PL247166B1 - Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu - Google Patents
Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu Download PDFInfo
- Publication number
- PL247166B1 PL247166B1 PL443400A PL44340023A PL247166B1 PL 247166 B1 PL247166 B1 PL 247166B1 PL 443400 A PL443400 A PL 443400A PL 44340023 A PL44340023 A PL 44340023A PL 247166 B1 PL247166 B1 PL 247166B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- temperature
- molybdenum trioxide
- sub
- moo3
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu MoO<sub>3</sub>, charakteryzujący się tym, że na przewodzące szkło FTO lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO lub ZTO, osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu MoO<sub>3</sub> o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej, z trójtlenkiem molibdenu MoO<sub>3</sub> w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej. Kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200°C do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania warstw krystalicznych na bazie trójtlenku molibdenu. W szczególności odpowiedni dobór parametrów napylania umożliwia kontrolowany i ukierunkowany wzrost kryształów bezpośrednio na nieteksturyzowanych podłożach. Sposób ułożenia krystalitów budujących warstwę MoOa może wpływać na właściwości optyczne, katalityczne, fotokatalityczne oraz elektrochemiczne otrzymanego związku.
Z pracy Lou i in. [Influence of MoO3(110) Crystalline Plane on Its Self-Charging Photoelectrochemical Properties, Scientific Reports 4 (2014) 7428)] znany jest sposób otrzymywania trójtlenku molibdenu na blaszce molibdenowej. W pracy przedstawiono wpływ obecności wody w roztworze do anodyzacji na wzrost kryształów MoO3. Wzrost stężenia wody w elektrolicie spowodował ekspozycję płaszczyzny (110). Wykazano, że naparowywanie warstwy z metalicznego molibdenu na szkle krzemionkowym prowadzi do uzyskania warstwy krystalicznej MoO3 z wyeksponowaną płaszczyzną (002) [C. Julien i in. Lithium intercalation in MoO3: A comparison between crystalline and disordered phases, Appl. Phys. A 59 (1994) 173].
Podobny efekt został uzyskany dla warstw MoO3 uzyskanych z wykorzystaniem pirolizy natryskowej amoniakalnego roztworu MoO3 [S.S.Mahajan i in. Concentration Dependent Structural, Optical and Electrochromic Properties of MoO3 Thin Films, Int. J. Electrochem. Sci., 3 (2008) 953]. Termiczne odparowywanie MoO3 i osadzanie na podłożu typu ITO prowadzi do uzyskania warstwy amorficznej, która po wygrzaniu krystalizuje do warstwy z losowo zorientowanymi krystalitami [S. Tarsame i in., Study of Mg ion Intercalation in Polycrystalline MoO3 Thin Films, Japanese Journal of Applied Physics 43 (2004) 6248].
W opisie patentowym KR 102150836 B1 przedstawiona została metoda otrzymywania nanodrutów MoO3 bezpośrednio na płaskich podłożach. Wykorzystywana została metoda CVD - chemical vapour deposition.
Ze zgłoszenia patentowego CN 113184908 A przedstawiono otrzymywanie nanodrutów MoO3 w wyniku reakcji chemicznej w roztworze.
Metody syntezy MoO3 o kontrolowanej strukturze i morfologii zostały przedstawione w opisie patentowym KR 102305735 B1. Przedstawiono syntezę materiału w postaci proszków. Natomiast w zgłoszeniu patentowym JP 2022037504 A przedstawiona została metoda termicznego naparowywania MoO3 na podłoża.
Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu MoO3 według wynalazku, charakteryzuje się tym, że na przewodzące szkło FTO (czyli fluorine-doped tin oxide) lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO (czyli indium tin oxid) lub ZTO (czyli zinc tin oxide), osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu MoO3 o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej (czyli PLD), z trójtlenkiem molibdenu MoO3 w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej, w warunkach ablacji: w temperaturze 21-500°C, przy ciśnieniu tlenu 0,5-1 mbar, wiązką laserową o długości 266 nm, z długością trwania impulsu 6 ns, z gęstością energii lasera 2,5 J cm-2, z czasem osadzania od 120 do 240 min. Kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200 do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.
