PL226210B1 - Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorach - Google Patents
Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorachInfo
- Publication number
- PL226210B1 PL226210B1 PL408222A PL40822214A PL226210B1 PL 226210 B1 PL226210 B1 PL 226210B1 PL 408222 A PL408222 A PL 408222A PL 40822214 A PL40822214 A PL 40822214A PL 226210 B1 PL226210 B1 PL 226210B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- section
- semiconductor switch
- output
- voltage
- supplied
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 15
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest układ przekształtnika rezonansowego o przełączanych kondensatorach, zwłaszcza do podnoszenia napięcia źródeł energii napięcia stałego.
Znane jest rozwiązanie jednosekcyjnego układu przekształtnika rezonansowego, zawierające źródło napięcia, z którego ładowane są niezależnie przełączane kondensatory z wykorzystaniem łączników półprzewodnikowych i elementów o charakterze indukcyjnym, a napięcie wyjściowe uzyskuje się w obwodzie szeregowo połączonych kondensatorów rozładowywanych z wykorzystaniem łączników półprzewodnikowych i elementów o charakterze indukcyjnym.
Układ przekształtnika rezonansowego o przełączanych kondensatorach według wynalazku charakteryzuje się tym, że składa się z co najmniej dwóch połączonych ze sobą szeregowo sekcji, mających na wejściu dołączony element o charakterze indukcyjnym. Pierwsza sekcja zasilana jest ze źródła energii napięciem stałym, druga sekcja zasilana jest napięciem wyjściowym pierwszej sekcji, a kolejne sekcje zasilane są napięciem wyjściowym poprzedniej sekcji, osiągając na wyjściu napięcie końcowe. Każdą z sekcji stanowi co najmniej jedna komórka złożona ze sterowanego łącznika półprzewodnikowego, przełączanego kondensatora, drugiego sterowanego łącznika półprzewodnikowego oraz trzeciego sterowanego łącznika półprzewodnikowego. Wyjście każdej sekcji stanowi sterowany łącznik półprzewodnikowy włączony pomiędzy sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym ostatniej komórki i przełączanym kondensatorem ostatniej komórki oraz kondensator wyjściowy połączony ze sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym i drugim sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym.
W drugiej wersji układ przekształtnika rezonansowego składa się z co najmniej dwóch sekcji połączonych ze sobą szeregowo, przy czym na wejściu pierwszej sekcji dołączony jest element o charakterze indukcyjnym, a sekcje łączone są ze sobą przez element o charakterze indukcyjnym.
Zaletą wielosekcyjnego układu przekształtnika rezonansowego, według wynalazku, w którym każdy z przekształtników posiada więcej niż jedną komórkę, jest to, że wzmocnienie napięciowe jest większe niż w układzie z jedną sekcją, posiadającą tą samą liczbę komórek, lub przy tym samym wzmocnieniu napięcia wielosekcyjny układ przekształtnika rezonansowego, według wynalazku, posiada mniejszą ilość komórek niż układ jednosekcyjny.
Przedmiot wynalazku objaśniony jest bliżej w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w sposób schematyczny przekształtnik rezonansowy w ujęciu funkcjonalnoblokowym, fig. 2 - topologię pojedynczej sekcji, a fig. 3 i 4 - drugą wersję przekształtnika rezonansowego.
Układ przekształtnika rezonansowego (fig. 1) składa się z trzech sekcji I połączonych ze sobą szeregowo, a w każdej sekcji I na wejściu dołączony jest element o charakterze indukcyjnym 1. Pierwsza sekcja I zasilana jest ze źródła energii napięciem stałym Us, druga sekcja I zasilana jest napięciem wyjściowym Ud1 pierwszej sekcji I, a trzecia sekcja I zasilana jest napięciem wyjściowym Ud2 drugiej sekcji I, osiągając na wyjściu napięcie końcowe Ud. Każdą z sekcji I (fig. 2) stanowi równoległe połączenie trzech komórek II, przy czym każda z nich złożona jest ze sterowanego łącznika półprzewodn ikowego 2, przełączanego kondensatora 3, drugiego sterowanego łącznika półprzewodnikowego 4 oraz trzeciego sterowanego łącznika półprzewodnikowego 5. Wyjście każdej sekcji I stanowi sterowany łącznik półprzewodnikowy 6 włączony pomiędzy sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym 2 i przełączanym kondensatorem 3 trzeciej komórki II oraz kondensator wyjściowy 7 połączony ze sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym 6 i drugim sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym 4 trzeciej komórki II.
