PL241416B1 - Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych - Google Patents

Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych Download PDF

Info

Publication number
PL241416B1
PL241416B1 PL428877A PL42887719A PL241416B1 PL 241416 B1 PL241416 B1 PL 241416B1 PL 428877 A PL428877 A PL 428877A PL 42887719 A PL42887719 A PL 42887719A PL 241416 B1 PL241416 B1 PL 241416B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
kesterite
cu2snzns4
amount
hours
type
Prior art date
Application number
PL428877A
Other languages
English (en)
Other versions
PL428877A1 (pl
Inventor
Jerzy Franciszek Janik
Mariusz Drygaś
Katarzyna Kapusta
Original Assignee
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie filed Critical Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Priority to PL428877A priority Critical patent/PL241416B1/pl
Publication of PL428877A1 publication Critical patent/PL428877A1/pl
Publication of PL241416B1 publication Critical patent/PL241416B1/pl

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji, warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych, który polega na tym, że najpierw rozdrabnia się materiały odpadowe i zużyte wyroby w postaci dwuskładnikowych brązów cynowych Cu+Sn i dwuskładnikowych mosiądzów Cu+Zn, o znanym typie i na podstawie składu chemicznego tych materiałów określa się zawartość rzeczywistą pojedynczych metali Cu, Sn i Zn w mieszaninie, dążąc do uzyskania zawartości teoretycznej występującej w kesterycie, a mianowicie stosunku molowego Cu:Sn:Zn = 2:1:1. W przypadku niedoboru metali Zn i Sn uzupełnia się brakującą ilość w stosunku do teoretycznej poprzez dodatek proszków czystych metali Sn i Zn. Następnie rozdrobnione materiały wsadowe mieli się w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen w czasie od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna 200 do 1100 obr/min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 i dalej mieli przez 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego 200 - 1100 obr/min. Po zakończeniu procesu odparowuje się ciecz dyspergującą, a uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.

