PL247166B1 - Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu - Google Patents

Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu Download PDF

Info

Publication number
PL247166B1
PL247166B1 PL443400A PL44340023A PL247166B1 PL 247166 B1 PL247166 B1 PL 247166B1 PL 443400 A PL443400 A PL 443400A PL 44340023 A PL44340023 A PL 44340023A PL 247166 B1 PL247166 B1 PL 247166B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
temperature
molybdenum trioxide
sub
moo3
Prior art date
Application number
PL443400A
Other languages
English (en)
Other versions
PL443400A1 (pl
Inventor
Mirosław Sawczak
Konrad Trzciński
Zuzanna Zarach
Mariusz Szkoda
Original Assignee
Instytut Masz Przeplywowych Im Roberta Szewalskiego Polskiej Akademii Nauk
Politechnika Gdanska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Masz Przeplywowych Im Roberta Szewalskiego Polskiej Akademii Nauk, Politechnika Gdanska filed Critical Instytut Masz Przeplywowych Im Roberta Szewalskiego Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL443400A priority Critical patent/PL247166B1/pl
Publication of PL443400A1 publication Critical patent/PL443400A1/pl
Publication of PL247166B1 publication Critical patent/PL247166B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00Compounds of molybdenum
    • C01G39/02Oxides; Hydroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu MoO<sub>3</sub>, charakteryzujący się tym, że na przewodzące szkło FTO lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO lub ZTO, osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu MoO<sub>3</sub> o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej, z trójtlenkiem molibdenu MoO<sub>3</sub> w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej. Kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200°C do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania warstw krystalicznych na bazie trójtlenku molibdenu. W szczególności odpowiedni dobór parametrów napylania umożliwia kontrolowany i ukierunkowany wzrost kryształów bezpośrednio na nieteksturyzowanych podłożach. Sposób ułożenia krystalitów budujących warstwę MoOa może wpływać na właściwości optyczne, katalityczne, fotokatalityczne oraz elektrochemiczne otrzymanego związku.
Z pracy Lou i in. [Influence of MoO3(110) Crystalline Plane on Its Self-Charging Photoelectrochemical Properties, Scientific Reports 4 (2014) 7428)] znany jest sposób otrzymywania trójtlenku molibdenu na blaszce molibdenowej. W pracy przedstawiono wpływ obecności wody w roztworze do anodyzacji na wzrost kryształów MoO3. Wzrost stężenia wody w elektrolicie spowodował ekspozycję płaszczyzny (110). Wykazano, że naparowywanie warstwy z metalicznego molibdenu na szkle krzemionkowym prowadzi do uzyskania warstwy krystalicznej MoO3 z wyeksponowaną płaszczyzną (002) [C. Julien i in. Lithium intercalation in MoO3: A comparison between crystalline and disordered phases, Appl. Phys. A 59 (1994) 173].
Podobny efekt został uzyskany dla warstw MoO3 uzyskanych z wykorzystaniem pirolizy natryskowej amoniakalnego roztworu MoO3 [S.S.Mahajan i in. Concentration Dependent Structural, Optical and Electrochromic Properties of MoO3 Thin Films, Int. J. Electrochem. Sci., 3 (2008) 953]. Termiczne odparowywanie MoO3 i osadzanie na podłożu typu ITO prowadzi do uzyskania warstwy amorficznej, która po wygrzaniu krystalizuje do warstwy z losowo zorientowanymi krystalitami [S. Tarsame i in., Study of Mg ion Intercalation in Polycrystalline MoO3 Thin Films, Japanese Journal of Applied Physics 43 (2004) 6248].
W opisie patentowym KR 102150836 B1 przedstawiona została metoda otrzymywania nanodrutów MoO3 bezpośrednio na płaskich podłożach. Wykorzystywana została metoda CVD - chemical vapour deposition.
Ze zgłoszenia patentowego CN 113184908 A przedstawiono otrzymywanie nanodrutów MoO3 w wyniku reakcji chemicznej w roztworze.
Metody syntezy MoO3 o kontrolowanej strukturze i morfologii zostały przedstawione w opisie patentowym KR 102305735 B1. Przedstawiono syntezę materiału w postaci proszków. Natomiast w zgłoszeniu patentowym JP 2022037504 A przedstawiona została metoda termicznego naparowywania MoO3 na podłoża.
Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu MoO3 według wynalazku, charakteryzuje się tym, że na przewodzące szkło FTO (czyli fluorine-doped tin oxide) lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO (czyli indium tin oxid) lub ZTO (czyli zinc tin oxide), osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu MoO3 o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej (czyli PLD), z trójtlenkiem molibdenu MoO3 w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej, w warunkach ablacji: w temperaturze 21-500°C, przy ciśnieniu tlenu 0,5-1 mbar, wiązką laserową o długości 266 nm, z długością trwania impulsu 6 ns, z gęstością energii lasera 2,5 J cm-2, z czasem osadzania od 120 do 240 min. Kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200 do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.
