PL53510B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL53510B1
PL53510B1 PL114232A PL11423268A PL53510B1 PL 53510 B1 PL53510 B1 PL 53510B1 PL 114232 A PL114232 A PL 114232A PL 11423268 A PL11423268 A PL 11423268A PL 53510 B1 PL53510 B1 PL 53510B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
electrode
semiconductor
template
socket
cross
Prior art date
Application number
PL114232A
Other languages
English (en)
Inventor
Bielawska Anna
inz. Jan Buczynski rfigr
Goldowski inz.Edmund
TadeuszWójcik
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Filing date
Publication date
Publication of PL53510B1 publication Critical patent/PL53510B1/pl
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa"

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.VI.1OT 53510 KL 21 g, 11/02 MKP UKD HOli^OO Wspóltwórcy wynalazku: Anna Bielawska, rfigr inz. Jan Buczynski, inz.Edmund Goldowski, TadeuszWójcik Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Pol¬ ska) Szablon do zgrzewania zlacz stopowych p-n elementów pólprzewodnikowych (Przedmiotem wynalazku jest szablon do otrzy¬ mywania zlacz stopowych p-n lub p-n-p ele¬ mentów pólprzewodnikowych. Masowa produkcja tych elementów, diod i tranzystorów, a szczegól¬ nie elementów mocy, wykonywanych technika sto¬ powa napotyka niejednokrotnie na powazne trud¬ nosci w zakresie sposobu uzyskania prawidlo¬ wych zlacz.Trudnosci te dotycza przede wszystkim procesu zwilzania i równomiernosci wtapiania elektrody wykonanej najczesciej dla tego typu zlacz z indu, lub stopów zlozonych z indu i niewielkich ilosci innych metali.Przy bezposrednim umieszczeniu ksztaltki elek¬ trody na powierzchni plytki pólprzewodnikowej i wtopieniu elektrody w plytke materialu pólprze- Nwodnikowego w piecu w temperaturze okolo 6O0°C w atmosferze ochronnej, mozna niejednokrotnie stwierdzic w zlaczu obszary zle zwilzpne, co przy¬ kladowo pokazane jest w przekroju na fig. 1.Dla porównania na fig. 2 pokazane jest zlacze p-n wykonane prawidlowo.Omówione wyzej nieprawidlowosci w zwilzaniu spowodowane sa miedzy innymi tym, ze plytki pólprzewodnikowe oraz ksztaltki elektrod posia¬ daja na swej powierzchni obok nieuniknionej war¬ stwy tlenków, takze pewne ilosci zaadsorbowa- nych gazów oraz pary wodnej.W wyniku tych faktów, w czasie narastania temperatury w piecu substancje te gwaltownie 10 15 30 desorbuja i utrudniaja w ten sposób wzajemne zwilzanie obszarów w miejscu powstajacych zlacz.Elementy pólprzewodnikowe wykonane z takich wadliwych zlacz charakteryzuja sie z reguly zly¬ mi parametrami elektrycznymi, szczególnie w od¬ niesieniu do napiec wstecznych, pradów zerowych oraz wyjatkowa niestabilnoscia tych parametrów w czasie pracy. W swietle tych faktów, najko¬ rzystniejsza metoda otrzymywania zlacz stopo¬ wych, jest bezposrednie zetkniecie sie materialu pólprzewodnikowego z materialem elektrody w temperaturze podwyzszonej po calkowitym za¬ konczeniu procesu desorbcji zanieczyszczen po¬ wierzchniowych. • Zagadnienie to zostalo rozwiazane w jednej z mozliwych wersji w postaci urzadzenia opisanego w patencie NRF Nr 975 772. Urzadzenie to sklada sie z grzejnika i rury kwarcowej z atmosfera ochronna, w której umieszczone sa plytki z ma¬ terialu pólprzewodnikowego. W rure te wtopione jest kopilara, z której pod cisnieniem dozowany jest w stanie stopionym material elektrody. Urza¬ dzenie to posiada jednak szereg wad jak mala wydajnosc, mozliwosc swobodnego rozplywania sie materialu elektrody na powierzchni plytki pól¬ przewodnikowej, co w efekcie spowoduje rózne wymiary zlacz, koniecznosc manipulacji z zew¬ natrz w celu przesuwania plytek materialu pól¬ przewodnikowego wzgledem otworu kapilary, oraz koniecznosc dokladnej stabilizacji temperatury 5351053510 3 i cisnienia w kapilarze, co ma bezposredni wplyw na powtarzalnosc ilosci dozowanego materialu elektrody.Celem wynalazku jest wyeliminowanie wszyst¬ kich wyzej opisanych wad przy zachowaniu samej zasady, polegajacej na fakcie zetkniecia sie ma¬ terialu elektrody z materialem pólprzewodniko¬ wym w temperaturze podwyzszonej, po zakoncze¬ niu