PL50459B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: 19.1.1965 flP 107 033) Opublikowano*. 20.1.1966 50459 KI.SAq MlOl fitt, 38/01— MKP H041 4*/ót UKD iHKA \hhi\:\ Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Tadeusz Janicki, mgr inz. Andrzej Kobus Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Pro¬ blemów Techniki), Warszawa (Polska) Halotron o zmiennej grubosci warstwy czynnej Przedmiotem wynalazku jest halotron o zmien¬ nej grubosci warstwy czynnej.W znanych konstrukcjach halotronów grubosc warstwy czynnej halotronu jest stala, co pozwala na modulacje napiecia wyjsciowego halotronu przez modulacje pradu sterujacego lub pola mag¬ netycznego.Istota wynalazku jest modyfikacja cienko¬ warstwowego halotronu monokrystalicznego, poz¬ walajaca na uzyskiwanie w razie potrzeby zmiany grubosci jego warstwy czynnej. Dzieki temu istnieje mozliwosc modulacji napiecia wyjsciowego halotronu przez zmiany trzech parametrów: pradu sterujacego Ix, indukcji magnetycznej B oraz gru¬ bosci warstwy czynnej halotronu, lub tez przez zmiany pradu wejsciowego —Ix i grubosci warstwy czynnej halotronu, bez klopotliwego niekiedy sto¬ sowania elektromagnesu, który w tym przypadku mozna zastapic magnesem trwalym.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia typowa kon¬ strukcje znanego cienkowarstwowego halotronu monolkrystalicznego, fig. 2 — konstrukcje cienko¬ warstwowego halotronu monokrystalicznego we¬ dlug wynalazku.Znany cienkowarstwowy halotron monokrysta- liczny charakteryzuje sie tym, ze jego cienka czyn¬ na warstwa P o okreslonej grubosci c wykonana na plytce pólprzewodnikowej jest odizolowana przy pomocy zlacza p-n od pozostalej czesci plytki pólprzewodnikowej, zwanej baza BA. Na cienkiej czynnej warstwie P umieszczone sa symetrycznie cztery elektrody halotronu: dwie pradowe — EPt 5 i EP2 oraz dwie napieciowe — ENX i EN2.Jezeli pomiedzy elektrodami EPX i EP2 halotronu znajdujacego sie w polu magnetycznym o indukcji B przeplywa prad Ix, to napiecie pomiedzy elektro¬ dami ENX i EN2 bedzie opisane nastepujaca za¬ leznoscia: 10 15 20 25 30 UyH = ItB gdzie Rh oznacza wspólczynnik Halla materialu p ólpr zewod nik owego.Konstrukcja halotronu wedlug wynalazku polega na dolaczeniu do obszaru bazy BA piatej elektro¬ dy EM. Umozliwia to doprowadzenie potencjalu elektrycznego do zlacza p-n, które jest wykonane przy pomocy jednego procesu lub kombinacji pro¬ cesów dyfuzji, naparowywania i wzrostu epitak¬ sjalnego. Doprowadzenie potencjalu elektrycznego do zlacza p-n nastepuje przy pomocy elektrody EM i jednej z elektrod EP luib EN, co z kolei po¬ woduje zmiane polozenia ladunku przestrzennego w zlaczu p-n, a w wyniku tego zmiane efektywnej grubosci c czynnej warstwy P halotronu. Pozwala to na modulacje napiecia wyjsciowego halotronu przez zmiane napiecia na zlaczu p-n. 5045950459 PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Halotron o zmiennej grubosci warstwy czynnej, znamienny tym, ze do bazy (BA) czynnej warstwy (P) halotronu jest dolaczona dodatkowa elektroda (EM) umozliwiajaca doprowadzenie potencjalu elektrycznego do zlacza p-n, a w wyniku tego zmiane efektywnej grubosci (c) czynnej warstwy (P), przy czym zlacze p-n jest wykonane przy pomocy jednego procesu lub kombinacji procesów dyfuzji, naparowywania i wzrostu epitaksjalnego. FiS-i EPi EN, ENZ V £ft BA v ztgczep-n EM Fig.

2. Z. G. ,,Ruch;; W-wa zam. 1471-65 naklad 370 egz. PL