W pojedynczej sekcji I, po załączeniu sterowanych łączników półprzewodnikowych 2 i 4, przełączane kondensatory 3 ładowane są przez element o charakterze indukcyjnym 1 ze źródła energii dołączonego do wejścia układu przekształtnika napięciem stałym Us. Po naładowaniu przełączanych kondensatorów 3, z opóźnieniem wymaganym dla zastosowanych sterowanych elementów półprzewodnikowych 2 i 4, załączane są sterowane łączniki półprzewodnikowe 5 i 6. Powoduje to oscylacyjne rozładowanie połączonych szeregowo przełączalnych kondensatorów 3 w obwodzie rezonansowym, w którym razem z przełączalnymi kondensatorami 3 połączone są szeregowo: źródło napięcia wejściowego Us, element o charakterze indukcyjnym 1, sterowany łącznik półprzewodnikowy 6 oraz kondensator wyjściowy 7.
W drugiej wersji układ przekształtnika rezonansowego (fig. 3 i 4) składa się z trzech sekcji I połączonych ze sobą szeregowo, przy czym na wejściu pierwszej z sekcji I dołączony jest element o charakterze indukcyjnym 1, a pozostałe dwie sekcje I łączone są ze sobą przez element o charaktePL 226 210 B1 rze indukcyjnym 1. Budowa pojedynczej komórki jest identyczna jak w pierwszej wersji układu. Napięcie wyjściowe Ud1 w sekcji składającej się z trzech komórek osiąga wartość: Ud1 = 4Us. Jeżeli napięcie to stanowiłoby napięcie wejściowe dla kolejnej n-komórkowej sekcji, to na wyjściu drugiej z połączonych szeregowo sekcji I napięcie osiągnie wartość: Ud2 = Ud1(1+n) = 4Us (1 + n).
Claims (2)
1. Układ przekształtnika rezonansowego o przełączanych kondensatorach zawierający łączniki półprzewodnikowe i elementy o charakterze indukcyjnym, znamienny tym, że składa się z co najmniej dwóch połączonych ze sobą szeregowo sekcji (I), mających na wejściu dołączony element o charakterze indukcyjnym (1), przy czym pierwsza z sekcji (I) zasilana jest ze źródła energii napięciem stałym (Us), druga z sekcji (I) zasilana jest napięciem wyjściowym (Ud1) pierwszej sekcji (I), a kolejne sekcje (I) zasilane są napięciem wyjściowym poprzedniej sekcji (I), osiągając na wyjściu napięcie końcowe (Ud), a każdą z sekcji stanowi co najmniej jedna komórka (II) złożona ze sterowanego łącznika półprzewodnikowego (2), przełączanego kondensatora (3), drugiego sterowanego łącznika półprzewodnikowego (4) oraz trzeciego sterowanego łącznika półprzewodnikowego (5), zaś wyjście każdej sekcji (I) stanowi sterowany łącznik półprzewodnikowy (6) włączony pomiędzy sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (2) ostatniej komórki (II) i przełączalnym kondensatorem (3) ostatniej komórki (II) oraz kondensator wyjściowy (7) połączony ze sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (6) i drugim sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (4).
