PL233714B1 - Microstrip antenna - Google Patents
Microstrip antenna Download PDFInfo
- Publication number
- PL233714B1 PL233714B1 PL421727A PL42172717A PL233714B1 PL 233714 B1 PL233714 B1 PL 233714B1 PL 421727 A PL421727 A PL 421727A PL 42172717 A PL42172717 A PL 42172717A PL 233714 B1 PL233714 B1 PL 233714B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- radiator
- dielectric layer
- antenna according
- symmetry
- axis
- Prior art date
Links
Abstract
Zgłoszenie dotyczy anteny mikropaskowej zawierającej połączone ze sobą dwie warstwy dielektryczne, warstwę dielektryczną górną (1) i warstwę dielektryczną dolną, pomiędzy którymi znajduje się ekran ze szczeliną. Na warstwie dielektrycznej górnej (1) jest promiennik (2), a na warstwie dielektrycznej dolnej jest linia zasilająca. Powierzchnia promiennika (2) ma symetryczne wcięcie pierwsze o kształcie trójkąta, przy czym oś symetrii wcięcia pierwszego pokrywa się z osią symetrii promiennika (2) i z wzdłużną osią symetrii linii zasilającej równoległą do dłuższego boku linii zasilającej. Dodatkowo powierzchnia promiennika (2) ma symetryczne wcięcie drugie (7a) o kształcie trójkąta, umieszczone naprzeciw wcięcia pierwszego.The application concerns a microstrip antenna containing two interconnected dielectric layers, an upper dielectric layer (1) and a lower dielectric layer, between which there is a screen with a gap. There is a radiator (2) on the upper dielectric layer (1), and a power line on the lower dielectric layer. The surface of the radiator (2) has a symmetrical first indentation in the shape of a triangle, where the axis of symmetry of the first indentation coincides with the axis of symmetry of the radiator (2) and with the longitudinal axis of symmetry of the supply line parallel to the longer side of the supply line. Additionally, the radiator surface (2) has a symmetrical second indentation (7a) in the shape of a triangle, located opposite the first indentation.
Description
Opis wynalazkuDescription of the invention
Przedmiotem wynalazku jest szerokopasmowa antena mikropaskowa dla pasma 3400-3600 MHz do stosowania w systemach telefonii komórkowej 4G i 5G w szczególności dla „small cells” komórek warstw sieci heterogenicznych przez użytkowników telefonii komórkowych, a także do innych systemów radiokomunikacji ruchomej.The present invention relates to a broadband microstrip antenna for the 3400-3600 MHz band for use in 4G and 5G cellular systems, in particular for "small cells" of heterogeneous network layer cells by cellular users, as well as for other mobile radiocommunication systems.
Znane są anteny mikropaskowe o promienniku w kształcie prostokąta, koła lub trójkąta. Promiennik może być zasilany siecią zasilającą, która jest umieszczona na tej samej warstwie co promiennik, na spodniej warstwie promiennika lub na innej warstwie umieszczonej pod warstwą z promiennikiem. Promiennik może być zasilany bezpośrednio poprzez linię mikropaskową, poprzez przelotkę lub poprzez sprzężenie elektromagnetyczne przez szczelinę. Jednowarstwowe anteny mikropaskowe zasilane linią cechują się węższym pasmem pracy. Poszerzenie pasma jest możliwe poprzez dodanie dodatkowych warstw i zwiększenie grubości struktury.Microstrip antennas with a rectangular, circular or triangular radiator are known. The heater can be fed by a mains that is placed on the same layer as the heater, on the bottom layer of the heater, or on another layer placed below the layer with the heater. The radiator can be powered directly through the microstrip line, through a grommet or through an electromagnetic coupling through the slot. Single-layer line-fed microstrip antennas have a narrower bandwidth. Widening the strand is possible by adding additional layers and increasing the thickness of the structure.
