PL49780B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL49780B1
PL49780B1 PL104144A PL10414464A PL49780B1 PL 49780 B1 PL49780 B1 PL 49780B1 PL 104144 A PL104144 A PL 104144A PL 10414464 A PL10414464 A PL 10414464A PL 49780 B1 PL49780 B1 PL 49780B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
boron
rod
tube
hydrogen
carbon
Prior art date
Application number
PL104144A
Other languages
English (en)
Inventor
Mierzejewska Swietlana
Niemyski Tadeusz
Original Assignee
Polska Akademia Nauk
Filing date
Publication date
Application filed by Polska Akademia Nauk filed Critical Polska Akademia Nauk
Publication of PL49780B1 publication Critical patent/PL49780B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 20.VIII.1965 49780 KI. 12 i, 31/36 UKD 661.665.1 Wspóltwórcy wynalazku: Swietlana Mierzejewska, Tadeusz Niemyski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Fizyki), Warszawa 8/8LidTcu (Polska) ,w»tK •*- wara? Sposób otrzymywania weglika boru Weglik boru znajduje zastosowanie w technice wysokich temperatur i w technice reaktorowej. Ze wzgledu na siwa twardosc krysztaly weglika boru w wielu .przypadkach skutecznie zastepuja dia¬ menty. Ostatnio weglik boru znajduje zastosowa¬ nie w technologii pólprzewodników. W wielu przy¬ padkach problemem o zasadniczym znaczeniu jest uzyskanie weglika boru o wysokiej czystosci i okreslonej postaci krystalicznej.Znane sposoby otrzymywania weglika boru po¬ legaja na redukcji tlenków boru w -obecnosci we¬ gla na drucie wolframowym. Powyzsze sposoby nie zapewniaja mozliwosci uzyskania wiekszych poje¬ dynczych krysztalów o wysokiej czystosci.Sposób wedlug wynalazku umozliwia otrzymy¬ wanie weglika boru w postaci krystalicznej o wy¬ sokiej czystosci. Polega on na redukcji trójchlorku boru i czterochlorku wegla wodorem na precie grafitowym lub borowym w wysokiej temperatu¬ rze, wedlug nastepujacej reakcji 4BC13 + CC14 + + 8H2 = B4C + 16HCL.Trójchlorek boru i czterochlorek wegla oczysz¬ cza sie wstepnie na drodze destylacji frakcjonowa¬ nej. Mieszanine par tych skladników, najlepiej w stosunku stechiometrycznym, doprowadza sie razem z nadmiarem oczyszczonego wodoru do ru¬ ry kw7arcowej, w której znajduje isie pret lub rura z czystego grafitu albo z czystego boru. Pret lub rura ogrzewane sa indukcyjnie pradami wysokiej 20 30 czestotliwosci lub oporowo do temperatury 1200—2300°C. W zaleznosci od temperatury preta lub rury powstaje na ich powierzchni weglik boru krystaliczny lub mikrokrystaliczny. Krysztaly we¬ glika boru wielkosci rzedu 1—3 mm powstaja przy temperaturach od 1500 — 1700°C.Nadmiar wodoru, w stosunku do ilosci stechio- metrycznej, stosowac mozna 2—20-krotny. 10—12 krotny nadmiar wodoru sprzyja powstaniu duzych krysztalów z dobra wydajnoscia.Przyklad. Trójchlorek boru i czterochlorek wegla, po oczyszczeniu przez frakcjonowana de¬ stylacje, wlewa sie do kolb, znajdujacych sie w termostatach, w których ustala sie temperatury zapewniajace otrzymanie par BCL3 i CCL4 w sto¬ sunku stechiometrycznym. Pary te, wraz z wodo¬ rem przepuszczonym przez oczyszczalnik, dopro¬ wadza sie do rury kwarcowej o srednicy 40 mm.W rurze wzdluz jej osi umieszczony jest pret gra¬ fitowy ogrzewany indukcyjnie cewka generatora, znajdujaca sie na zewnatrz rury.Szybkosc przeplywu wodoru ustalono na 2,5 l/min, mieszaniny par B,C14 i OCl4 — na 1 g/min, przy temperaturze preta grafitowego utrzymywa¬ nej w granicach 2000 + 20°C. Po 3 godzinach otrzy¬ mano na precie grafitowym weglik boru w posta¬ ci pojedynczych krysztalów o wymiarach okolo 1 mm, które latwo dalo sie oddzielic mechanicznie.Wydajnosc reakcji okolo 45%. Analiza spektralna 497803 wykazala nastepujace zanieczyszczenia otrzyma¬ nych krysztalów: Mg — 10-50/o i Si — 10-40/o. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania weglika boru o wysokiej czystosci, znamienny tym, ze pary, oczyszczonych na drodze frakcjonowanej destylacji, czterochlor- 780 4 ku wegla i trójchlorku boru najlepiej w stosunku stechiometrycznym przepuszcza sie wraz z 2—20- -krotnym nadmiarem wodoru przez rure kwarco¬ wa, w której znajduje sie pret lub rura grafitowa 5 albo borowa ogrzewana indukcyjnie lub oporowo do temperatury 1200 — 2300°C, przy czym weglik boru w postaci krystalicznej gromadzi sie na po¬ wierzchni rury lub preta. Z. G. „Ruch" W-wa, zam. 568-65 naklad 250 egz. PL
PL104144A 1964-03-27 PL49780B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL49780B1 true PL49780B1 (pl) 1965-06-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3120451A (en) Pyrolytic method for precipitating silicon semiconductor material
JP6067758B2 (ja) 多結晶シリコン
JPS5945918A (ja) 密度の高い粉末状純けい素及びその製造方法
JP3705623B2 (ja) シラン類の分解・還元反応装置および高純度結晶シリコンの製造方法
KR102490962B1 (ko) 할로실란을 분리하는 방법
Mierzejewska et al. Preparation of crystalline boron carbide by vapour phase reaction
PL49780B1 (pl)
JP6586405B2 (ja) トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法
Szekely Preparation of Pure Silicon by the Hydrogen Reduction of Silicon Tetraiodide
JPH0317768B2 (pl)
GB1570131A (en) Manufacture of silicon
JPS6156163B2 (pl)
Herrick et al. High‐Purity Silicon from an Iodide Process Pilot Plant
US3523816A (en) Method for producing pure silicon
Anfilogov et al. Carbothermal synthesis of nanoparticulate silicon carbide in a self-contained protective atmosphere
US3900660A (en) Manufacture of silicon metal from a mixture of chlorosilanes
NO132659B (pl)
US3446653A (en) Method for the production of silicon of high purity
US2080562A (en) Process for the production of ketene
US3201101A (en) Apparatus for the purification of metals
US3160476A (en) Process of producing compact boron, particularly in monocrystalline form
CN1327434A (zh) 生产单同位素硅Si28的方法
JP6620266B1 (ja) タンタル塩化物および、タンタル塩化物の製造方法
Lewis et al. Preparation of High‐Purity Silicon from Silane
JPS59121109A (ja) 高純度シリコンの製造方法