PL220502B1 - Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego - Google Patents

Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego

Info

Publication number
PL220502B1
PL220502B1 PL406905A PL40690514A PL220502B1 PL 220502 B1 PL220502 B1 PL 220502B1 PL 406905 A PL406905 A PL 406905A PL 40690514 A PL40690514 A PL 40690514A PL 220502 B1 PL220502 B1 PL 220502B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
terminal
inverting input
operational amplifier
output
bipolar transistor
Prior art date
Application number
PL406905A
Other languages
English (en)
Other versions
PL406905A1 (pl
Inventor
Jarosław Sikora
Original Assignee
Lubelska Polt
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lubelska Polt filed Critical Lubelska Polt
Priority to PL406905A priority Critical patent/PL220502B1/pl
Publication of PL406905A1 publication Critical patent/PL406905A1/pl
Publication of PL220502B1 publication Critical patent/PL220502B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego.
W technice znane są sterowane bipolarne źródła prądowe, zrealizowane w wersjach dyskretnej lub scalonej i wykorzystywane, między innymi, do zasilania elektromagnesów, polaryzacji czujników pomiarowych. Modulacja efektywnej szerokości bazy tranzystora, tzw. efekt Early'ego, w stopniu wyjściowym źródła, spowodowana zmianami napięcia kolektor-baza tranzystora w wyniku zmian rezystancji obciążenia lub natężenia prądu wyjściowego, wpływa niekorzystnie na jakość stabilizacji natężenia prądu wyjściowego.
Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 214 903 układ bipolarnego źródła prądowego z eliminacją wpływu efektu Early'ego, w którym emiter tranzystora jest połączony z pierwszym zaciskiem rezystora pierwszego i wejściem odwracającym wzmacniacza operacyjnego oraz drugi zacisk rezystora pierwszego jest połączony z masą układu, przy czym baza tranzystora jest połączona z wyjściem wzmacniacza operacyjnego, natomiast kolektor tranzystora jest połączony z pierwszym zaciskiem rezystora drugiego i wejściem odwracającym wzmacniacza pomiarowego, zaś drugi zacisk rezystora drugiego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza pomiarowego, charakteryzujący się tym, że wejście nieodwracające wzmacniacza operacyjnego jest połączone ze źródłem napięcia referencyjnego jest to, że wyjście wzmacniacza pomiarowego jest połączone z pierwszym wejściem analogowego układu sumującego, źródło napięcia wzorcowego jest połączone z drugim wejściem analogowego układu sumującego, źródło napięcia referencyjnego jest połączone z trzecim wejściem analogowego układu sumującego oraz wyjście analogowego układu sumującego jest połączone z wejściem wzmacniacza mocy, którego wyjście jest połączone z drugim zaciskiem rezystora drugiego. Układ zapewnia stałą wartość napięcia kolektor-emiter tranzystora wyjściowego.
Z literatury znane są, między innymi, źródła prądowe o bardzo wysokiej rezystancji wyjściowej K Hayatleh, N Terzopoulos and B L Hart, A very high output resistance current source, Meas. Sci. Techno. 18, 2007, N9-N11 zrealizowane w technologii bipolarnej oraz źródło prądowe ze sterowanym napięciem zasilania - Jarosław Sikora, Current source with controlled power supply voltage, Electron Technology Conference 2013, edited by Pawel Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk, Proc. of SPIE Vol. 8902, 89020Y1-7, zrealizowane w technologii bipolarnej i zapewniające stałą wartość napięcia kolektor-emiter tranzystora w stopniu wyjściowym źródła.
Z opisu patentowego US nr 6,680,642 B2 znane jest analogowe bipolarne źródło prądowe zawierające rezystor detekcji natężenia prądu połączony szeregowo z rezystancją obciążenia, wzmacniacz pomiarowy oraz wyjściowy wzmacniacz napięciowy zapewniające precyzyjną regulację natężenia prądu obciążenia.