W dokumencie JP2012253808A ujawniona została antena szerokopasmowa zawierająca antenę monopolową i antenę szczelinową, które są wzajemnie sprzężone. Antena szerokopasmowa zawiera jedną warstwę masy, w której wykonana jest antena szczelinowa, nad którą biegnie pasek zasilający, do którego dodatkowo mocowana jest antena monopolowa.JP2012253808A discloses a wideband antenna including a monopoly antenna and a slot antenna that are mutually coupled. The broadband antenna has one ground layer, in which the slot antenna is made, over which a power strip runs, to which the monopoly antenna is additionally attached.
Z dokumentu KR2015087595A znana jest antena szczelinowa z wnęką rezonansową. Antena zawiera mikropasek zasilający, nad którym, oddzielony warstwą dielektryczną, znajduje się ekran masy ze szczeliną. Nad szczeliną znajduje się wnęka rezonansowa o grubości kilku warstw płytki drukowanej i ta wnęka rezonansowa otoczona jest metalizowanymi otworami (przelotkami). Nad wnęką znajduje się metalowa warstwa promiennika, przy czym promiennik znajduje się pomiędzy warstwami obwodu drukowanego tworzącymi wnękę rezonansową i warstwą dielektryczną.From the document KR2015087595A a slot antenna with a resonant cavity is known. The antenna contains a supply microstrip, above which, separated by a dielectric layer, there is a ground shield with a slot. Above the gap there is a resonance cavity several layers thick, and this cavity is surrounded by metallized holes (vias). Above the cavity is a metal radiator layer, the radiator being between the printed circuit layers forming the resonance cavity and the dielectric layer.
W dokumencie KR988909B1 ujawniona została antena mikropaskowa z dużym wzmocnieniem oraz charakterystyką szerokopasmową. Antena składa się z czterech warstw. Pierwsza zawiera warstwę ceramiczną oddzieloną od metalowej obudowy szczeliną powietrzną, gdzie na warstwie ceramicznej umieszczony jest mikropasek zasilający. Druga warstwa zawiera ekran o potencjale masy ze szczeliną, który znajduje się na warstwach ceramicznych. Trzecia warstwa składa się z warstwy ceramicznej, na której znajduje się kolejny ekran masy ze szczeliną. Czwarta warstwa zawiera trzy warstwy ceramiki, przy czym na wierzchu górnej warstwy znajduje się promiennik anteny.The document KR988909B1 discloses a microstrip antenna with high gain and broadband characteristic. The antenna consists of four layers. The first comprises a ceramic layer separated from the metal housing by an air gap, where a supply microstrip is disposed on the ceramic layer. The second layer comprises a screen with a gap potential that is located on the ceramic layers. The third layer consists of a ceramic layer on which there is another screen of mass with a gap. The fourth layer comprises three layers of ceramic, with an antenna radiator on top of the top layer.
Znane anteny mikropaskowe cechują się wąskim pasmem pracy co ogranicza możliwość stosowania w szerokopasmowych systemach radiokomunikacyjnych. Redukcja fizycznych rozmiarów anteny jest istotnym parametrem przy zachowaniu lub polepszeniu jej własności propagacyjnych.Known microstrip antennas are characterized by a narrow bandwidth, which limits their applicability in broadband radiocommunication systems. The reduction of the physical size of the antenna is an important parameter while maintaining or improving its propagation properties.
