PL440480A1 - Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony - Google Patents

Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony

Info

Publication number
PL440480A1
PL440480A1 PL440480A PL44048022A PL440480A1 PL 440480 A1 PL440480 A1 PL 440480A1 PL 440480 A PL440480 A PL 440480A PL 44048022 A PL44048022 A PL 44048022A PL 440480 A1 PL440480 A1 PL 440480A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sub
layer
type conductivity
emitting diode
electron
Prior art date
Application number
PL440480A
Other languages
English (en)
Inventor
Czesław Skierbiszewski
Julia Sławińska
Mikołaj Chlipała
Marcin Siekacz
Kacper ORESZCZUK
Aleksander RODEK
Piotr KOSSACKI
Original Assignee
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Uniwersytet Warszawski
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk, Uniwersytet Warszawski filed Critical Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL440480A priority Critical patent/PL440480A1/pl
Priority to PL23152548.6T priority patent/PL4239694T3/pl
Priority to EP23152548.6A priority patent/EP4239694B1/en
Publication of PL440480A1 publication Critical patent/PL440480A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/86—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group II-VI materials, e.g. ZnO
    • H10D62/864—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group II-VI materials, e.g. ZnO further characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Hybrydowa dioda zawiera emiter (13) fotonów w postaci monowarstwy dichaklogenku metalu przejściowego TMD oraz źródło światła pobudzającego ten emiter (13), w postaci diody LED wykonanej z azotków metali III grupy na podłożu krystalicznym (1) z azotku galu. Strukturę tej diody stanowią dolna warstwa o przewodnictwie typu n (2), złącze tunelowe (3), warstwa wstrzykująca dziury (4), obszar aktywny (5, 6, 7), warstwa wstrzykująca elektrony (8) oraz górna warstwa o przewodnictwie typu n (9). Emiter fotonów (13) umieszczony jest na górnej powierzchni górnej warstwy o przewodnictw typu n (9) w obszarze emisji światła pobudzającego otoczonym obszarem (12) struktury epitaksjalnej zdezaktywowanej elektrycznie metodą implantacji jonów rozciągającej się pionowo od górnej powierzchni warstwy wstrzykującej elektrony (8) do wnętrza dolnej warstwy o przewodnictwie typu n (2). Obszar emisji światła pobudzającego na górnej powierzchni warstwy wstrzykującej elektrony (8) ma pole powierzchni w zakresie od 7 do 5000 µm<sup>2</sup> i daje się wpisać w okrąg o średnicy (D) nie mniejszej niż 3 µm. Obszar aktywny diody elektroluminescencyjnej stanowią dolna warstwa barierowa (5), warstwa studni kwantowej (6) i górna warstwa barierowa (7). Dolna (5) i górna (7) warstwa barierowa wykonane są z niedomieszkowanego stopu azotku indowo-galowego In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N, w którym zawartość x indu wynosi od 0,01 do 0,08, zaś warstwa studni kwantowej (6) wykonana jest z niedomieszkowanego stopu azotku indowo-galowego In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N, w którym zawartość y indu wynosi od 0,1 do 0,2. Sposób polega na wytworzeniu opisanej wyżej struktury warstwowej w procesie wzrostu epitaksjalnego z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE), ograniczeniu obszaru emisji diody LED metodą implantacji jonów i umieszczenia na tak ograniczonym polu emitera (13) fotonów.
PL440480A 2022-02-26 2022-02-26 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony PL440480A1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440480A PL440480A1 (pl) 2022-02-26 2022-02-26 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony
PL23152548.6T PL4239694T3 (pl) 2022-02-26 2023-01-19 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna i sposób jej wytwarzania
EP23152548.6A EP4239694B1 (en) 2022-02-26 2023-01-19 Hybrid light emitting diode and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440480A PL440480A1 (pl) 2022-02-26 2022-02-26 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL440480A1 true PL440480A1 (pl) 2023-08-28

Family

ID=85571287

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL440480A PL440480A1 (pl) 2022-02-26 2022-02-26 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony
PL23152548.6T PL4239694T3 (pl) 2022-02-26 2023-01-19 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna i sposób jej wytwarzania

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL23152548.6T PL4239694T3 (pl) 2022-02-26 2023-01-19 Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna i sposób jej wytwarzania

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4239694B1 (pl)
PL (2) PL440480A1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN120882185B (zh) * 2025-09-26 2025-12-09 微玖(苏州)光电科技有限公司 一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010014177A1 (de) * 2010-04-01 2011-10-06 Jenoptik Polymer Systems Gmbh Oberflächenemittierende Halbleiter-Leuchtdiode
US10431956B2 (en) * 2015-07-14 2019-10-01 International Business Machines Corporation Nanocavity monolayer laser monolithically integrated with LED pump
CN111261764B (zh) * 2020-01-22 2021-10-15 山西穿越光电科技有限责任公司 一种蓝光/红光双色led芯片封装结构及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4239694A1 (en) 2023-09-06
PL4239694T3 (pl) 2025-03-31
EP4239694C0 (en) 2024-09-25
EP4239694B1 (en) 2024-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9257599B2 (en) Semiconductor light emitting device including hole injection layer
JP5048076B2 (ja) 電流拡散層を含む発光ダイオードの製造方法
US8017931B2 (en) LED and fabrication method thereof
CN111599902B (zh) 一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管
TW201338197A (zh) 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
US20050006636A1 (en) Optoelectronic device having dual-structural nano dot and method for manufacturing the same
CN109256444B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制备方法
TW202347817A (zh) 發光裝置和發光裝置的製造方法
JP2025507564A5 (pl)
Turski et al. Nitride LEDs and lasers with buried tunnel junctions
CN100530726C (zh) Ⅲ-ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
TWI763377B (zh) 發光元件
JP2017045798A (ja) 窒化物半導体積層体および半導体発光素子
JP2008078297A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
JP2803791B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JP3763701B2 (ja) 窒化ガリウム系半導体発光素子
KR101349444B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090126799A (ko) 화합물 반도체 발광소자 및 발광소자를 위한 발광소자의화합물 반도체 조성비 결정방법
WO2024066412A1 (zh) 红外发光二极管及其制造方法
Xing et al. Increasing the hole energy by the p-type dual polarization for high internal quantum efficiency of 237 nm-band deep ultraviolet light-emitting diodes
TWM617989U (zh) 發光元件
Das et al. Performance Enhancement of AlInGaN Quantum Well based UV-LED
JP3444812B2 (ja) 半導体発光素子
KR102817111B1 (ko) 디스플레이용 반도체 광원 및 그 제조 방법
Wu et al. Tunneling Enhanced Structure for Improving the Performance of Ultraviolet Light-emitting Diodes