PL419818A1 - Sposób wytwarzania warstwy sczepnej na podłożu żelaznym, stalowym, lub żeliwnym - Google Patents

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania warstwy sczepnej na podłożu żelaznym, stalowym lub żeliwnym, który polega na wytworzeniu warstwy organosilanowej zawierającej glinokrzemian. Sposób ten charakteryzuje się tym, że miesza się alkoksysilan i/lub jego ester, zawierający co najmniej jedną protonowaną grupę aminową i/lub czwartorzędową grupę oniową, korzystnie czwartorzędową grupę amoniową, z zawiesiną wodną lub wodno - alkoholową glinokrzemianu, a uzyskaną kompozycję nanosi się na podłoże. Wytworzenie powłoki organosilanowej na podłożu polega na reakcji hydrolizy i kondensacji alkoksysilanu i/lub jego estrów, w tym z grupami hydroksylowymi znajdującymi się na powierzchni podłoża i glinokrzemianu. Stosunek sumy protonowanych grup aminowych i/lub czwartorzędowych grup oniowych do sumy wszystkich grup silanowych w warstwie sczepnej nie przekracza 5 : 1. Proces hydrolizy i kondensacji alkoksysilanów prowadzi się w temperaturze od 0°C do 240°C. Zawiesinę glinokrzemianu stosuje się w takiej ilości, aby zawartość glinokrzemianu w warstwie sczepnej wynosiła od 0,001% wagowych do 50% wagowych.