Korzystnie przy temperaturze procesu ablacji poniżej 200°C po procesie napylania, otrzymaną warstwę poddaje się kalcynacji, w przedziale temperatur od 200 do 700°C w atmosferze powietrza lub tlenu przez 0.2 do 5 godzin, od wygrzewania natychmiastowego i otrzymania krystalitów zorientowanych do wygrzewania z kontrolowanym wzrostem temperatury od 30 do 200°C/h i otrzymania krystalitów ułożonych losowo.
Otrzymany materiał FTO/MoO3 poddaje się procesowi termicznej krystalizacji in-situ, czyli w trakcie napylania, bądź ex-situ, czyli po procesie napylania w przedziale temperatur od 200 do 700°C przez 0.2-5 godzin z kontrolowaną szybkością grzania (od 30 do 1000°C/h lub próbka wkładana jest bezpośrednio do gorącego pieca). Zarówno temperatura, tempo grzania, sposób napylania, jak i czas kalcynacji mają istotny wpływ na typ wzrostu krystalitów.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia porównanie morfologii warstw MoO3 otrzymanych a) podczas krystalizacji in-situ, b) podczas krystalizacji ex-situ z szybkością wygrzewania 60°C/h oraz c) podczas krystalizacji ex-situ (natychmiastowe grzanie), zaś fig. 2 przedstawia porównanie dyfraktogramów warstw otrzymanych a) podczas krystalizacji in-situ, b) podczas krystalizacji ex-situ z szybkością wygrzewania 60°C/h oraz c) podczas krystalizacji ex-situ (natychmiastowe grzanie), d) Komórka elementarna M0O3 oraz wizualizacja kryształu z zaznaczonymi płaszczyznami.
Przykład 1
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na komercyjnie dostępne, transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z odtłuszczonej blaszki molibdenowej (>99,9%) o grubości 1 mm. Temperatura podczas osadzania była stała i wynosiła 450°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 1 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm2. Czas osadzania to 120 min. Grubość osadzonej warstwy wynosi około 450 nm, a kryształy w warstwie są zorientowane w ten sposób, że wyeksponowane są płaszczyzny (102) oraz (011).
P rzy kła d 2
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z proszku MoO3 sprasowanego przy użyciu prasy hydraulicznej w pastylkę o średnicy 10 mm i wygrzanej przez 10 h w temperaturze 794°C. Proces osadzania przeprowadzono w temperaturze pokojowej, tzn. 21°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 0.5 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm-2. Czas osadzania to 240 min. Otrzymana warstwa była amorficzna, a jej grubość wynosiła około 800 nm. Materiał poddano kalcynacji przez 3 h w temperaturze 500°C z szybkością grzania 60°C/h. Procedura prowadzi do uzyskania krystalicznej warstwy MoO3 o losowym ułożeniu krystalitów (płaszczyzny (002), (102) oraz (011) są równomiernie eksponowane).
P rzy kła d 3
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z odtłuszczonej blaszki molibdenowej o grubości 1 mm. Proces osadzania przeprowadzono w temperaturze pokojowej, tzn. 21°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 0.5 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm-2. Czas osadzania to 240 min. Otrzymana warstwa była amorficzna, a jej grubość wynosiła około 800 nm. Materiał poddano kalcynacji przez 1 h w temperaturze 500°C. Próbka została włożona bezpośrednio do nagrzanego pieca. Procedura prowadzi do uzyskania krystalicznej warstwy MoO3 o preferowanym ułożeniu krystalitów (płaszczyzna (002) wyeksponowana).
P rzy kła d 4
Ilustracja wyników
Fig. 1 przedstawia zdjęcie wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM) powierzchni otrzymanych materiałów w zależności od sposobu otrzymywania. Zaproponowane parametry syntezy prowadzą do otrzymania różnych mikrostruktur. Fig. 1a przedstawia materiał otrzymany podczas syntezy in-situ, który charakteryzuje się tym, że płaszczyzny (011) oraz (102) są wyeksponowane. Na fig. 1b można zaobserwować losowe ułożenie krystalitów, bez wyraźnie wyróżnionej orientacji (materiał otrzymano metodą wygrzewania ex-situ, z szybkością grzania 60°C/h). Na fig. 1c przedstawiono morfologię warstwy napylonej w temperaturze pokojowej, a następnie wygrzanej (metoda ex-situ), jednak próbka wygrzana została poprzez włożenie jej do gorącego już pieca. Taka procedura prowadzi do uzyskania warstwy MoO3 z wyeksponowaną płaszczyzną (002).
Na fig. 2 przedstawiono dyfraktogramy, które ujawniają różnice w strukturze krystalograficznej MoO3 w zależności od metody przygotowania materiału. Każda z procedur prowadzi do uzyskania warstwy MoO3 o strukturze rombowej, jednak różnice w stosunkach intensywności refleksów potwierdzają, że zmiana parametrów osadzania i kalcynacji wpływa w sposób kontrolowany na orientacje powstałych krystalitów. Grafika przedstawiona na fig. 2d to komórka elementarna struktury krystalicznej oraz wizualizacja kryształu MoO3 z oznaczonymi płaszczyznami, co ułatwia interpretację prezentowanych rezultatów.