Antena mikropaskowa zawierająca połączone ze sobą dwie warstwy dielektryczne, warstwę dielektryczną górną i warstwę dielektryczną dolną, pomiędzy którymi jest usytuowany ekran ze szczeliną, przy czym na warstwie dielektrycznej górnej umieszczony jest promiennik mający kształt figury płaskiej, całkowicie mieszczący się na powierzchni warstwy dielektrycznej górnej, a na warstwie dielektrycznej dolnej umieszczona jest linia zasilająca, charakteryzuje się tym, że powierzchnia promiennika ma symetryczne wcięcie pierwsze o kształcie trójkąta, przy czym oś symetrii wcięcia pierwszego pokrywa się z osią symetrii promiennika i pokrywa się z wzdłużną osią symetrii linii zasilającej równoległą do dłuższego boku linii zasilającej oraz powierzchnia promiennika ma symetryczne wcięcie drugie o kształcie trójkąta, umieszczone naprzeciw wcięcia pierwszego.Microstrip antenna consisting of two dielectric layers connected to each other, an upper dielectric layer and a lower dielectric layer, between which a screen with a slot is located, where the upper dielectric layer has a flat-figure radiator completely located on the surface of the upper dielectric layer, and a power line is placed on the lower dielectric layer, characterized by the fact that the surface of the radiator has a symmetrical first notch in the shape of a triangle, the axis of symmetry of the first notch coincides with the axis of symmetry of the radiator and coincides with the longitudinal axis of symmetry of the supply line parallel to the longer side of the line and the radiator surface has a symmetrical second notch in the shape of a triangle, placed opposite the first notch.
Korzystnie, wcięcie pierwsze w powierzchni promiennika umiejscowione jest nad linią zasilającą.Preferably, the first notch in the surface of the radiator is located above the power line.
Korzystnie, oś symetrii wcięcia drugiego pokrywa się z osią symetrii promiennika oraz pokrywa się z wzdłużną osią symetrii linii zasilającej.Preferably, the axis of symmetry of the second notch coincides with the axis of symmetry of the radiator and coincides with the longitudinal axis of symmetry of the supply line.
Korzystnie, wcięcie pierwsze w powierzchni promiennika ma kształt trójkąta równoramiennego.Preferably, the first indentation in the radiant surface has the shape of an isosceles triangle.
Korzystnie, wcięcie drugie w powierzchni promiennika ma kształt trójkąta równoramiennego.Preferably, the second indentation in the radiant surface has the shape of an isosceles triangle.
Korzystnie, wcięcie pierwsze i wcięcie drugie stanowią swoje odbicia lustrzane.Preferably, the first notch and the second notch are mirror images of each other.
Korzystnie, środek symetrii szczeliny w ekranie jest nad linią zasilającą, a poprzeczna oś symetrii szczeliny znajduje się nad wzdłużną osią symetrii linii zasilającej.Preferably, the center of symmetry of the slot in the screen is above the feed line and the lateral center of symmetry of the slot is above the longitudinal center of the feed line.
Korzystnie, szczelina w ekranie ma kształt prostokąta.Preferably, the screen slot is rectangular in shape.
Korzystnie, środek symetrii szczeliny jest przesunięty względem środka promiennika.Preferably, the center of symmetry of the slot is offset from the center of the radiator.
Korzystnie, promiennik ma kształt prostokąta.Preferably, the radiant heater is rectangular in shape.
Korzystnie, promiennik umieszczony jest na zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej górnej.Preferably, the radiator is located on the outer side of the upper dielectric layer.
Korzystnie, promiennik jest naklejony na warstwie dielektrycznej górnej lub jest wytrawiony w warstwie dielektrycznej górnej.Preferably, the radiator is glued onto the upper dielectric layer or is etched into the upper dielectric layer.
PL 233 714 B1PL 233 714 B1
Korzystnie, linia zasilająca umieszczona jest na zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej dolnej.Preferably, the power line is located on the outer side of the lower dielectric layer.
Korzystnie, linia zasilająca jest przyklejona do warstwy dielektrycznej dolnej lub jest wytrawiona w warstwie dielektrycznej dolnej.Preferably, the power line is glued to the bottom dielectric layer or is etched into the bottom dielectric layer.
Korzystnie, warstwa dielektryczna górna jest wykonana z laminatu ceramiczno-teflonowego.Preferably, the upper dielectric layer is made of a ceramic-Teflon laminate.