Korzystnie przy temperaturze procesu ablacji poniżej 200°C po procesie napylania, otrzymaną warstwę poddaje się kalcynacji, w przedziale temperatur od 200 do 700°C w atmosferze powietrza lub tlenu przez 0.2 do 5 godzin, od wygrzewania natychmiastowego i otrzymania krystalitów zorientowanych do wygrzewania z kontrolowanym wzrostem temperatury od 30 do 200°C/h i otrzymania krystalitów ułożonych losowo.
Otrzymany materiał FTO/MoO3 poddaje się procesowi termicznej krystalizacji in-situ, czyli w trakcie napylania, bądź ex-situ, czyli po procesie napylania w przedziale temperatur od 200 do 700°C przez 0.2-5 godzin z kontrolowaną szybkością grzania (od 30 do 1000°C/h lub próbka wkładana jest bezpośrednio do gorącego pieca). Zarówno temperatura, tempo grzania, sposób napylania, jak i czas kalcynacji mają istotny wpływ na typ wzrostu krystalitów.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia porównanie morfologii warstw MoO3 otrzymanych a) podczas krystalizacji in-situ, b) podczas krystalizacji ex-situ z szybkością wygrzewania 60°C/h oraz c) podczas krystalizacji ex-situ (natychmiastowe grzanie), zaś fig. 2 przedstawia porównanie dyfraktogramów warstw otrzymanych a) podczas krystalizacji in-situ, b) podczas krystalizacji ex-situ z szybkością wygrzewania 60°C/h oraz c) podczas krystalizacji ex-situ (natychmiastowe grzanie), d) Komórka elementarna M0O3 oraz wizualizacja kryształu z zaznaczonymi płaszczyznami.
Przykład 1
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na komercyjnie dostępne, transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z odtłuszczonej blaszki molibdenowej (>99,9%) o grubości 1 mm. Temperatura podczas osadzania była stała i wynosiła 450°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 1 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm2. Czas osadzania to 120 min. Grubość osadzonej warstwy wynosi około 450 nm, a kryształy w warstwie są zorientowane w ten sposób, że wyeksponowane są płaszczyzny (102) oraz (011).
P rzy kła d 2
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z proszku MoO3 sprasowanego przy użyciu prasy hydraulicznej w pastylkę o średnicy 10 mm i wygrzanej przez 10 h w temperaturze 794°C. Proces osadzania przeprowadzono w temperaturze pokojowej, tzn. 21°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 0.5 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm-2. Czas osadzania to 240 min. Otrzymana warstwa była amorficzna, a jej grubość wynosiła około 800 nm. Materiał poddano kalcynacji przez 3 h w temperaturze 500°C z szybkością grzania 60°C/h. Procedura prowadzi do uzyskania krystalicznej warstwy MoO3 o losowym ułożeniu krystalitów (płaszczyzny (002), (102) oraz (011) są równomiernie eksponowane).
P rzy kła d 3
Warstwy trójtlenku molibdenu osadza się na transparentne i przewodzące szkło FTO w specjalnie przygotowanej komorze PLD (pulsacyjna ablacja laserowa), która pozwala na kontrolowanie parametrów takich jak temperatura i ciśnienie. Materiał napylano z odtłuszczonej blaszki molibdenowej o grubości 1 mm. Proces osadzania przeprowadzono w temperaturze pokojowej, tzn. 21°C. W komorze znajdował się tlen o ciśnieniu 0.5 mbar. Proces ablacji przeprowadza się przy użyciu wiązki lasera Nd:YAG (266 nm) o długości trwania impulsu 6 ns. Gęstość energii lasera ustalono na 2.5 J cm-2. Czas osadzania to 240 min. Otrzymana warstwa była amorficzna, a jej grubość wynosiła około 800 nm. Materiał poddano kalcynacji przez 1 h w temperaturze 500°C. Próbka została włożona bezpośrednio do nagrzanego pieca. Procedura prowadzi do uzyskania krystalicznej warstwy MoO3 o preferowanym ułożeniu krystalitów (płaszczyzna (002) wyeksponowana).
