PL50559B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL50559B1
PL50559B1 PL102365A PL10236564A PL50559B1 PL 50559 B1 PL50559 B1 PL 50559B1 PL 102365 A PL102365 A PL 102365A PL 10236564 A PL10236564 A PL 10236564A PL 50559 B1 PL50559 B1 PL 50559B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
plates
germanium
silicon
photosensitive layer
layer
Prior art date
Application number
PL102365A
Other languages
English (en)
Inventor
Herbert Cfcichon mgr
inz4 Andrzej Stad¬nicki mgr
Teresa Oszczapowicz mgr
MariaTalalas mgr
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Przedsiebior¬Stwo Panstwowe
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Przedsiebior¬Stwo Panstwowe filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Przedsiebior¬Stwo Panstwowe
Priority to GB30496/65A priority Critical patent/GB1117228A/en
Priority to DE19651521742 priority patent/DE1521742A1/de
Publication of PL50559B1 publication Critical patent/PL50559B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 15.11.1966 50559 K1 57d, 2/01 MKP a 9 G 03 f "M C Z Y T '¦: L NIA UKD Urzedu P-itento^-no FolsHij Hze ii Wspóltwórcy wynalazku: mgr Herbert Cfcichon, mgr inz4 Andrzej Stad¬ nicki, mgr Teresa Oszczapowicz, mgr Maria Talalas Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Przedsiebior¬ stwo Panstwowe, Warszawa (Polska) Sposób wytrawiania okreslonych wzorów w plytkach krzemowych i germanowych przy uzyciu warstw swiatloczulych Proces wytwarzania krzemowych lub germano¬ wych przyrzadów pólprzewodnikowych wymaga przy niektórych technikach, wytrawiania okreslo¬ nych wzorów decydujacych o jakosci danego ele¬ mentu.Dotychczas przy wytrawianiu okreslonych wzo¬ rów w plytkach germanowych lub krzemowych za¬ bezpieczalo sie zadane miejsca za pomoca wosków lub lakierów maskujacych, a odsloniete obszary trawiono odpowiednimi roztworami.Sposób ten przy malych wymiarach rysunku nie pozwala na wytrawianie okreslonych wzorów o ostrych i równych liniach.Z polskiego opisu patentu nr 45432 znany jest spo¬ sób usuwania tlenków z okreslonych miejsc po¬ wierzchni pólprzewodników przy uzyciu warstw swiatloczulych z polialkoholem winylowym, nato¬ miast nie omawia on zabezpieczenia przed trawie¬ niem okreslonych miejsc na powierzchniach germa¬ nu i krzemu. Do tych celów warstwa ochronna zwana warstwa kopiowa musi byc bardziej kwaso- od|porna oraz powinna odznaczac sie wieksza przy¬ czepnoscia do hydrofobowego podloza jakim jest powierzchnia germanu i krzemu.Wedlug wynalazku zastosowano dodatkowo war¬ stwe posrednia, która charakteryzuje sie bardzo dobra przyczepnoscia do germanu lub krzemu oraz wlasnosciami hydrofilnymi w stosunku do war¬ stwy kopiowej. 10 15 20 25 30 Na odtluszczona plytke germanowa lub krzemo¬ wa nanosi sie warstwe posrednia z roztworu zawie¬ rajacego szelak naturalny 50 g — 80 g lub zywice fenolowo-formaldehydowa, alkohol etylowy 800— —1000 cm3, octan amylu 10—12 cm3, olej rycyno¬ wy 12—15 cm3 oraz krzemionke koloidowa, przy czym najkorzystniej jest stosowac nastepujacy sklad: szelak naturalny 50 g, alkohol etylowy 1000 cm3, octan amylu 10 cm3, olej rycynowy 12 cm3, oraz krzemionke koloidalna.Na warstwe posrednia nanosi sie warstwe kopio¬ wa z roztworu o skladzie: 15—20% polialkoholu wi¬ nylowego, 80—85% wody, 1,5—2°/o dwuchromianu amonowego oraz 0,075—0,1% substancji zwilzajacej na przyklad nekalu.Nastepnie plytke z warstwa kopiowa naswietla sie poprzez negatyw. W czasie naswietlania dwu¬ chromian amonowy zostaje zredukowany do soli chromowych, które reagujac z polialkoholem wi¬ nylowym sieciuja go, tworzac produkt nierozpusz¬ czalny w wodzie. Nie naswietlone miejsca zacho¬ wujace nadal swa rozpuszczalnosc w wodzie wymy¬ wa sie (wywoluje sie) za pomoca wody. Proces kon¬ trolowany jest przez barwienie warstwy kopiowej w wodnym roztworze blekitu bezposredniego lub safraniny. Po wywolaniu w miejscach nie na¬ swietlonych warstwy swiatloczulej, warstwe po¬ srednia usuwa