Description

PL 241 416 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych.
Znane i najczęściej produkowane obecnie cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne są zwykle oparte na chalkogenkach takich jak mieszanina miedzi, indu, galu i selenu (fotoogniwa CIGS), czy też zbudowane w oparciu o tellurek kadmu (fotoogniwa CdTe). Niedogodnością fotoogniw CIGS jest obecność drogich i deficytowych pierwiastków: indu i telluru, natomiast fotoogniwa CdTe ze względu na zawartość toksycznego kadmu muszą podlegać specjalnemu procesowi utylizacji, co powoduje, że są poszukiwane inne rozwiązania materiałowe.
Jak opisano w publikacji J. Paier i in. pt.: „Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: A hybrid Hartree-Fock density functional theory study”, Phys. Rev. B 79 (2009) 115126 prowadzone są badania nad zastąpieniem fotoogniw CIGS ogniwami zawierającymi jako warstwę czynną kesteryty, tj. materiały o właściwościach półprzewodnikowych składające się głównie z miedzi, cynku, cyny oraz siarki i/lub selenu. Kesteryty charakteryzuje się strukturą krystaliczną bardzo zbliżoną do CIGS, dużym współczynnikiem absorpcji promieniowania w szerokim zakresie światła widzialnego (104 cm-1) i szerokością przerwy energetycznej odpowiednią do zastosowań fotowoltaicznych (Eg = 1,4-1,5 eV), a ponadto dobrą sprawnością konwersji energii promieniowania na energię elektryczną, stosunkowo prostym sposobem wytwarzania i, co ważne, szeroką dostępnością oraz nietoksycznością pierwiastkowych substratów (Cu, Zn, Sn, S, Se).
Znany jest ze zgłoszenia patentowego US8440497 B2 sposób wytwarzania kesterytowych ogniw fotowoltaicznych metodą termicznego naparowywania na podłoże. W pierwszym etapie procesu, w warunkach wysokiej próżni, na podłożu molibdenowym osadzana jest warstwa metali Cu, Sn, Zn metodą naparowania. Dobór czasu naparowania poszczególnych metali pozwala uzyskać warstwę o składzie stechiometrycznym, występującym w kesterycie. W kolejnym etapie w temperaturze ponad 300°C, nad warstwą metali przepuszcza się pary siarki i/lub selenu (alternatywnie H2S lub H2Se), tworzące z warstwą metaliczną strukturę kesterytową o grubości 650-3000 nm. Ostatnim etapem procesu jest wygrzewanie warstwy kesterytowej w atmosferze gazu obojętnego w temperaturach 300-600°C w ciągu 5-30 minut.
W opisie patentowym US8366975 B2 przedstawiono metodę otrzymywania kompozycji kesterytowych z wykorzystaniem szeregu organicznych kompleksów metali. Kompleksy te tworzą zawiesinę w wysokowrzących rozpuszczalnikach w rodzaju amin i/lub rozpuszczalników heteroaromatycznych. Zawiesiną są pokrywane różne podłoża np. metaliczne, szkło, tworzywa sztuczne, po czym następuje odparowanie rozpuszczalnika i wygrzewanie powstałej warstwy w temperaturach zależnych od rodzaju podłoża i układu prekursorowego, w zakresie 80-350°C.
W opisie patentowym CN102500293 B ujawniono syntezę proszkowego kesterytu z użyciem jako substratów chlorków metali oraz pierwiastkowej siarki. Odpowiednio dobrane proporcje molowe prekursorów metali i siarki rozpuszczano w trietylenotetraminie, otrzymując po kilkuminutowym mieszaniu czerwony roztwór, który poddawano ogrzewaniu w łaźni olejowej w temperaturze 120-240°C przez czas 0,5-12 godzin. Po ochłodzeniu mieszaniny, odfiltrowaniu otrzymanego produktu i przemyciu go etanolem, wodą destylowaną i wysuszeniu, otrzymano mikrokrystaliczny kesteryt odpowiedni do produkcji warstwy czynnej w ogniwach fotowoltaicznych.
Znane metody otrzymywania kesterytu do zastosowań fotowoltaicznych, takie jak m.in. metoda termicznego naparowywania, wymagają skomplikowanej aparatury, są czasochłonne i kosztowne. Mniej skomplikowane metody np. osadzanie elektrochemiczne dają z kolei warstwy o gorszej jakości.
Celem wynalazku jest opracowanie prostego i taniego sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4 o wysokiej jakości, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych, który nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury.
Istota sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych, z prekursorów metali Cu, Sn, Zn oraz siarki, charakteryzuje się tym, że rozdrabnia się materiały odpadowe i zużyte wyroby w postaci dwuskładnikowych brązów cynowych Cu+Sn i dwuskładnikowych mosiądzów Cu+Zn, o znanym typie i na podstawie składu chemicznego tych materiałów określa się zawartość rzeczywistą pojedynczych metali Cu, Sn i Zn w mieszaninie, dążąc do uzyskania zawartości teoretycznej występującej w kesterycie, a mianowicie stosunku molowego Cu : Sn : Zn = 2 : 1 : 1. W przypadku niedoboru metali Sn
PL 241 416 B1 i Zn uzupełnia się brakującą ilość w stosunku do teoretycznej poprzez dodatek proszków czystych metali Zn i Sn. Następnie rozdrobnione materiały wsadowe mieli się w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen, w ilości co najmniej 50% wagowych cieczy w stosunku do masy rozdrobnionych materiałów wsadowych, przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr./min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4, w razie potrzeby uzupełnia ciecz dyspergującą o ilość, która wyparowała w czasie, gdy pokrywa młyna była otwarta, i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr./min. Następnie odparowuje się ciecz dyspergującą i uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4 według wynalazku jest prosty, nietoksyczny dla środowiska i nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury. Ponadto wykorzystuje łatwo dostępne odpady poprodukcyjne i wyroby zużyte w postaci stopów: dwuskładnikowych brązów cynowych Cu+Sn i dwuskładnikowych mosiądzów Cu+Zn oraz pierwiastkową siarkę, co w konsekwencji skutkuje niższą ceną ogniw fotowoltaicznych zawierających jako warstwę czynną wytworzony kesteryt.
Stopy użyte do produkcji kesterytu charakteryzują się mniejszą aktywnością korozyjną niż czyste metale wchodzące w ich skład, co dodatkowo pozwala na minimalizację zanieczyszczeń, szczególnie tlenkowych w końcowym kesterycie.
Dodatkową zaletą sposobu jest zagospodarowanie materiałów odpadowych powstających w procesach produkcyjnych oraz składowanych wyrobów zużytych.
Przedmiot wynalazku objaśniono poniżej w praktycznym przykładzie realizacji sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4.
Przykładu tego nie należy uważać za ograniczający istotę lub zawężający zakres ochrony, gdyż stanowi on jedynie ilustrację wynalazku.
Przykład
Rozdrobniono i zmieszano następujące odpady przemysłowe:
- brąz cynowy, gatunek B9 zawierający 91% wagowych miedzi i 9% wagowych cyny,
- mosiądz, gatunek M63 zawierającego 63% wagowych miedzi i 37% wagowych cynku.
Aby uzyskać zawartości teoretyczne pojedynczych metali Cu, Zn i Sn występujących w kesterycie, a mianowicie stosunku molowego Cu : Sn : Zn = 2 : 1 : 1, zmieszano 1 g mosiądzu M63 z 1 g brązu B9, a następnie dodano jeszcze brakujące czyste metale w ilościach: 1,348 g cyny i 0,422 g cynku.
Przygotowaną mieszaninę zmielono w wysokoenergetycznym planetarnym młynie kulowym Pulverisette 7 firmy Fritsch, dodając ksylenu jako cieczy dyspergującej, w ilości 5,5 cm3. Misa i mielniki były wykonane z węglika wolframu. Prędkość obrotowa młyna kulowego wynosiła 900 obr./min, a czas mielenia 4 godziny.
Następnie otwarto pokrywę misy mielącej i do mieszaniny dodano siarkę elementarną w nadmiarze 2% molowych w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4, tj. 1,585 g, uzupełniono ciecz dyspergującą o 1 cm3, tj. o ilość, która wyparowała w czasie, gdy pokrywa młyna była otwarta, i dalej mielono składniki przez 10 godzin przy niezmienionej prędkości obrotowej młyna kulowego.
Po zakończeniu procesu otwarto pokrywę misy mielącej, odparowano ciecz dyspergującą i oddzielono mielniki od mieszaniny, którą następnie umieszczono w łódeczce kwarcowej i poddano ogrzewaniu w ceramicznym piecu rurowym w atmosferze czystego argonu, w temperaturze 550°C, przez 6 godzin. Otrzymano czysty proszek kesterytu typu Cu2SnZnS4 o strukturze tetragonalnej i średniej wielkości krystalitów 190 nm.
W celu określenia przydatności wytworzonego proszku do celów fotowoltaiki, otrzymany kesteryt użyto w warunkach laboratoryjnych do wytworzenia warstwy czynnej na ogniwie fotowoltaicznym z wykorzystaniem techniki powlekania obrotowego tzw. spin-coatingu. W tym celu na płytkę szklaną naniesiono dolną warstwę przewodzącą z tlenku cynkowo-indowego, którą następnie wprowadzano do powlekacza obrotowego tzw. spin-coatera i na obracająca się płytkę naniesiono poprzez wylewanie roztwór polimeru przewodzącego w postaci mieszaniny poli(3,4-etyleno-1,4-dioksytiofenu) i polistyrenu sulfonowanego. Tak przygotowane podłoże wygrzewano w temp. 150°C przez 5 minut, a następnie naniesiono