Korzystnie, warstwa dielektryczna dolna jest wykonana z laminatu ze szkła epoksydowego. Korzystnie, impedancja linii zasilającej wynosi 50 Ω.Preferably, the bottom dielectric layer is made of an epoxy glass laminate. Preferably, the power line impedance is 50 ohms.
Umieszczenie ekranu pomiędzy dwoma warstwami stanowi separację elektryczną pomiędzy linią zasilającą a promiennikiem. Dwa trójkątne wcięcia w powierzchni promiennika zmniejszają powierzchnię metalizacji anteny.Placing the screen between the two layers creates an electrical separation between the power line and the radiator. Two triangular indentations in the surface of the radiator reduce the surface of the antenna metallization.
Poszerzenie pasma pracy anteny uzyskano poprzez zastosowanie struktury dwuwarstwowej oraz zasilenia promiennika poprzez szczelinę.The extension of the antenna operating band was achieved by using a two-layer structure and powering the radiator through the slot.
Prostokątny promiennik zawiera dwa wcięcia, które modyfikują rozkład prądów powierzchniowych na jego powierzchni, co dodatkowo zwiększa zysk kierunkowy - taki sposób wykonania anteny umożliwia redukcję rozmiarów przy polepszeniu parametrów propagacyjnych.The rectangular radiator has two indentations that modify the distribution of surface currents on its surface, which additionally increases the directional gain - this method of making the antenna enables the reduction of dimensions while improving the propagation parameters.
Antena według wynalazku może mieć współczynnik odbicia poniżej -10 dB w paśmie 82 MHz, poniżej -6 dB w paśmie 152 MHz oraz poniżej -4 dB w paśmie 200 MHz. Umożliwia to transmisję sygnałów szerokopasmowych i w rezultacie zwiększa przepływność sieci.The antenna of the invention may have a reflectance of less than -10 dB in the 82 MHz band, less than -6 dB in the 152 MHz band, and less than -4 dB in the 200 MHz band. This enables the transmission of broadband signals and consequently increases the network throughput.
Antena według wynalazku umożliwia łatwe i tanie powielanie w aplikacjach bazujących na Massive MIMO. Zastosowanie szyków anten dla systemów w pasmach 3500 MHz, a także powyżej jest koniecznością jeżeli mają być wykorzystane istniejące lokalizacje stacji bazowych. Zwielokrotnienie zaproponowanej anteny w szykach antenowych pozwala na kompensację strat propagacyjnych i wyrównania budżetu łącza porównywalnego do niższych częstotliwości. Maksymalne uproszczenie konstrukcji elementu antenowego umożliwi obniżenie kosztów, co implikuje wysoką atrakcyjność komercyjną rozwiązania w porównaniu do już znanych rozwiązań. Strojenie anteny według wynalazku odbywa się poprzez regulację głębokości wycięcia i jest łatwo powielalne do zastosowań w szykach anten.The antenna according to the invention enables easy and cheap duplication in applications based on Massive MIMO. The use of antenna arrays for systems in the 3500 MHz bands and above is a must if existing base station locations are to be used. The multiplication of the proposed antenna in antenna arrays allows for compensation of propagation losses and equalization of the link budget comparable to lower frequencies. The maximum simplification of the antenna element structure will enable cost reduction, which implies a high commercial attractiveness of the solution compared to the already known solutions. Tuning of an antenna of the invention is accomplished by adjusting the notch depth and is easily replicated for antenna array applications.
Dodatkowo, wysoki zysk kierunkowy 5,95 dBi, w porównaniu do promiennika prostokątnego bez wcięcia, pozwala na konstrukcję szyków antenowych przy zastosowaniu zredukowanej liczby promienników.In addition, the high directional gain of 5.95 dBi, compared to a rectangular radiator without indentation, allows the construction of antenna arrays using a reduced number of radiators.
Ekran przewodzący znajdujący się pomiędzy dwoma warstwami zmniejsza sprzężenia wzajemne pomiędzy siecią zasilającą a promiennikiem.The conductive screen between the two layers reduces the interference between the mains and the radiator.
