing urea | |
| Webster et al. | Solution growth of magnesium oxide crystals | |
| US4349407A (en) | Method of forming single crystals of beta silicon carbide using liquid lithium as a solvent | |
| JPH0513919B2 (pl) | ||
| US4528062A (en) | Method of manufacturing a single crystal of a III-V compound | |
| JP2001192289A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2002284794A (ja) | ５’−グアニル酸ジナトリウム・５’−イノシン酸ジナトリウム混晶の製造法 | |
| Wellner et al. | Solution‐mediated polymorphic transformation of stearic acid | |
| US2347053A (en) | Process for purifying crude sodium carbonate | |
| AU745058B2 (en) | Method of purifying carbazole ester precursors of 6-chloro-alpha-methyl-carbazole-2-acetic acid | |
| US2420255A (en) | Manufacture of addition compounds of lactic acid salts with acetic acid | |
| US1575634A (en) | Process of purifying aluminum nitrate | |
| US2620264A (en) | Method of making silver iodide crystals | |
| US2764612A (en) | Process for preparing salts of glutamic acid | |
| US3528786A (en) | Production of sodium silicofluoride from wet process phosphoric acid | |
| JPS63215598A (ja) | 低温相硼酸バリウム単結晶の育成方法 | |
| Hinkel et al. | 602. 4: 4′-and 2: 4′-Dihydroxydiphenyl sulphones |