procesu desorpcji zanieczyszczen powierz¬ chniowych.Wedlug wynalazku cel ten zostal osiagniety przez umieszczenie w szablonie grafitowych wkla¬ dek, których gniazda ksztaltek elektrody i gniaz¬ da formujace obszar zlacza oddzielone sa przelo¬ towym otworem o przekroju mniejszym od prze¬ kroju obu gniazd lub od przekroju gniazda ksztaltki elektrody. Szablon wedlug wynalazku przedstawiony jest w przekroju na fig. 3. Sklada sie on z metalowego korpusu 1 z gniazdem 2 przeznaczonym do umieszczenia plytki materialu pólprzewodnikowego, i z grafitowej wkladki 3, w której wykonano gniazdo 4 do umieszczenia ksztaltki elektrody, oraz przelotowy otwór 5, przez który przeplywa material elektrody po stopieniu oraz gniazdo 6 formujace obszar zlacza.Ilosc gniazd 2 w korpusie 1 szablonu oraz gra¬ fitowych wkladek 3, moze byc dowolna i zalezy jedynie od dlugosci strefy grzejnej pieca.Wymiary gniazd otworu przelotowego oraz wza¬ jemny stosunek tych rozmiarów uwarunkowany jest wielkoscia produkowanego zlacza. W przy¬ padkach bardzo duzych zlacz nalezy zastosowac odmiane szablonu przedstawiona w przekroju i w rzucie z góry na fig. 4. Sklada sie ona z metalo- 10 15 20 25 30 wego korpusu 1 z gniazdem 2 przeznaczonym do umieszczenia plytki materialu pólprzewodnikowe¬ go i z grafitowej wkladki 3, w której wykonane jest wiele gniazd 4 do umieszczenia wielu ksztal¬ tek jednej elektrody, wielu przelotowych otwo¬ rów 5, oraz jednego gniazda 6 formujacego ob¬ szar zlacza.Proces wytwarzania zlacz elementów pólprze¬ wodnikowych w szablonach wedlug wynalazku po¬ lega na umieszczeniu plytki materialu pólprze¬ wodnikowego w gniezdzie 2 korpusu szablonu oraz ksztaltki elektrody w gniezdzie 4 wkladki grafi¬ towej. Tak zaladowany szablon umieszcza sie w strefie grzejnej pieca, którego wnetrze wypelnio¬ ne jest atmosfera gazu ochronnego na przyklad wodoru. W chwili kiedy szablon, wraz z umiesz¬ czonymi w nim elementami, osiagnie temperature równa temperaturze topnienia materialu elektro¬ dy, nastepuje przeplyw tego materialu pod wply¬ wem sily grawitacji z gniazda 4 wkladki elektro¬ dy przez przelotowy otwór 5 do gniazda 6 for¬ mujacego obszar zlacza. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Szablon do zgrzewania zlacz stopowych p-n elementów pólprzewodnikowych skladajacy sie z korpusu oraz grafitowych wkladek znamienny tym, ze w wkladkach grafitowych, gniazda (4) ksztaltek elektrody i gniazda (6) formujace ob¬ szar zlacza oddzielone sa przelotowym otworem (5) którego przekrój jest mniejszy od przekroju obu gniazd, lub od przekroju gniazda (4) ksztaltki elektrody. fi'9.i Fig.2KI. 21 g,11/02 53510 MKP H 01 1 «&3KI. 21 g, 11/02 33519 MKP H 01 1 A-A Fig. 4 WDA-1. Zam. 533/67. Naklad 410 egz. PL
PL114232A 1968-04-25 PL53510B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL53510B1 true PL53510B1 (pl) 1967-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5241928B2 (ja) 熱電素子モジュール及び熱電素子の製造方法
US6119927A (en) Method and apparatus for placing and attaching solder balls to substrates
US3665590A (en) Semiconductor flip-chip soldering method
US2898668A (en) Manufacture of semiconductor devices
NO125298B (pl)
US3444619A (en) Method of assembling leads in an apertured support
US2018073A (en) Electrode or contact mechanism
PL53510B1 (pl)
KR20100125987A (ko) 태양전지 셀의 리본 부착용 가열 장치
US3155936A (en) Transistor device with self-jigging construction
US2762001A (en) Fused junction transistor assemblies
US2761800A (en) Method of forming p-n junctions in n-type germanium
DE102014019568A1 (de) Arbeitsgerät und verfahren zum aufschmelzen
US2959718A (en) Rectifier assembly
US3176376A (en) Method of making semiconductor device
US3543393A (en) Method of forming rectifier stacks
US1492875A (en) Electrode and process of making the same
US2937961A (en) Method of making junction semiconductor devices
CN207800553U (zh) 焊球应用装置
JPH0749155B2 (ja) 温風による半田溶解装置
US3243862A (en) Method of making semiconductor devices
US3487271A (en) Solder pellet with magnetic core
US2145275A (en) Tip welding apparatus
JPH0251440A (ja) 加熱炉用上部アダプタ
TWI720664B (zh) 太陽電池及太陽電池的製造方法