PL53770B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL53770B1
PL53770B1 PL107455A PL10745565A PL53770B1 PL 53770 B1 PL53770 B1 PL 53770B1 PL 107455 A PL107455 A PL 107455A PL 10745565 A PL10745565 A PL 10745565A PL 53770 B1 PL53770 B1 PL 53770B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gas
solution
drying
stage
deg solution
Prior art date
Application number
PL107455A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Adam Ogrodnik dr
Original Assignee
Przedsiebiorstwo Kopalnictwa Gazu Ziemnego
Filing date
Publication date
Application filed by Przedsiebiorstwo Kopalnictwa Gazu Ziemnego filed Critical Przedsiebiorstwo Kopalnictwa Gazu Ziemnego
Publication of PL53770B1 publication Critical patent/PL53770B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 31.VIII.I967 53770 KI. 26 d, 9/21 MKP C 10 k UKO M*h Twórca wynalazku: dr inz. Adam Ogrodnik Wlasciciel patentu: Przedsiebiorstwo Kopalnictwa Gazu Ziemnego, Sa¬ nok (Polska) Sposób osuszania gazu za pomoca roztworu glikolu dwuetylenowego Przedmiotem wynalazku jest sposób osuszania gazu ziemnego za pomoca roztworu glikolu dwu¬ etylenowego.Osuszanie gazu ziemnego, jak równiez innych gazów technicznych poddawanych oziebianiu do 5 niskich temperatur jest bardzo waznym zagadnie¬ niem, gdyz od stopnia osuszenia gazu zalezy sprawnosc pracy urzadzen i ciaglosc ruchu.Osuszanie gazu znanymi sposobami do punktu rosy okolo —5°C, nie przedstawia wiekszych trud- 10 nosci. Trudnosci powstaja dopiero wtedy, gdy wy¬ magany punkt rosy jest nizszy niz —30aC. Stoso¬ wany do tego celu aktywowany tlenek glinu lub sita czasteczkowe zapewniaja uzyskanie takiego punktu rosy, lecz sa to metody kosztowne zarów- 15 £0 pod wzgledem aparaturowym, jak i ruchowym.Znane sa równiez sposoby osuszania gazu gliko¬ lem dwuetylenowym (skrót DEG), przez kontak¬ towanie gazu z DEG w kolumnach pólkowych lub przez wstrzykiwanie do rurociagu. 2o Sposoby te nie pozwalaja jednak, na glebokie osuszenie gazu i uzyskany tymi sposobami punkt rosy wynosi okolo —15°C do —20°C.Sposób wedlug wynalazku polega na dwukrot¬ nym osuszaniu gazu za pomoca roztworu DEG. 25 W pierwszym stopniu nastepuje osuszanie roztwo¬ rem czesciowo zuzytym a dokladne osuszenie roz¬ tworem swiezo regenerowanym w czasie schladza¬ nia gazu.Sposób wedlug wynalazku pozwala na glebokie 30 osuszenie gazu za pomoca roztworu DEG do pun¬ ktu rosy ponizej —30fC.- Zalaczony rysunek, przedstawia schemat apara¬ tury do osuszania gazu •sposobem wedlug wynalaz¬ ku. Na rysunku oznaczono: doplyw gazu do insta¬ lacji 1, dysze do wtryskiwania roztworu DEG pierwszego stopnia 2, oddzielacz przereagowane- go roztworu DEG 3, dysze do wtryskiwania roz¬ tworu DEG drugiego stopnia 4, chlodnica gazu 5, oddzielacz roztworu DEG 6, zbiorniki roztworu DEG 7 i 8, pompy do tloczenia roztworu DEG 9 i 10, rurociag doprowadzajacy zregenerowany roz¬ twór DEG 12, rurociag doprowadzajacy roztwór DEG do urzadzen regeneracyjnych 11.Proces technologiczny prowadzony sposobem we¬ dlug wynalazku jest nastepujacy.Zawilgocony gaz doplywa do instalacji ruro¬ ciagiem 1, na którym zamontowane jest polacze¬ nie obiegowe z zespolem dysz wtryskowych 2. Tu nastepuje wtrysk czesciowo przereagowanego roz¬ tworu DEG dla wstepnego osuszenia gazu. Roz¬ twór DEG jest tloczony pompa 9 ze zbiornika 7.Gaz wraz ze wstrzyknietym roztworem DEG ply¬ nie rurociagiem do oddzielacza 3, gdzie nastepuje oddzielenie roztworu DEG od gazu. Oddzielony tu roztwór DEG plynie rurociagiem 11 do urzadzen regeneracyjnych. Z oddzielacza 3 wstepnie osuszo¬ ny gaz plynie do drugiego polaczenia obiegowe¬ go, gdzie zamontowany jest zespól dysz wtrysko¬ wych 4. Tu wstrzykiwany jest zregenerowany roz- 5377053770 twór DEG dla ostatecznego osuszania gazu. Roz¬ twór ten doplywa z urzadzenia regeneracyjnego rurociagiem 12 do zbiornika -8, skad pobiera go pompa 10. Gaz wraz ze wstrzyknietym DEG ply¬ nie przez chlodnice gazu 5, gdzie na skutek obni¬ zenia temperatury kontaktu gazu i roztworu DEG, skutecznosc osuszania bardzo wzrasta. Umoz¬ liwia tó uzyskanie punktu rosy ponizej -30°C oraz zabezpiecza powierzchnie chlodnicy przed oszronieniem. W oddzielaczu 6 zostaje oddzielony czesciowo *rzereagowany roztwór DEG, który od¬ puszczony jest do zbiornika 7 i stad pobierany jest do wstepnego osuszania gazu na pierwszym stopniu. W ten sposób cykl obiegu roztworu DEG zamyka sie.W zaleznosci od wymaganego punktu rosy sto¬ suje sie rózna koncentracje roztworu DEG. Np. dla uzyskania punktu rosy wynoszacego —35°C przy temperaturze kontaktu w chlodnicy —18°C kon¬ centracja roztworu DEG, wstrzykiwanego w dru¬ gim stopniu osuszania powinna wynosic okolo 96%. ilosc roztworu powinna byc tak dobrana, aby przereagowany w tym stopniu roztwór mial koncentracje okolo 92%. Roztwór ten wstrzyki- 10 15 warty jest nastepnie w pierwszym stopniu osusza¬ nia i ulega dalszemu rozcienczeniu pochlaniana z gazu woda do koncentracji okolo 86^/0. Przed ponownym uzyciem 86% roztwór DEG jest rege¬ nerowany do koncentracji okolo 96%.Osuszanie gazu moze byc osiagniete równiez przy zastosowaniu tylko drugiego stopnia lecz sprawnosc procesu osuszania jest wówczas odpo¬ wiednio nizsza. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób osuszania gazu za pomoca roztworu gli¬ kolu dwuetylenowego, znamienny tym, ze osusza¬ nie prowadzi sie dwustopniowo, przy czym gaz poddaje sie w pierwszym stopniu zetknieciu z czesciowo rozcienczonym roztworem glikolu, na¬ stepnie mieszanine gazu z roztworem rozdziela sie 1 w drugim stopniu gaz poddaje sie zetknieciu ze stezonym roztworem glikolu przy równoczesnym schladzaniu tej mieszaniny, potem mieszanine chlodzi sie, a nastepnie rozdziela i czesciowo roz¬ cienczony roztwór glikolu kieruje do osuszania gazu w pierwszym stopniu. 1 v~ ' $L i TrwC-L, PZG w Pab., zam. 715-67, nakl. 240 egz. PL
PL107455A 1965-02-15 PL53770B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL53770B1 true PL53770B1 (pl) 1967-08-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2197566B1 (de) Verfahren und anlage zur regeneration einer bei der reinigung von gasen anfallenden aminhaltigen waschlösung
CN101543723A (zh) 一种含酸性气体的氮氧化物废气处理装置及工艺
TW200901353A (en) Substrate treating apparatus
CN105157358A (zh) 一种节能型真空干燥工艺及系统
GB680322A (en) Improvements in or relating to a method of and apparatus for pickling of iron and steel materials
CN115463913B (zh) 一种聚酰亚胺树脂反应釜清洗装置及清洗方法
PL53770B1 (pl)
KR20090056353A (ko) 폐가스 처리용 습식 가스 스크러버
RU2181158C1 (ru) Способ разработки нефтяных месторождений
US2047819A (en) Process of separating sulphur dioxide from gaseous mixtures
JP2000308862A (ja) 超臨界又は亜臨界流体を用いた洗浄方法及びその装置
CN206747166U (zh) 一种超临界状态清洗系统
CN1023713C (zh) 从部分氧化的煤气中除去硫化氢的方法
CN206454458U (zh) 一种用于水环式真空泵的节水循环装置
US3410724A (en) Cleaning or treating process
JPS55124520A (en) Wet type dust collecting machine for high temperature gas
SU628737A1 (ru) Способ выщелачивани полезных компонентов из руд
SU1656180A1 (ru) Термогидродинамический способ очистки внутренних полостей маслосистемы
JPS6125645B2 (pl)
CN212942955U (zh) 一种自带尾气处理的硝体酸化洗料装置
CN221877256U (zh) 一种杂环芳纶集成自循环水洗装置
CN105541073A (zh) 污泥固气双效脱水处理方法
Kondo Development of a safety denitration method to remove nitric acid from mixtures
CN222384801U (zh) 不溶性硫磺生产装置
FI126236B (fi) Menetelmä peitattaessa metallimateriaalia