Antena według wynalazku ma zmniejszoną powierzchnię dzięki zastosowaniu technologii mikropaskowej, a promiennik zajmuje mniejszą powierzchnię w porównaniu z rozwiązaniami alternatywnymi.The antenna according to the invention has a reduced surface area thanks to the use of microstrip technology, and the radiator takes up a smaller area compared to alternative solutions.
Przedmiot wynalazku widoczny jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia antenę w widoku z boku, fig. 2 - widok warstwy dielektrycznej górnej wraz z promiennikiem, fig. 3 - widok ekranu przewodzącego ze szczeliną, fig. 4 - widok warstwy dielektrycznej dolnej z linią zasilającą.The subject of the invention is shown in the drawing, in which Fig. 1 shows the antenna in a side view, Fig. 2 - a view of the upper dielectric layer with a radiator, Fig. 3 - a view of the conductive screen with a slot, Fig. 4 - a view of the lower dielectric layer from power line.
W przykładzie wykonania antena mikropaskowa zawiera ekran przewodzący 3 ze szczeliną 6, umiejscowiony pomiędzy warstwą dielektryczną górną 1 i warstwą dielektryczną dolną 4. Na zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej górnej 1 znajduje się metalizowany promiennik 2 mający kształt figury płaskiej oraz całkowicie mieszczący się na powierzchni warstwy dielektrycznej górnej 1. Na zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej dolnej 4 znajduje się metalizowana linia zasilająca 5. Dodatkowo, powierzchnia promiennika 2 ma symetryczne wcięcie pierwsze 7 o kształcie trójkąta, umiejscowione nad linią zasilającą 5. Oś symetrii wcięcia pierwszego 7 pokrywa się z osią symetrii promiennika 2 i pokrywa się z wzdłużną osią symetrii linii zasilającej 5, równoległą do dłuższego boku linii zasilającej 5. Dodatkowo powierzchnia promiennika 2 ma symetryczne wcięcie drugie 7a o kształcie trójkąta, umieszczone naprzeciw wcięcia pierwszego 7. Oś symetrii wcięcia drugiego 7a pokrywa się z osią symetrii promiennika 2 oraz pokrywa się z wzdłużną osią symetrii linii zasilającej 5. Środek symetrii szczeliny 6 w ekranie 3 jest umieszczony nad linią zasilającą 5, a poprzeczna oś symetrii szczeliny 6 znajduje się nad wzdłużną osią symetrii linii zasilającej 5.In an exemplary embodiment, the microstrip antenna comprises a conductive screen 3 with a slot 6 located between the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 4. On the outer side of the upper dielectric layer 1 there is a metallized radiator 2 having the shape of a flat figure and completely on the surface of the upper dielectric layer. 1. On the outer side of the lower dielectric layer 4 there is a metallized feed line 5. In addition, the surface of the radiator 2 has a symmetrical first notch 7 in the shape of a triangle, located above the feed line 5. The symmetry axis of the first notch 7 coincides with the symmetry axis of the radiator 2 and the cover is aligned with the longitudinal symmetry axis of the supply line 5, parallel to the longer side of the supply line 5. Additionally, the surface of the radiator 2 has a symmetrical second notch 7a in the shape of a triangle, placed opposite the first notch 7. The symmetry axis of the second notch 7a coincides with the axis of radial symmetry. 2 and coincides with the longitudinal symmetry axis of the supply line 5. The center of symmetry of the slot 6 in the screen 3 is positioned above the supply line 5, and the transverse symmetry axis of the slot 6 is above the longitudinal symmetry axis of the supply line 5.
W innym przykładzie wykonania warstwa dielektryczna górna 1 jest wykonana z laminatu ceramiczno-teflonowego o przenikalności dielektrycznej er = 3,5 i grubości h1 = 1,524 mm.In another embodiment, the upper dielectric layer 1 is made of a ceramic-Teflon laminate with a dielectric permittivity er = 3.5 and a thickness h1 = 1.524 mm.