Claims (1)

  1. PL 241 416 B1 na podłoże techniką spin-coatingu warstwę aktywną w postaci wytworzonego sposobem według wynalazku proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4 zawieszonego w roztworze chloroformowym poli(3-heksylotiofenu) i estru metylowego [6,6’]-fenylo-C60 kwasu masłowego. Po wysuszeniu warstwy aktywnej naniesiono na nią elektrodę górną w postaci napylonego aluminium i całość wygrzewano w temperaturze 100°C przez 15 minut. Uzyskane fotoogniwo wykazuje wyraźny efekt fotoelektryczny i posiada charakterystykę prądowo-napięciową typu diodowego o napięciu przewodzenia ok. 0,50 V.
    Zastrzeżenie patentowe
    1 . Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych, z prekursorów metali Cu, Sn, Zn oraz siarki, znamienny tym, że rozdrabnia się materiały odpadowe i zużyte wyroby w postaci dwuskładnikowych brązów cynowych Cu+Sn i dwuskładnikowych mosiądzów Cu+Zn, o znanym typie i na podstawie składu chemicznego tych materiałów określa się zawartość rzeczywistą pojedynczych metali Cu, Sn i Zn w mieszaninie, dążąc do uzyskania zawartości teoretycznej występującej w kesterycie, a mianowicie stosunku molowego Cu : Sn : Zn = 2 : 1 : 1, a w przypadku niedoboru metali Sn i Zn uzupełnia się brakującą ilość w stosunku do teoretycznej poprzez dodatek proszków czystych metali Zn i Sn, następnie rozdrobnione materiały wsadowe mieli się w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen, w ilości co najmniej 50% wagowych cieczy w stosunku do masy rozdrobnionych materiałów wsadowych, przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr./min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4, w razie potrzeby uzupełnia ciecz dyspergującą o ilość, która wyparowała w czasie, gdy pokrywa młyna była otwarta, i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr./min, a następnie odparowuje się ciecz dyspergującą i uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
PL428877A 2019-02-11 2019-02-11 Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych PL241416B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL428877A PL241416B1 (pl) 2019-02-11 2019-02-11 Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL428877A PL241416B1 (pl) 2019-02-11 2019-02-11 Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL428877A1 PL428877A1 (pl) 2019-10-21
PL241416B1 true PL241416B1 (pl) 2022-09-26

