PL49780B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL49780B1 PL49780B1 PL104144A PL10414464A PL49780B1 PL 49780 B1 PL49780 B1 PL 49780B1 PL 104144 A PL104144 A PL 104144A PL 10414464 A PL10414464 A PL 10414464A PL 49780 B1 PL49780 B1 PL 49780B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- boron
- rod
- tube
- hydrogen
- carbon
- Prior art date
Links
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N [B].[C] Chemical compound [B].[C] PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 102000052666 B-Cell Lymphoma 3 Human genes 0.000 description 1
- 108700009171 B-Cell Lymphoma 3 Proteins 0.000 description 1
- 101150072667 Bcl3 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012434 pretzels Nutrition 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 20.VIII.1965 49780 KI. 12 i, 31/36 UKD 661.665.1 Wspóltwórcy wynalazku: Swietlana Mierzejewska, Tadeusz Niemyski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Fizyki), Warszawa 8/8LidTcu (Polska) ,w»tK •*- wara? Sposób otrzymywania weglika boru Weglik boru znajduje zastosowanie w technice wysokich temperatur i w technice reaktorowej. Ze wzgledu na siwa twardosc krysztaly weglika boru w wielu .przypadkach skutecznie zastepuja dia¬ menty. Ostatnio weglik boru znajduje zastosowa¬ nie w technologii pólprzewodników. W wielu przy¬ padkach problemem o zasadniczym znaczeniu jest uzyskanie weglika boru o wysokiej czystosci i okreslonej postaci krystalicznej.Znane sposoby otrzymywania weglika boru po¬ legaja na redukcji tlenków boru w -obecnosci we¬ gla na drucie wolframowym. Powyzsze sposoby nie zapewniaja mozliwosci uzyskania wiekszych poje¬ dynczych krysztalów o wysokiej czystosci.Sposób wedlug wynalazku umozliwia otrzymy¬ wanie weglika boru w postaci krystalicznej o wy¬ sokiej czystosci. Polega on na redukcji trójchlorku boru i czterochlorku wegla wodorem na precie grafitowym lub borowym w wysokiej temperatu¬ rze, wedlug nastepujacej reakcji 4BC13 + CC14 + + 8H2 = B4C + 16HCL.Trójchlorek boru i czterochlorek wegla oczysz¬ cza sie wstepnie na drodze destylacji frakcjonowa¬ nej. Mieszanine par tych skladników, najlepiej w stosunku stechiometrycznym, doprowadza sie razem z nadmiarem oczyszczonego wodoru do ru¬ ry kw7arcowej, w której znajduje isie pret lub rura z czystego grafitu albo z czystego boru. Pret lub rura ogrzewane sa indukcyjnie pradami wysokiej 20 30 czestotliwosci lub oporowo do temperatury 1200—2300°C. W zaleznosci od temperatury preta lub rury powstaje na ich powierzchni weglik boru krystaliczny lub mikrokrystaliczny. Krysztaly we¬ glika boru wielkosci rzedu 1—3 mm powstaja przy temperaturach od 1500 — 1700°C.Nadmiar wodoru, w stosunku do ilosci stechio- metrycznej, stosowac mozna 2—20-krotny. 10—12 krotny nadmiar wodoru sprzyja powstaniu duzych krysztalów z dobra wydajnoscia.Przyklad. Trójchlorek boru i czterochlorek wegla, po oczyszczeniu przez frakcjonowana de¬ stylacje, wlewa sie do kolb, znajdujacych sie w termostatach, w których ustala sie temperatury zapewniajace otrzymanie par BCL3 i CCL4 w sto¬ sunku stechiometrycznym. Pary te, wraz z wodo¬ rem przepuszczonym przez oczyszczalnik, dopro¬ wadza sie do rury kwarcowej o srednicy 40 mm.W rurze wzdluz jej osi umieszczony jest pret gra¬ fitowy ogrzewany indukcyjnie cewka generatora, znajdujaca sie na zewnatrz rury.Szybkosc przeplywu wodoru ustalono na 2,5 l/min, mieszaniny par B,C14 i OCl4 — na 1 g/min, przy temperaturze preta grafitowego utrzymywa¬ nej w granicach 2000 + 20°C. Po 3 godzinach otrzy¬ mano na precie grafitowym weglik boru w posta¬ ci pojedynczych krysztalów o wymiarach okolo 1 mm, które latwo dalo sie oddzielic mechanicznie.Wydajnosc reakcji okolo 45%. Analiza spektralna 497803 wykazala nastepujace zanieczyszczenia otrzyma¬ nych krysztalów: Mg — 10-50/o i Si — 10-40/o. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania weglika boru o wysokiej czystosci, znamienny tym, ze pary, oczyszczonych na drodze frakcjonowanej destylacji, czterochlor- 780 4 ku wegla i trójchlorku boru najlepiej w stosunku stechiometrycznym przepuszcza sie wraz z 2—20- -krotnym nadmiarem wodoru przez rure kwarco¬ wa, w której znajduje sie pret lub rura grafitowa 5 albo borowa ogrzewana indukcyjnie lub oporowo do temperatury 1200 — 2300°C, przy czym weglik boru w postaci krystalicznej gromadzi sie na po¬ wierzchni rury lub preta. Z. G. „Ruch" W-wa, zam. 568-65 naklad 250 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL49780B1 true PL49780B1 (pl) | 1965-06-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2595620A (en) | Hydrogenation of halogenosilanes | |
| US3120451A (en) | Pyrolytic method for precipitating silicon semiconductor material | |
| JP6067758B2 (ja) | 多結晶シリコン | |
| JPS5945918A (ja) | 密度の高い粉末状純けい素及びその製造方法 | |
| US3041145A (en) | Production of pure silicon | |
| KR102490962B1 (ko) | 할로실란을 분리하는 방법 | |
| PL49780B1 (pl) | ||
| JP6586405B2 (ja) | トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法 | |
| GB1570131A (en) | Manufacture of silicon | |
| Herrick et al. | High‐Purity Silicon from an Iodide Process Pilot Plant | |
| US3523816A (en) | Method for producing pure silicon | |
| Anfilogov et al. | Carbothermal synthesis of nanoparticulate silicon carbide in a self-contained protective atmosphere | |
| US3900660A (en) | Manufacture of silicon metal from a mixture of chlorosilanes | |
| NO132659B (pl) | ||
| US3446653A (en) | Method for the production of silicon of high purity | |
| US2080562A (en) | Process for the production of ketene | |
| US3201101A (en) | Apparatus for the purification of metals | |
| Derevyanko et al. | Studies of polytype silicon carbide produced from recycled materials | |
| US3160476A (en) | Process of producing compact boron, particularly in monocrystalline form | |
| Lewis et al. | Preparation of High‐Purity Silicon from Silane | |
| JP6620266B1 (ja) | タンタル塩化物および、タンタル塩化物の製造方法 | |
| JPS59121109A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| JPS63117906A (ja) | 多結晶シリコン製造装置用部材 | |
| GB2227240A (en) | Silicon carbide or nitride | |
| CN103626184B (zh) | 一种高纯液体多晶硅的制备方法 |