W kolejnym przykładzie wykonania warstwa dielektryczna górna 1 oraz warstwa dielektryczna dolna 4 są ze sobą sklejone zapewniając grubość warstwy klejonej 0,101 mm. Pod warstwą dielektryczną górną 1 znajduje się warstwa dielektryczna dolna 4 o grubości h2 = 1 mm, wykonana z laminatu ze szkła epoksydowego - laminat FR4 o kącie stratności δ równym 0,02 i przenikalności elektrycznej er wynoszącej 4,3.In a further embodiment, the top dielectric layer 1 and the bottom dielectric layer 4 are glued together to ensure a glued layer thickness of 0.101 mm. Under the upper dielectric layer 1 there is a lower dielectric layer 4 with a thickness h2 = 1 mm, made of epoxy glass laminate - FR4 laminate with a loss angle δ equal to 0.02 and an electric permeability er of 4.3.
PL 233 714 B1PL 233 714 B1
W jednym przykładzie wykonania promiennik 2 jest naklejony na zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej górnej 1.In one embodiment, the radiator 2 is glued on the outer side of the dielectric layer 1.
W innym przykładzie wykonania promiennik 2 jest wytrawiony w zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej górnej 1.In another embodiment, the radiator 2 is etched into the outer side of the upper dielectric layer 1.
W kolejnym przykładzie wykonania promiennik 2 ma kształt prostokąta o wymiarach L = 21,43 mm oraz W = 21,35 mm.In another embodiment, the radiator 2 has the shape of a rectangle with dimensions L = 21.43 mm and W = 21.35 mm.
W innym przykładzie wykonania symetryczne wcięcie pierwsze 7 w powierzchni promiennika 2 jest umiejscowione od strony linii zasilającej 5, dokładniej nad linią zasiadającą 5, i ma kształt trójkąta równobocznego o wymiarach długości podstawy trójkąta a = 6,2 mm oraz wysokość trójkąta b = 7,76 mm.In another embodiment, the first symmetrical indentation 7 in the radiator surface 2 is located on the side of the feed line 5, more specifically above the seated line 5, and has the shape of an equilateral triangle with the dimensions of the base length of the triangle a = 6.2 mm and the height of the triangle b = 7.76 mm.
W kolejnym przykładzie wykonania, wcięcie drugie 7a w powierzchni promiennika 2, umieszczone naprzeciw linii zasilającej, ma kształt trójkąta równobocznego o wymiarach długości podstawy trójkąta a = 6,2 mm oraz wysokość trójkąta b = 7,76 mm.In a further embodiment, the second indentation 7a in the surface of the radiator 2, placed opposite the feed line, has the shape of an equilateral triangle with the dimensions of the base length of the triangle a = 6.2 mm and the height of the triangle b = 7.76 mm.
W innym przykładzie wykonania wcięcie pierwsze 7 ma kształt trójkąta równoramiennego.In another embodiment, the first notch 7 is in the shape of an isosceles triangle.
W kolejnym przykładzie wykonania wcięcie drugie 7a ma kształt trójkąta równoramiennego.In a further embodiment, the second notch 7a has the shape of an isosceles triangle.
W innym przykładzie wykonania wcięcie pierwsze 7 i wcięcie drugie 7a stanowią swoje odbicia lustrzane.In another embodiment, the first notch 7 and the second notch 7a are mirror images of each other.
W kolejnym przykładzie wykonania szczelina 6 ma kształt prostokąta i wymiary: 1,4 mm x 10 mm. Dodatkowo jest przesunięta o 3,5 mm względem środka promiennika 2.In a further embodiment, the slit 6 is rectangular in shape and has dimensions: 1.4 mm x 10 mm. Additionally, it is shifted by 3.5 mm in relation to the center of the radiator 2.