Family

ID=68238710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL428877A PL241416B1 (pl) 2019-02-11 2019-02-11 Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL241416B1 (pl)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2432841A1 (en) * 2009-05-21 2012-03-28 E. I. du Pont de Nemours and Company Copper tin sulfide and copper zinc tin sulfide ink compositions
US20120055554A1 (en) * 2009-05-21 2012-03-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles
US8366975B2 (en) * 2010-05-21 2013-02-05 E I Du Pont De Nemours And Company Atypical kesterite compositions
US8440497B2 (en) * 2010-10-26 2013-05-14 International Business Machines Corporation Fabricating kesterite solar cells and parts thereof
US20130037111A1 (en) * 2011-08-10 2013-02-14 International Business Machines Corporation Process for Preparation of Elemental Chalcogen Solutions and Method of Employing Said Solutions in Preparation of Kesterite Films
PL406175A1 (pl) * 2013-11-21 2015-05-25 Stanley Aleksander Rokicki Kompozyt nośny ogniw fotowoltaicznych
PL229752B1 (pl) * 2014-10-27 2018-08-31 Politechnika Slaska Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania
US10570015B2 (en) * 2016-09-02 2020-02-25 International Business Machines Corporation Minimizing tin loss during thermal processing of kesterite films
WO2018065156A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Haldor Topsøe A/S KESTERITE MATERIAL OF CZTS, CZTSe OR CZTSSe TYPE

Also Published As

Publication number Publication date
PL428877A1 (pl) 2019-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yuan et al. Efficient planar antimony sulfide thin film photovoltaics with large grain and preferential growth
Vinayakumar et al. CuSbS2 thin films by rapid thermal processing of Sb2S3-Cu stack layers for photovoltaic application
Gao et al. Fabrication of Sb2S3 thin films by sputtering and post-annealing for solar cells
Yang et al. Tuning the band gap of Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin films via lithium alloying
Yang et al. Solution-processed highly efficient Cu2ZnSnSe4 thin film solar cells by dissolution of elemental Cu, Zn, Sn, and Se powders
Yan et al. Solution-based synthesis of chalcostibite (CuSbS 2) nanobricks for solar energy conversion
Hsu et al. Benign solutions and innovative sequential annealing processes for high performance Cu2ZnSn (Se, S) 4 photovoltaics
Syafiq et al. Progress in CZTS as hole transport layer in perovskite solar cell
Reddy et al. Solution-based spin-coated tin sulfide thin films for photovoltaic and supercapacitor applications
Chen et al. Highly oriented GeSe thin film: self-assembly growth via the sandwiching post-annealing treatment and its solar cell performance
Baby et al. The effect of in-situ and post deposition annealing towards the structural optimization studies of RF sputtered SnS and Sn2S3 thin films for solar cell application
Carter et al. Cu2ZnSn (S, Se) 4 solar cells from inks of heterogeneous Cu–Zn–Sn–S nanocrystals
Londhe et al. Development of superstrate CuInGaSe2 thin film solar cells with low-cost electrochemical route from nonaqueous bath
Peksu et al. Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by one-step thermal evaporation for a third generation solar cell
Liu et al. Butyldithiocarbamate acid solution processing: its fundamentals and applications in chalcogenide thin film solar cells
US8815123B2 (en) Fabrication method for ibiiiavia-group amorphous compound and ibiiiavia-group amorphous precursor for thin-film solar cells
Yaşar et al. Improved characteristics for chemically grown Cu2SnS3 promising solar absorbers through the use of TritonX-100® surfactant
Barthwal et al. Present status and future perspective of antimony chalcogenide (Sb2X3) photovoltaics
Hussain et al. Synthesis and characterization of thermally evaporated copper bismuth sulphide thin films
García et al. Phase pure CuSbS 2 thin films by heat treatment of electrodeposited Sb 2 S 3/Cu layers
Hussain et al. Characterization of Cu3SbS3 thin films grown by thermally diffusing Cu2S and Sb2S3 layers
Zhao et al. Defects passivation and crystal growth promotion by solution-processed K doping strategy toward 16.02% efficiency Cu (In, Ga)(S, Se) 2 solar cells
Yang et al. Study of copper bismuth sulfide thin films for the photovoltaic application
Abulikemu et al. Colloidal Sb 2 S 3 nanocrystals: synthesis, characterization and fabrication of solid-state semiconductor sensitized solar cells
Pallavolu et al. Status review on the Cu2SnSe3 (CTSe) thin films for photovoltaic applications