PL444915A1 - Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych - Google Patents

Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych

Info

Publication number
PL444915A1
PL444915A1 PL444915A PL44491523A PL444915A1 PL 444915 A1 PL444915 A1 PL 444915A1 PL 444915 A PL444915 A PL 444915A PL 44491523 A PL44491523 A PL 44491523A PL 444915 A1 PL444915 A1 PL 444915A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
decomposing
mono
polycrystalline silicon
resistance element
silicon photovoltaic
Prior art date
Application number
PL444915A
Other languages
English (en)
Inventor
Andrzej Habryń
Marcin Habryń
Original Assignee
Delam Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Delam Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością filed Critical Delam Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority to PL444915A priority Critical patent/PL444915A1/pl
Publication of PL444915A1 publication Critical patent/PL444915A1/pl

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B09DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
    • B09BDISPOSAL OF SOLID WASTE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B09B3/00Destroying solid waste or transforming solid waste into something useful or harmless
    • B09B3/30Destroying solid waste or transforming solid waste into something useful or harmless involving mechanical treatment
    • B09B3/35Shredding, crushing or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C18/00Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26DCUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D7/00Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D7/08Means for treating work or cutting member to facilitate cutting
    • B26D7/10Means for treating work or cutting member to facilitate cutting by heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26FPERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F3/00Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
    • B26F3/06Severing by using heat
    • B26F3/08Severing by using heat with heated members
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

Przedmiotem niniejszego zgłoszenia przedstawionym schematyczne na rysunku jest sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych, w którym warstwy paneli fotowoltaicznych rozdziela się na szkło hartowane i ogniwa krzemowe poprzez odwarstwienie się przy użyciu noża termicznego folii tylnej oraz płytek krzemowych; charakteryzujący się tym, że jako nóż termiczny stosuje się element oporowy, taki jak drut oporowy albo taśma oporowa o najmniejszym przekroju nie większym niż 0,4 mm; nóż termiczny jest wyposażony w czujnik temperatury, korzystnie pirometr bezkontaktowy; temperatura elementu oporowego jest nie wyższa niż 125% temperatury mięknienia polimeru łączącego poszczególne warstwy krzemowego panelu fotowoltaicznego i korzystnie wynosi od 90°C do 170°C; element oporowy wykonuje ruchy oscylacyjne wzdłuż linii oddzielania.
PL444915A 2023-05-16 2023-05-16 Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych PL444915A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444915A PL444915A1 (pl) 2023-05-16 2023-05-16 Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444915A PL444915A1 (pl) 2023-05-16 2023-05-16 Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL444915A1 true PL444915A1 (pl) 2024-11-18

Family

ID=93522713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL444915A PL444915A1 (pl) 2023-05-16 2023-05-16 Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL444915A1 (pl)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109227614A (zh) * 2018-09-25 2019-01-18 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 太阳能电池切刀组件及太阳能电池的制造方法
EP3676879A1 (fr) * 2017-08-30 2020-07-08 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede de desassemblage d'un module photovoltaïque et installation associee

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3676879A1 (fr) * 2017-08-30 2020-07-08 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede de desassemblage d'un module photovoltaïque et installation associee
CN109227614A (zh) * 2018-09-25 2019-01-18 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 太阳能电池切刀组件及太阳能电池的制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R. DENG, NL. CHANG, Z. OUYANG, CM. CHONG: "Renewable and Sustainable Energy Reviews Volume 109, July 2019, Pages 532-550", A TECHNO-ECONOMIC REVIEW OF SILICON PHOTOVOLTAIC MODULE RECYCLING *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. A critical review on flexible Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) solar cells
Huang et al. First-principles study of γ-CuI for p-type transparent conducting materials
Rance et al. 14%-efficient flexible CdTe solar cells on ultra-thin glass substrates
WO2013025451A3 (en) Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass
CN103258881B (zh) 薄膜太阳能电池板及其制备方法
CN106660801B (zh) 石墨烯结构及其制备方法
IN2012DN00690A (pl)
DeBergalis Fluoropolymer films in the photovoltaic industry
CN103296114A (zh) 太阳能汽车天窗及其制作方法
Singh et al. A comparative study of different polymer materials for the development of flexible crystalline silicon modules
CN103339745A (zh) Cu-In-Ga-Se太阳能电池用玻璃基板及使用该玻璃基板的太阳能电池
McGott et al. Thermomechanical lift-off and recontacting of CdTe solar cells
TW201348170A (zh) Cu-In-Ga-Se太陽能電池用玻璃基板及使用其之太陽能電池
PL444915A1 (pl) Sposób dekompozycji krzemowych paneli fotowoltaicznych mono i polikrystalicznych
US8148192B2 (en) Transparent solar cell method of fabrication via float glass process
CN104080749A (zh) Cu-In-Ga-Se太阳能电池用玻璃基板及使用该玻璃基板的太阳能电池
Wang et al. Validation of density functional theory methods for predicting the optical properties of cu-based multinary chalcogenide semiconductors
EP2302702A3 (en) Large Scale Method And Furnace System For Selenization Of Thin Film Photovoltaic Materials
Saïdi et al. Elaboration and characterization of CuInSe2 thin films using one-step electrodeposition method on silicon substrate for photovoltaic application
CN103928553A (zh) 一种柔性晶硅太阳能电池组件
CN103180962A (zh) 具有氧化物层的光伏装置
PL407336A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
CN203950817U (zh) 一种柔性晶硅太阳能电池组件
Mughal et al. All-electrodeposited p-Cu 2 ZnSnS 4/n-In 2 S 3 Heterojunction Formation for Solar Cell Applications
FR2974450B1 (fr) Intégration d'une couche 2d d'oxyde métallique sur un substrat plastique conducteur