PL442685A1 - Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką - Google Patents

Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką

Info

Publication number
PL442685A1
PL442685A1 PL442685A PL44268522A PL442685A1 PL 442685 A1 PL442685 A1 PL 442685A1 PL 442685 A PL442685 A PL 442685A PL 44268522 A PL44268522 A PL 44268522A PL 442685 A1 PL442685 A1 PL 442685A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
turn
measuring
energy
insulated gate
bipolar transistors
Prior art date
Application number
PL442685A
Other languages
English (en)
Inventor
Krzysztof Górecki
Paweł Górecki
Original Assignee
Uniwersytet Morski W Gdyni
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Uniwersytet Morski W Gdyni filed Critical Uniwersytet Morski W Gdyni
Priority to PL442685A priority Critical patent/PL442685A1/pl
Publication of PL442685A1 publication Critical patent/PL442685A1/pl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/2617—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring switching properties thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia przedstawionym na rysunku jest sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką. Zgłoszenie ma zastosowanie przy kontroli jakości półprzewodnikowych przyrządów mocy dla przemysłu elektronicznego i elektrotechnicznego.
PL442685A 2022-10-28 2022-10-28 Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką PL442685A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL442685A PL442685A1 (pl) 2022-10-28 2022-10-28 Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL442685A PL442685A1 (pl) 2022-10-28 2022-10-28 Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL442685A1 true PL442685A1 (pl) 2024-04-29

Family

ID=90885598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL442685A PL442685A1 (pl) 2022-10-28 2022-10-28 Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL442685A1 (pl)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150032393A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Tektronix, Inc. Switching loss measurement and plot in test and measurement instrument
CN111308308A (zh) * 2020-03-23 2020-06-19 湖南银河电气有限公司 一种大功率igbt开关特性测试装置
CN111579958A (zh) * 2020-05-20 2020-08-25 全球能源互联网研究院有限公司 一种igbt开关特性测试电路及测试方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150032393A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Tektronix, Inc. Switching loss measurement and plot in test and measurement instrument
CN111308308A (zh) * 2020-03-23 2020-06-19 湖南银河电气有限公司 一种大功率igbt开关特性测试装置
CN111579958A (zh) * 2020-05-20 2020-08-25 全球能源互联网研究院有限公司 一种igbt开关特性测试电路及测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109494969B (zh) 一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路
TWI599156B (zh) 驅動變壓器隔離自適應驅動電路
US9190897B2 (en) High-voltage heavy-current drive circuit applied in power factor corrector
Chinthavali et al. Investigation on the parallel operation of discrete SiC BJTs and JFETs
CN101814527A (zh) 一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法
DE502005010477D1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines elektrischen Leistungsschalters auf hohem Spannungspotenzial
KR870009542A (ko) Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열
PL442685A1 (pl) Sposób pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką i układ do pomiaru energii włączania i wyłączania tranzystorów bipolarnych mocy z izolowaną bramką
CN116155252A (zh) 一种igbt栅极驱动电路
US20120229200A1 (en) Gate drive circuit and power semiconductor module
CN104977517A (zh) 功率半导体器件的高温测试方法
CN109698608A (zh) 一种开关器件及其采用的控制方法
Kitai et al. Low on-resistance and fast switching of 13-kV SiC MOSFETs with optimized junction field-effect transistor region
CN111327302B (zh) 一种SiC MOSFET有源驱动电路
Kampitsis et al. Performance consideration of an AC coupled gate drive circuit with forward bias for normally-on SiC JFETs
Şahin et al. An overview on MOSFET drivers and converter applications
CN109217645B (zh) 一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法
KR102026929B1 (ko) 전력 스위치용 게이트 구동회로
CN210444192U (zh) 小功率片内整流桥电路
CN203434883U (zh) 一种自激推挽式高频变换器
CN103762237A (zh) 具有场板结构的横向功率器件
CN112383296B (zh) 双向组合开关
Pai et al. Simulation and implementation of a two‐mode‐operation transconductance regulator with a Gallium Nitride High‐Electron‐Mobility Transistor
CN204615634U (zh) 抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路
CN220022774U (zh) Igbt的驱动电路