W innym przykładzie wykonania linia zasilająca 5 jest przyklejona do zewnętrznej strony warstwy dielektrycznej dolnej 4.In another embodiment, the power line 5 is glued to the outside of the bottom dielectric layer 4.
W kolejnym przykładzie wykonania linia zasilająca 5 jest wytrawiona w zewnętrznej stronie warstwy dielektrycznej dolnej 4.In another embodiment, feed line 5 is etched into the outer side of the bottom dielectric layer 4.
W następnym przykładzie wykonania szerokość linii zasilającej 5 wynosi 1,77 mm lub, w kolejnym przykładzie wykonania, ma inną wartość odpowiadającą impedancji charakterystycznej linii 50 Ω. Do linii zasilającej 5, na krawędzi anteny, dołączone jest złącze mikrofalowe lub inna linia mikropaskowa. Linia zasilająca 5 wychodzi poza środek anteny na odległość 9 mm.In a further embodiment, the width of the supply line 5 is 1.77 mm or, in a further embodiment, it has a different value corresponding to the characteristic impedance of the line of 50 Ω. A microwave connector or other microstrip line is connected to the feed line 5 at the edge of the antenna. The power line 5 extends beyond the center of the antenna by a distance of 9 mm.
Przykłady wykonania podane są tu jedynie w charakterze nieograniczających wskazań dotyczących wynalazku i nie mogą w żaden sposób ograniczać zakresu ochrony, który jest określony poprzez zastrzeżenia patentowe.The embodiments given herein are merely non-limiting indications of the invention and may not in any way limit the scope of protection which is defined by the claims.
Claims (19)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL421727A PL233714B1 (en) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | Microstrip antenna |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL421727A PL233714B1 (en) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | Microstrip antenna |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL421727A1 PL421727A1 (en) | 2018-12-03 |
PL233714B1 true PL233714B1 (en) | 2019-11-29 |
Family
ID=64460922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL421727A PL233714B1 (en) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | Microstrip antenna |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL233714B1 (en) |
-
2017
- 2017-05-26 PL PL421727A patent/PL233714B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL421727A1 (en) | 2018-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1897355B (en) | Internal antenna having perpendicular arrangement | |
CA2596545C (en) | Fractal dipole antenna | |
US7324049B2 (en) | Miniaturized ultra-wideband microstrip antenna | |
CN102308436B (en) | Tunable metamaterial antenna structures | |
US8803742B2 (en) | Dual-band MIMO antenna system | |
TWI411160B (en) | Antenna and communication device having same | |
KR101226867B1 (en) | Half-loop chip antenna and associated methods | |
US9379432B2 (en) | Antenna device, electronic apparatus, and wireless communication method | |
US9917370B2 (en) | Dual-band printed omnidirectional antenna | |
CN111052504A (en) | Millimeter wave antenna array element, array antenna and communication product | |
Ghosh et al. | Miniaturization of slot antennas using wire loading | |
KR20190027909A (en) | Microstrip antenna, antenna array, and manufacturing method of microstrip antenna | |
Gupta et al. | Dual-band miniature coupled double loop GPS antenna loaded with lumped capacitors and inductive pins | |
WO2019223318A1 (en) | Indoor base station and pifa antenna thereof | |
CN101378144B (en) | Radio apparatus and antenna thereof | |
KR100805028B1 (en) | Patch antenna and manufacturing method thereof | |
CN101459284B (en) | Antenna device | |
US6486852B1 (en) | Antenna device and assembly of the antenna device | |
WO2019227651A1 (en) | Portable communication terminal and pifa antenna thereof | |
KR20020065811A (en) | Printed slot microstrip antenna with EM coupling feed system | |
JP5626130B2 (en) | Loop antenna | |
KR101554645B1 (en) | Magnetodielectric substrate and antenna device using it | |
KR100922230B1 (en) | Multilayer Antenna | |
PL233714B1 (en) | Microstrip antenna | |
PL233715B1 (en) | Microstrip antenna |