PL430415A1 - Cienkowarstwowy czujnik światłowodowy oraz sposób wykonania cienkowarstwowego czujnika światłowodowego - Google Patents

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest cienkowarstwowy czujnik światłowodowy z dwuwarstwową powłoką dielektryczną w obszarze czynnym czujnika, zwłaszcza czujnik przeznaczony do wykrywania i pomiaru koncentracji analitów chemicznych i biologicznych, oraz sposób wykonania cienkowarstwowego czujnika światłowodowego z dwuwarstwową powłoką dielektryczną. Czujnik według wynalazku ma dwuwarstwową powłokę dielektryczną, która znajduje się w obszarze czynnym czujnika, na rdzeniu (5) lub na płaszczu (3) światłowodu. Powłoka ta składa się z warstwy wewnętrznej (2), którą jest warstwa AlxOy o grubości co najmniej 10 nm, oraz z zewnętrznej warstwy (1), którą jest warstwa HfxOy lub warstwa ZrxOy lub warstwa TaxOY, o grubości co najmniej 1 nm. Zgłoszenie obejmuje też sposób wykonania cienkowarstwowego czujnika światłowodowego. Sposób ten polega na tym, że na rdzeniu lub płaszczu włókna światłowodowego w obszarze czynnym czujnika osadza się dwuwarstwową powłokę dielektryczną. Najpierw metodą ALD osadza się wewnętrzną warstwę powłoki z AlxOy o grubości co najmniej 10 nm, przy czym osadzanie prowadzi się w temperaturze nie wyższej niż 150°C. Następnie również metodą ALD osadza się warstwę zewnętrzną powłoki, warstwę HfxOy lub warstwę ZrxOy lub warstwę TaxOy, o grubości co najmniej 1 nm, przy czym osadzanie warstwy zewnętrznej prowadzi się w temperaturze nie wyższej niż 150°C.