PL53200B1 - - Google Patents

Description

53 200 2ty rt/oz KI.Opublikowano: 10.Y.1967 MKP Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Stanislaw Andrzej Ignatowicz, dr inz.Andrzej Kobus, Andrzej Dajna Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Halotron Przedmiotem wynalazku jest halotron przezna¬ czony do pomiaru natezenia pola magnetycznego, w szczególnosci pola w waskich i krzywoliniowych szczelinach. Moze on równiez znalezc zastosowa¬ nie przy konstrukcji ukladów pamieciowych, prze¬ kazników bezstykowych, mnoznikach itp.Do pomiaru natezenia pola magnetycznego w waskich szczelinach stosuje sie halotrony z mate¬ rialów litych. Wytwarzane sa one w ten sposób, ze plytke na przyklad germanu szlifuje sie do pewnej grubosci. Najmniejsza grubosc takich ha- lotronów, jaka dalo sie uzyskac, wynosi rzedu 0,1 mm, na skutek czego nie mozna bylo pomie¬ rzyc natezenia pola w szczelinach o grubosci po¬ nizej 0,1 mm, a tym bardziej w szczelinach krzy¬ woliniowych. Na dokonanie takich pomiarów nie pozwalaly równiez halotrony wykonane przez na- parowanie cienkiej warstwy materialu pólprze¬ wodnikowego na podloze izolacyjne. Opisany w patentach niemieckich nr 1083924 i 1143270 halo¬ tron cienkowarstwowy pozwala co prawda na po¬ miar natezenia pola w bardzo cienkich szczelinach, jednak nie mozna nim dokonac pomiaru nateze¬ nia w szczelinach krzywoliniowych. Halotrony te pekaja przy zginaniu w szczelinach, szczególnie peka warstwa pólprzewodnika naniesiona na pod¬ loze na przyklad z miki.Wynalazek stawia sobie wlasnie za cel wykona¬ nie halotronu, który nie bedzie ulegal zniszczeniu 10 15 25 30 podczas pomiaru natezenia pola w szczelinach krzywoliniowych.Niespodziewanie wedlug wynalazku okazalo sie, ze jezeli na cienka warstwe izolacyjna, wykonana tylko z miki zostanie naparowana warstwa tylko tellurku rteci HgTe lub tellurku kadmowo-rte- ciowego, to halotron taki nie bedzie ulegal znisz¬ czeniu przy pomiarach. Wynika to z dobrania pod¬ loza i pólprzewodnika o zblizonych wlasnosciach mechanicznych. Dzieki temu mozna wykonywac halotrony o calkowitej grubosci czynnej warstwy zawartej w granicach od 30 do 80 ^m.Halotron wedlug wynalazku zostanie blizej ob¬ jasniony na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia halotron w widoku z góry, fig. 2 — w widoku z boku, a fig. 3 — widok z boku pod¬ czas zgiecia.Wedlug wynalazku na cienka warstwe miki M jest naparowana warstwa pólprzewodnika P w po¬ staci HgTe lub CdHgTe, przy czym sa naparowa- ne równiez elektrody metaliczne E.W dalszym ciagu procesu wedlug wynalazku do elektrod E lutuje sie przewody D z drutu. Miejsca lutowania drutów do elektrod E chronione sa oprawka O, wykonana z tworzywa sztucznego, naj¬ korzystniej z zywicy epoksydowej.Dzieki zastosowaniu cienkiej warstwy miki M jako podloza, grubosc czynnej warstwy halotro¬ nu C zawiera sie miedzy 30—80 /nm, przy czym dobra elastycznosc miki pozwala na znaczne zgi- 53 20053 200 3 nanie czynnej warstwy halotronu do promienia krzywizny R rzedu 1 cm (fig. 3).W celu zabezpieczenia halotronu przed mecha¬ nicznymi uszkodzeniami i wplywem innych czyn¬ ników atmosferycznych warstwa czynna C jest pokryta cienka elastyczna warstwa metakrylanu etylu. PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Halotron wykonany na podlozu z miki i prze¬ znaczono do pomiaru natezenia pola magne- 10 3. tycznego, w szczególnosci w waskich i krzywo¬ liniowych szczelinach, znamienny tym, ze na warstwe miki (M) ma naniesiona w znany spo¬ sób przez naparowanie, warstwe (P) tylko tel- lurku rteci lub tellurku kadmowo-rteciowego. Halotron wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwa czynna (C) jest pokryta cienka ela¬ styczna warstwa metakrylanu etylu. Halotron wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze elektrody (E) laczace warstwe (P) z przewo¬ dami (D) sa wykonane przez naparowanie. R3 4 n9.
2. 2 Fin.
3. 3 Bltk 1049/67 r. 400 egz. A4 PL