Istotą układu sterowanego bipolarnego źródła prądowego, w którym zacisk pierwszy źródła napięcia referencyjnego pierwszego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza operacyjnego pierwszego, wejście odwracające wzmacniacza operacyjnego pierwszego jest połączone z pierwszym zaciskiem rezystora referencyjnego i emiterem tranzystora bipolarnego, baza tranzystora bipolarnego jest połączona z wyjściem wzmacniacza operacyjnego pierwszego, zaś kolektor tranzystora bipolarnego jest połączony z pierwszym zaciskiem rezystora obciążenia oraz drugi zacisk źródła napięcia referencyjnego pierwszego jest połączony z drugim zaciskiem rezystora referencyjnego i drugim zaciskiem źródła napięcia referencyjnego drugiego jest to, że pierwszy zacisk źródła napięcia referencyjnego drugiego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza operacyjnego drugiego, którego wyjście jest połączone z drugim zaciskiem rezystora obciążenia, baza tranzystora bipolarnego jest połączona z wejściem odwracającym wzmacniacza pomiarowego, kolektor tranzystora bipolarnego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza pomiarowego, zaś wyjście wzmacniacza pomiarowego jest połączone z wejściem odwracającym wzmacniacza operacyjnego drugiego.
Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego według wynalazku posiada prostą konstrukcję, sprzyjającą realizacji w postaci układu scalonego. Dzięki niezależnej stabilizacji natężenia prądu emitera i napięcia kolektor-baza tranzystora bipolarnego stopnia wyjściowego źródła, nie występuje modulacja efektywnej szerokości bazy tranzystora i zapewnione są precyzyjny dobór oraz wysoka jakość stabilizacji natężenia prądu obciążenia.
Wynalazek jest przedstawiony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym uwidoczniono schemat ideowy układu sterowanego bipolarnego źródła prądowego.
PL 220 502 B1
Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego zawiera: rezystor referencyjny Rref1, wzmacniacz operacyjny pierwszy WO1, tranzystor bipolarny T1, rezystor obciążenia wzmacniacz operacyjny drugi WO2, wzmacniacz pomiarowy WP1, źródła Uref1, Uref2 napięć referencyjnych. Zacisk pierwszy źródła Uref1 napięcia referencyjnego pierwszego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza WO1 operacyjnego pierwszego, wejście odwracające wzmacniacza WO1 operacyjnego pierwszego jest połączone z pierwszym zaciskiem rezystora referencyjnego Rref i emiterem tranzystora T1 bipolarnego, zaś baza tranzystora T1 bipolarnego jest połączona z wyjściem wzmacniacza WO1 operacyjnego pierwszego natomiast kolektor tranzystora T1 bipolarnego jest połączony z pierwszym zaciskiem rezystora R1 obciążenia, drugi zacisk źródła napięcia Uref1 referencyjnego pierwszego jest połączony z drugim zaciskiem rezystora Rref1 referencyjnego i drugim zaciskiem źródła napięcia Uref2 referencyjnego drugiego, zaś pierwszy zacisk źródła napięcia Uref2 referencyjnego drugiego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza WO2 operacyjnego drugiego. Baza tranzystora T1 bipolarnego jest połączona z wejściem odwracającym wzmacniacza WP1 pomiarowego, kolektor tranzystora T1 bipolarnego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza WP1 pomiarowego, zaś wyjście wzmacniacza WP1 pomiarowego jest połączone z wejściem odwracającym wzmacniacza WO2 operacyjnego drugiego, natomiast wyjście wzmacniacza WO2 operacyjnego drugiego jest połączone z zaciskiem drugim rezystora RL obciążenia. Wzmacniacz WO1 operacyjny pierwszy porównuje napięcie Uref1 referencyjne pierwsze ze spadkiem potencjału na rezystorze Rref1 referencyjnym i wzmocnionym napięciowym sygnałem błędu steruje bazę tranzystora T1 bipolarnego w celu zapewnienia stałej wartości natężenia prądu emitera, natomiast wzmacniacz WO2 operacyjny drugi w obwodzie ujemnego sprzężenia zwrotnego zapewnia stałą wartość napięcia kolektor-baza równą napięciu Uref2 referencyjnemu drugiemu, dzięki czemu nie występuje modulacja efektywnej szerokości bazy tranzystora T1 bipolarnego.

