PL403202A1 - Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu - Google Patents

Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu

Info

Publication number
PL403202A1
PL403202A1 PL403202A PL40320213A PL403202A1 PL 403202 A1 PL403202 A1 PL 403202A1 PL 403202 A PL403202 A PL 403202A PL 40320213 A PL40320213 A PL 40320213A PL 403202 A1 PL403202 A1 PL 403202A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
producing
substrate
porous
temperature
Prior art date
Application number
PL403202A
Other languages
English (en)
Other versions
PL223495B1 (pl
Inventor
Michał Borysiewicz
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej filed Critical Instytut Technologii Elektronowej
Priority to PL403202A priority Critical patent/PL223495B1/pl
Publication of PL403202A1 publication Critical patent/PL403202A1/pl
Publication of PL223495B1 publication Critical patent/PL223495B1/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe.
PL403202A 2013-03-18 2013-03-18 Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu PL223495B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL403202A PL223495B1 (pl) 2013-03-18 2013-03-18 Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL403202A PL223495B1 (pl) 2013-03-18 2013-03-18 Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL403202A1 true PL403202A1 (pl) 2014-09-29
PL223495B1 PL223495B1 (pl) 2016-10-31

Family

ID=51588860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL403202A PL223495B1 (pl) 2013-03-18 2013-03-18 Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL223495B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL223495B1 (pl) 2016-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG11202103381YA (en) Antifouling coating composition, antifouling coating film, substrate with antifouling coating film and method for producing same
ATE542929T1 (de) Verfahren zur ablagerung anorganischer materialien in ausgewählten bereichen
PL2161316T3 (pl) Kompozycja powłoki przeciwporostowej, sposób wytwarzania tej kompozycji, cienka powłoka przeciwporostowa utworzona przez tę kompozycję, element powlekany zawierający na powierzchni tę cienką powłokę oraz sposób obróbki przeciwporostowej dzięki wytworzeniu cienkiej powłoki
WO2012118947A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
DE602007006834D1 (de) Elektronische vorrichtung mit kunststoffsubstrat
MX2018000314A (es) Procesamiento de capa de material de perovskita.
PL2360213T3 (pl) Przeciwporostowa kompozycja powłokowa, przeciwporostowa błona powłokowa wytworzona z kompozycji, powlekany obiekt zawierający błonę powłokową na powierzchni oraz sposób obróbki przeciwporostowej przez wytworzenie błony powłokowej
EP3287498A3 (en) Composition and process for making a porous inorganic oxide coating
WO2015156852A3 (en) Transparent omniphobic thin film articles
ATE555067T1 (de) Kratzfeste silikonbeschichtung für kochflächen aus glas oder glaskeramik
PL2360214T3 (pl) Przeciwporostowa kompozycja powłokowa, przeciwporostowa błona powłokowa wytworzona z użyciem kompozycji, wyrób powlekany zawierający błonę powłokową na powierzchni oraz sposób obróbki przeciwporostowej z wytworzeniem błony powłokowej
FR2981346B1 (fr) Procede de traitement thermique de couches d'argent
EP3943462A3 (en) Tempered and non-tempered glass coatings having similar optical characteristics
EP3421560A4 (en) CORROSION PROTECTION COATING COMPOSITION, CORROSION PROTECTIVE COATING FILM, SUBSTRATE WITH CORROSION PROTECTIVE COATING FILM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO2011092017A8 (de) Verfahren zur herstellung eines beschichteten gegenstands mit texturätzen
EP3480267A4 (en) ANTIFOULING COATING MATERIAL COMPOSITION, ANTIFOULING COATING FILM, SUBSTRATE PROVIDED WITH THE ANTIFOULING COATING FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ANTIFOULING METHOD
WO2012148219A3 (ko) 전도성 섬유를 이용한 방열테이프 및 그 제조방법
MY163745A (en) Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices
BR112015015937A2 (pt) processo de aplicação de um material adesivo termofluído a um substrato e aparelho para aplicação de um material adesivo termofluído a uma série de substratos
EP3862462A4 (en) RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMING USE FOR USE IN ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMING USE, METHOD FOR MAKING A THIN FILM AND COMPOUND
PH12013502307A1 (en) Part having a dlc coating and method for applying the dlc coating
MX355373B (es) Deposicion de revestimientos de oxido inorganico ultra-delgados sobre empaque.
ATE491762T1 (de) Verfahren zum abtrennen von hochtemperaturfilmen und/oder vorrichtungen von metallsubstraten
IL200539A0 (en) Method and apparatus for the surface modification of flat substrates
WO2016042414A3 (de) Verfahren zur herstellung eines umgeformten schaltungsträgers, sowie umgeformter schaltungsträger