2. Układ przekształtnika rezonansowego o przełączanych kondensatorach zawierający łączniki półprzewodnikowe i elementy o charakterze indukcyjnym, znamienny tym, że składa się z co najmniej dwóch sekcji (I) połączonych ze sobą szeregowo, przy czym na wejściu pierwszej sekcji (I) dołączony jest element o charakterze indukcyjnym (1), a sekcje łączone są ze sobą przez element o charakterze indukcyjnym (1), przy czym pierwsza z sekcji (I) zasilana jest ze źródła energii napięciem stałym (Us), druga z sekcji (I) zasilana jest napięciem wyjściowym (Ud1) pierwszej sekcji (I), a kolejne sekcje (I) zasilane są napięciem wyjściowym poprzedniej sekcji (I), osiągając na wyjściu napięcie końcowe (Ud), a każdą z sekcji stanowi co najmniej jedna komórka (II) złożona ze sterowanego łącznika półprzewodnikowego (2), przełączanego kondensatora (3), drugiego sterowanego łącznika półprzewodnikowego (4) oraz trzeciego sterowanego łącznika półprzewodnikowego (5), zaś wyjście każdej sekcji (I) stanowi sterowany łącznik półprzewodnikowy (6) włączony pomiędzy sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (2) ostatniej komórki (II) i przełączalnym kondensatorem (3) ostatniej komórki (II) oraz kondensator wyjściowy (7) połączony ze sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (6) i drugim sterowanym łącznikiem półprzewodnikowym (4).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408222A PL226210B1 (pl) | 2014-05-16 | 2014-05-16 | Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorach |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408222A PL226210B1 (pl) | 2014-05-16 | 2014-05-16 | Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorach |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL408222A1 PL408222A1 (pl) | 2015-11-23 |
| PL226210B1 true PL226210B1 (pl) | 2017-06-30 |
Family
ID=54543811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL408222A PL226210B1 (pl) | 2014-05-16 | 2014-05-16 | Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorach |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL226210B1 (pl) |
-
2014
- 2014-05-16 PL PL408222A patent/PL226210B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL408222A1 (pl) | 2015-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MX337494B (es) | Convertidores y sistemas de fuente de voltaje de multinivel mejorados. | |
| IN2014CN04730A (pl) | ||
| RU2016105213A (ru) | Многоуровневое силовое преобразовательное устройство | |
| GB2526493A (en) | Reconfigurable switched capacitor power converter techniques | |
| GB2527447A (en) | Efficient gate drivers for switched capacitor converters | |
| GB2544202A (en) | Switched mode converter with low-voltage linear mode | |
| WO2014118010A3 (fr) | Convertisseur de puissance multi-niveaux cascadé | |
| CN101459376A (zh) | 变换器电路以及用于运行这种变换器电路的方法 | |
| RU2015101199A (ru) | Одноячеечная структура с возможностью вложения для использования в системе преобразования энергии | |
| WO2014192014A3 (en) | Method and system for a low cost bi-directional grid tied photovoltaic (pv) micro inverter | |
| WO2014108257A3 (en) | Voltage source converter | |
| CN104919362B (zh) | 普克尔盒驱动电路和用于操作普克尔盒的方法 | |
| RU2014137003A (ru) | Трансформатор со ступенчатым переключателем | |
| CN105406709A (zh) | 一种双输入三电平交错Boost变换器及其闭环控制策略 | |
| MX2018004491A (es) | Convertidor de energia. | |
| US9494963B2 (en) | Multi-stage voltage division circuit | |
| CN108462482B (zh) | 一种产生双极性高压脉冲的装置和方法 | |
| PL226210B1 (pl) | Uklad przeksztaltnika rezonansowego o przelaczanych kondensatorach | |
| KR101304525B1 (ko) | 가변 펄스폭을 갖는 펄스형 레이저를 위한 전원장치 | |
| MX2018010034A (es) | Dispositivo para conmutar una corriente continua a un polo de una red de corriente continua. | |
| KR101463388B1 (ko) | 배압 회로 구조를 이용한 양방향 반도체 변압기 | |
| Thamizharasan et al. | A new cascaded multilevel inverter topology with voltage sources arranged in matrix structure | |
| CN105207471A (zh) | 一种低电压应力高降压dc/dc变换器 | |
| CN101355302B (zh) | L型降压变换器的拓扑结构 | |
| RU2352056C1 (ru) | Генератор высоковольтных импульсов |