Claims (1)

  1. Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego, w którym zacisk pierwszy źródła napięcia referencyjnego pierwszego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza operacyjnego pierwszego, wejście odwracające wzmacniacza operacyjnego pierwszego jest połączone z pierwszym zaciskiem rezystora referencyjnego i emiterem tranzystora bipolarnego, baza tranzystora bipolarnego jest połączona z wyjściem wzmacniacza operacyjnego pierwszego, zaś kolektor tranzystora bipolarnego jest połączony z pierwszym zaciskiem rezystora obciążenia oraz drugi zacisk źródła napięcia referencyjnego pierwszego jest połączony z drugim zaciskiem rezystora referencyjnego i drugim zaciskiem źródła napięcia referencyjnego drugiego, znamienny tym, że pierwszy zacisk źródła (Uref1) napięcia referencyjnego drugiego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza (W2) operacyjnego drugiego, którego wyjście jest połączone z drugim zaciskiem rezystora (Rl) obciążenia, baza tranzystora (T1) bipolarnego jest połączona z wejściem odwracającym wzmacniacza (WP1) pomiarowego, kolektor tranzystora (T1) bipolarnego jest połączony z wejściem nieodwracającym wzmacniacza (WP1) pomiarowego, zaś wyjście wzmacniacza (WP1) pomiarowego jest połączone z wejściem odwracającym wzmacniacza (WO2) operacyjnego drugiego.
PL406905A 2014-01-22 2014-01-22 Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego PL220502B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL406905A PL220502B1 (pl) 2014-01-22 2014-01-22 Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL406905A PL220502B1 (pl) 2014-01-22 2014-01-22 Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL406905A1 PL406905A1 (pl) 2014-11-24
PL220502B1 true PL220502B1 (pl) 2015-11-30

Family

ID=51902560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL406905A PL220502B1 (pl) 2014-01-22 2014-01-22 Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL220502B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL406905A1 (pl) 2014-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9141124B1 (en) Bandgap reference circuit
US9240775B2 (en) Circuit arrangements
JP5336554B2 (ja) 自動利得調整回路
ATE499744T1 (de) Instrumentenverstärker
US9568933B2 (en) Circuit and method for generating a bandgap reference voltage
TWI571051B (zh) 具有加強的線性之低電壓類比可變增益放大器
CN106774574A (zh) 一种带隙基准源电路
KR20190029244A (ko) 밴드 갭 기준 전압 생성 회로 및 밴드 갭 기준 전압 생성 시스템
US7683715B2 (en) Feedback biasing technique for a stage of an amplifier that uses a feedback control loop having low gain
US9473075B2 (en) Dynamic current source for amplifier integrator stages
PL220502B1 (pl) Układ sterowanego bipolarnego źródła prądowego
JP2012038746A (ja) 負荷装置
RU2333593C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы
RU2523947C1 (ru) Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов
Chauhan et al. Low power and low noise instrumentation amplifier
RU2421893C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
KR20190072021A (ko) 기준 전압 발생 장치
RU2439780C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
CN103138704A (zh) 适合于大尺度信号应用的电压控制可变电阻器
RU2419187C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с повышенной стабильностью нулевого уровня
TWI522770B (zh) 能隙參考電路
CN105300464B (zh) 能带隙参考电路
JP3535357B2 (ja) 低電圧トランスリニア回路
RU2432666C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
CN106155173B (zh) 能隙参考电路

Legal Events

Date Code Title Description
LICE Declarations of willingness to grant licence

Effective date: 20150513