P rzy kła d 4
Ilustracja wyników
Fig. 1 przedstawia zdjęcie wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM) powierzchni otrzymanych materiałów w zależności od sposobu otrzymywania. Zaproponowane parametry syntezy prowadzą do otrzymania różnych mikrostruktur. Fig. 1a przedstawia materiał otrzymany podczas syntezy in-situ, który charakteryzuje się tym, że płaszczyzny (011) oraz (102) są wyeksponowane. Na fig. 1b można zaobserwować losowe ułożenie krystalitów, bez wyraźnie wyróżnionej orientacji (materiał otrzymano metodą wygrzewania ex-situ, z szybkością grzania 60°C/h). Na fig. 1c przedstawiono morfologię warstwy napylonej w temperaturze pokojowej, a następnie wygrzanej (metoda ex-situ), jednak próbka wygrzana została poprzez włożenie jej do gorącego już pieca. Taka procedura prowadzi do uzyskania warstwy MoO3 z wyeksponowaną płaszczyzną (002).
Na fig. 2 przedstawiono dyfraktogramy, które ujawniają różnice w strukturze krystalograficznej MoO3 w zależności od metody przygotowania materiału. Każda z procedur prowadzi do uzyskania warstwy MoO3 o strukturze rombowej, jednak różnice w stosunkach intensywności refleksów potwierdzają, że zmiana parametrów osadzania i kalcynacji wpływa w sposób kontrolowany na orientacje powstałych krystalitów. Grafika przedstawiona na fig. 2d to komórka elementarna struktury krystalicznej oraz wizualizacja kryształu MoO3 z oznaczonymi płaszczyznami, co ułatwia interpretację prezentowanych rezultatów.
Claims (2)
1. Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu M0O3, znamienny tym, że na przewodzące szkło FTO lub inne transparentne podłoże przewodzące: ITO lub ZTO, osadza się cienką warstwę trójtlenku molibdenu M0O3 o grubości od 10 do 1000 nm, za pomocą pulsacyjnej ablacji laserowej, z trójtlenkiem molibdenu M0O3 w postaci pastylki lub bezpośrednio z blaszki molibdenowej, w warunkach ablacji: - w temperaturze 21-500°C, - przy ciśnieniu tlenu 0,5-1 mbar, - wiązką laserową o długości 266 nm, - z długością trwania impulsu 6 ns, - z gęstością energii lasera 2,5 J cm-2, - z czasem osadzania od 120 do 240 min, zaś kontrola orientacji kryształów w otrzymanej warstwie następuje przez dobór temperatury napylania warstwy, przy czym dla temperatury od 200 do 500°C otrzymuje się krystality zorientowane, a poniżej 200°C warstwa jest amorficzna.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przy temperaturze procesu ablacji poniżej 200°C po procesie napylania, otrzymaną warstwę poddaje się kalcynacji, w przedziale temperatur od 200 do 700°C w atmosferze powietrza lub tlenu przez 0.2 do 5 godzin, od wygrzewania natychmiastowego i otrzymania krystalitów zorientowanych do wygrzewania z kontrolowanym wzrostem temperatury od 30 do 200°C/h i otrzymania krystalitów ułożonych losowo.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL443400A PL247166B1 (pl) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL443400A PL247166B1 (pl) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL443400A1 PL443400A1 (pl) | 2024-07-08 |
| PL247166B1 true PL247166B1 (pl) | 2025-05-26 |
Family
ID=91810537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL443400A PL247166B1 (pl) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL247166B1 (pl) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201620838A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-06-16 | 攀時歐洲公司 | 金屬氧化物薄膜,沉積金屬氧化物薄膜的方法及包含金屬氧化物薄膜的裝置 |
| CN110637102A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-12-31 | 捷客斯金属株式会社 | 氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体 |
| TW202035293A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | 奧地利商攀時歐洲公司 | 製造含氧化鉬層的濺鍍靶 |