Claims (2)

1. Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu M0O3, znamienny tym, że na przewodzące szkło FTO lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO lub ZTO, osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu M0O3 o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej, z trójtlenkiem molibdenu M0O3 w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej, w warunkach ablacji: - w temperaturze 21-500°C, - przy ciśnieniu tlenu 0,5-1 mbar, - wiązką laserową o długości 266 nm, - z długością trwania impulsu 6 ns, - z gęstością energii lasera 2,5 J cm-2, - z czasem osadzania od 120 do 240 min, zaś kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200 do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przy temperaturze procesu ablacji poniżej 200°C po procesie napylania, otrzymaną warstwę poddaje się kalcynacji, w przedziale temperatur od 200 do 700°C w atmosferze powietrza lub tlenu przez 0.2 do 5 godzin, od wygrzewania natychmiastowego i otrzymania krystalitów zorientowanych do wygrzewania z kontrolowanym wzrostem temperatury od 30 do 200°C/h i otrzymania krystalitów ułożonych losowo.
PL443400A 2023-01-02 2023-01-02 Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu PL247166B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL443400A PL247166B1 (pl) 2023-01-02 2023-01-02 Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL443400A PL247166B1 (pl) 2023-01-02 2023-01-02 Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL443400A1 PL443400A1 (pl) 2024-07-08
PL247166B1 true PL247166B1 (pl) 2025-05-26

Family

ID=91810537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL443400A PL247166B1 (pl) 2023-01-02 2023-01-02 Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL247166B1 (pl)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201620838A (zh) * 2014-11-07 2016-06-16 攀時歐洲公司 金屬氧化物薄膜,沉積金屬氧化物薄膜的方法及包含金屬氧化物薄膜的裝置
CN110637102A (zh) * 2018-03-13 2019-12-31 捷客斯金属株式会社 氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体
TW202035293A (zh) * 2019-03-29 2020-10-01 奧地利商攀時歐洲公司 製造含氧化鉬層的濺鍍靶

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201620838A (zh) * 2014-11-07 2016-06-16 攀時歐洲公司 金屬氧化物薄膜,沉積金屬氧化物薄膜的方法及包含金屬氧化物薄膜的裝置
CN110637102A (zh) * 2018-03-13 2019-12-31 捷客斯金属株式会社 氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体
TW202035293A (zh) * 2019-03-29 2020-10-01 奧地利商攀時歐洲公司 製造含氧化鉬層的濺鍍靶

Also Published As

Publication number Publication date
PL443400A1 (pl) 2024-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Parize et al. In situ analysis of the crystallization process of Sb2S3 thin films by Raman scattering and X-ray diffraction
Rao et al. Structural and electrical properties of TiO2 thin films
Korkmaz et al. Morphology, composition, structure and optical properties of CuO/Cu2O thin films prepared by RF sputtering method
EP0580019A1 (en) Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
CN112289932A (zh) 钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
Sivakumar et al. Studies on the effect of substrate temperature on (VI–VI) textured tungsten oxide (WO3) thin films on glass, SnO2: F substrates by PVD: EBE technique for electrochromic devices
Karuppuchamy et al. Cathodic electrodeposition of nanoporous ZnO thin films from new electrochemical bath and their photoinduced hydrophilic properties
Guo et al. High-quality transparent conductive indium oxide film deposition by reactive pulsed magnetron sputtering: Determining the limits of substrate heating
Deo et al. Metal chalcogenide nanocrystalline solid thin films
Al-Asedy et al. Properties of Al-and Ga-doped thin zinc oxide films treated with UV laser radiation
PL247166B1 (pl) Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu
De Mesa et al. Effects of Deposition Pressure and Target-Substrate Distance on Growth of ZnO by Femtosecond Pulsed Laser Deposition.
Golego et al. Polycrystalline RbTiOPO4 and KTiOPO4 bilayer thin films by spray pyrolysis
Chen et al. Production of amorphous tin oxide thin films and microstructural transformation induced by heat treatment
Alrefaee et al. Growth of ZnO nanostructured thin films by non conventional sol-gel method and the effect of annealing temperature on its properties
Zhao et al. Preparation and characterization of ZnO nanorods from NaOH solutions with assisted electrical field
Mary et al. Structural and optical studies of molarity based ZnO thin films
Dixit et al. Effect of oxygen partial pressure on the growth of molybdenum trioxide thin films
Bodnar et al. Structural and optical properties of AgIn5S8 films prepared by pulsed laser deposition
Deng et al. Comparison of vanadium oxide thin films prepared using femtosecond and nanosecond pulsed laser deposition
Bel-Hadj-Tahar Morphological and electrical investigations of lead zirconium titanate thin films processed at low temperature by a novel sol-gel system
THONGJOON et al. Influence of annealing times for W films on the structure and electrochromic properties of anodized WO\(_ {3}\) films
Wijaya et al. Thermal Annealing Effect of Strontium Stannate Thin Film Grown by an RF Magnetron Sputtering
Bendahmane et al. Growth and properties of SnO2 thin films obtained by spray pyrolysis technique
Manallah et al. Structural, SEM and Nucleation Characterization of Electrochemically Synthesized CuInSe2 Thin Films