sie alkoholem etylowym.W celu zwiekszenia kwasoodpornosci warstwy kopiowej na plytkach krzemowych garbuje sie ja 5055950559 w 2—5°/o roztworze kwasu chromowego w czasie 0,5—2,0 minut, po czym wygrzewa sie przez okolo 15 minut w temperaturze 150—200°C.Plytki germanowe garbowane sa w wodnym roz¬ tworze zywicy fenolowo-formaldehydowo-siarczy- nowej (otrzymanej przez kondensacje fenolu z for¬ malina i siarczynem sodowym) w czasie 3—5 minut, a nastepnie wygrzewane 10—15 minut w tempera¬ turze 250—280°C.Tak przygotowane plytki trawi sie w znanych roztworach trawiacych zawierajacych na przyklad mieszanine kwasu fluorowodorowego, kwasu azo¬ towego, kwasu octowego i jodku potasowego. Po wytrawieniu okreslonych miejsc usuwa sie war¬ stwe kopiowa w roztworze kwasu szczawiowego, cukrowego lub winowego o stezeniu 30—100 g/l.W ten sposób otrzymuje sie obszary o dowolnym ksiztalcie, których wysokosc uzalezniona jest od czasu trawienia i chemicznej odpornosci warstwy kopiowej wynikajacej miedzy innymi z jej gru¬ bosci. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytrawiania okreslonych wzorów w plytkach krzemowych i germanowych polegaja- 5 cy na pokryciu plytek warstwa swiatloczula za¬ wierajaca polialkohol winylowy, naswietleniu ich przez negatyw, wywolaniu oraz utrwaleniu i zgarbowaniu, znamienny tym, ze przed nanie¬ sieniem warstwy swiatloczulej, plytki pokrywa 10 sie warstwa posrednia zlozona z 50—80 g sze¬ laku lub zywicy fenolowo-formaldehydowej, 800—1000 cm3 alkoholu etylowego, 10—12 cm* octanu amylu, 12—15 cm3 oleju rycynowego oraz krzemionki koloidalnej, po czym plytki tra- 15 wi sie w typowych .roztworach trawiacych dla germanu lub krzemu.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po wywolaniu w miejscach nie naswietlonych war- 20 stwy swiatloczulej, warstwe posrednia usuwa sie alkoholem etylowym. Dokonano jednej poprawki iZG „Ruch" W-wa, zam. 1524-65 naklad 240 egL. PL
PL102365A 1964-07-24 1964-07-24 PL50559B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB30496/65A GB1117228A (en) 1964-07-24 1965-07-19 Etching of silicon and germanium plates
DE19651521742 DE1521742A1 (de) 1964-07-24 1965-07-21 Verfahren zur Herstellung bestimmter Muster auf Silizium- und Germaniumplaettchen mittels lichtempfindlicher Schichten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL50559B1 true PL50559B1 (pl) 1965-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2592368A (en) Gelatine silver halide emulsion layer containing a dihydroxy diphenyl tanning developing agent
US4180604A (en) Two layer resist system
US3873313A (en) Process for forming a resist mask
US3567447A (en) Process for making masks photographically
DE1771182B2 (de) Photolack
GB2171530A (en) Method for image enhancement in positive photoresist by vapor diffusion image reversal
DE1622333A1 (de) Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung
US2843485A (en) Transfer process of photographic printing
US4204009A (en) Two layer resist system
PL50559B1 (pl)
US1870354A (en) Photographic gelatine layer
US992898A (en) Preparation of surfaces suitable for photo-engraving or photo-etching.
EP0195315B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Photoresist-Strukturen
US4359520A (en) Enhancement of resist development
US2493838A (en) Photoprinting processes
US2550326A (en) Planographic printing
US3518087A (en) Gravure etch resist film
DE2301205A1 (de) Lichtempfindliches material
DE1920932B2 (de) Photolack fuer die halbleitermaskierung
US2942974A (en) Photosensitive resists and photomechanical process
US2411108A (en) Developing colloid resists with substantive dyes
US3951659A (en) Method for resist coating of a glass substrate
GB1163463A (en) A Process for the Production of Metal Coating Connections in a Semiconductor System
US3591465A (en) Selective silicon groove etching using a tantalum oxide mask formed at room temperatures
US2407290A (en) Lithographic plate and process for making same