-
2023
- 2023-01-02 PL PL443400A patent/PL247166B1/pl unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201620838A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-06-16 | 攀時歐洲公司 | 金屬氧化物薄膜,沉積金屬氧化物薄膜的方法及包含金屬氧化物薄膜的裝置 |
| CN110637102A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-12-31 | 捷客斯金属株式会社 | 氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体 |
| TW202035293A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | 奧地利商攀時歐洲公司 | 製造含氧化鉬層的濺鍍靶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL443400A1 (pl) | 2024-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Parize et al. | In situ analysis of the crystallization process of Sb2S3 thin films by Raman scattering and X-ray diffraction | |
| Rao et al. | Structural and electrical properties of TiO2 thin films | |
| Korkmaz et al. | Morphology, composition, structure and optical properties of CuO/Cu2O thin films prepared by RF sputtering method | |
| EP0580019A1 (en) | Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides | |
| CN112289932A (zh) | 钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 | |
| Sivakumar et al. | Studies on the effect of substrate temperature on (VI–VI) textured tungsten oxide (WO3) thin films on glass, SnO2: F substrates by PVD: EBE technique for electrochromic devices | |
| Karuppuchamy et al. | Cathodic electrodeposition of nanoporous ZnO thin films from new electrochemical bath and their photoinduced hydrophilic properties | |
| Guo et al. | High-quality transparent conductive indium oxide film deposition by reactive pulsed magnetron sputtering: Determining the limits of substrate heating | |
| Deo et al. | Metal chalcogenide nanocrystalline solid thin films | |
| Al-Asedy et al. | Properties of Al-and Ga-doped thin zinc oxide films treated with UV laser radiation | |
| PL247166B1 (pl) | Sposób wytwarzania warstw krystalicznych trójtlenku molibdenu | |
| De Mesa et al. | Effects of Deposition Pressure and Target-Substrate Distance on Growth of ZnO by Femtosecond Pulsed Laser Deposition. | |
| Golego et al. | Polycrystalline RbTiOPO4 and KTiOPO4 bilayer thin films by spray pyrolysis | |
| Chen et al. | Production of amorphous tin oxide thin films and microstructural transformation induced by heat treatment | |
| Alrefaee et al. | Growth of ZnO nanostructured thin films by non conventional sol-gel method and the effect of annealing temperature on its properties | |
| Zhao et al. | Preparation and characterization of ZnO nanorods from NaOH solutions with assisted electrical field | |
| Mary et al. | Structural and optical studies of molarity based ZnO thin films | |
| Dixit et al. | Effect of oxygen partial pressure on the growth of molybdenum trioxide thin films | |
| Bodnar et al. | Structural and optical properties of AgIn5S8 films prepared by pulsed laser deposition | |
| Deng et al. | Comparison of vanadium oxide thin films prepared using femtosecond and nanosecond pulsed laser deposition | |
| Bel-Hadj-Tahar | Morphological and electrical investigations of lead zirconium titanate thin films processed at low temperature by a novel sol-gel system | |
| THONGJOON et al. | Influence of annealing times for W films on the structure and electrochromic properties of anodized WO\(_ {3}\) films | |
| Wijaya et al. | Thermal Annealing Effect of Strontium Stannate Thin Film Grown by an RF Magnetron Sputtering | |
| Bendahmane et al. | Growth and properties of SnO2 thin films obtained by spray pyrolysis technique | |
| Manallah et al. | Structural, SEM and Nucleation Characterization of Electrochemically Synthesized CuInSe2 Thin Films |