PL218054B1 - Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego - Google Patents
Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'egoInfo
- Publication number
- PL218054B1 PL218054B1 PL390966A PL39096610A PL218054B1 PL 218054 B1 PL218054 B1 PL 218054B1 PL 390966 A PL390966 A PL 390966A PL 39096610 A PL39096610 A PL 39096610A PL 218054 B1 PL218054 B1 PL 218054B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- zno
- layer
- schottky
- barrier
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims description 17
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical group [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical group [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 100
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019895 RuSi Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFVPJMZRRXCXAO-UHFFFAOYSA-N [He].[O] Chemical compound [He].[O] KFVPJMZRRXCXAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego przeznaczona do zastosowań w przyrządach dla przezroczystej i wysokotemperaturowej elektroniki oraz optoelektroniki, a zwłaszcza aktywnych przyrządów elektronicznych, takich jak cienkowarstwowe tranzystory polowe MESFET, diody mocy, fotodiody pracujące w zakresie nadfioletu i czujniki.
ZnO jest jednym z najbardziej perspektywicznych tlenków metali, ponieważ jest to półprzewodnik charakteryzujący się szeroką przerwą wzbronioną oraz dobrymi własnościami elektrycznymi, akustyczno-optycznymi i piezoelektrycznymi. Duża energia wiązania ekscytonu w ZnO zapewnia wysoką efektywność luminescencji w zakresie fioletu i nadfioletu. Dzięki szerokiej przerwie wzbronionej samoistna koncentracja nośników w ZnO jest znacznie niższa niż w konwencjonalnych półprzewodnikach, takich jak krzem i arsenek galu, co umożliwia pracę w wysokich temperaturach przy niskich prądach upływu. Ponadto, ZnO charakteryzuje się istotnie wyższą, w porównaniu z innymi półprzewodnikami, odpornością na promieniowanie jonizujące, co umożliwia pracę w przestrzeni kosmicznej i w reaktorach jądrowych.
Niedomieszkowany ZnO wykazuje samoistne przewodnictwo typu n, którego wielkość zależy od koncentracji rodzimych defektów donorowych, w tym przede wszystkim od wakansów tlenowych VO. Istotnym przyczynkiem do przewodnictwa elektronowego jest zanieczyszczenie wodorem, stosowanym powszechnie w technologii wzrostu ZnO, który wbudowując się w pozycje międzywęzłowe tworzy płytki poziom donorowy. To sprawia, że wytworzenie stabilnego i powtarzalnego ZnO typu p jest bardzo trudne i do tej pory nie opanowano technologii złącz p-n na bazie ZnO.
Bariera potencjału na międzypowierzchni prostującego złącza metal/półprzewodnik, odpowiedniego do zastosowania jako dioda, nosi nazwę bariery Schottky'ego. Podstawowym parametrem determinującym charakterystyki elektryczne złącza prostującego jest wysokość bariery Schottky'ego. W świetle klasycznej teorii kontaktu metal/półprzewodnik, wysokość bariery dla półprzewodnika typu n jest określona różnicą między pracą wyjścia metalu a powinowactwem elektronowym półprzewodnika. Zważywszy, że powinowactwo elektronowe ZnO wynosi -4.1-4.3 eV [B. J. Copa et al., Structural, microstructural and electrical properties' of gold films and Schottky contacts on remote plasma-cleaned n-type ZnO {0001} surfaces, J. Appl. Phys. 97, 103517 (2005)], dla uzyskania kontaktu prostującego metal/ZnO typu n używa się metalu o dużej pracy wyjścia (powyżej 5 eV), jak np. Au, Pd, Pt.
W znanych pracach eksperymentalnych jednakże nie wykazano współzależności między pracą wyjścia metalu a wysokością bariery [C. A. Mead, Surface barriers on ZnSe and ZnO, Phys. Lett. 18, 218 (1965)]. Dopiero badania przeprowadzone w ostatnim okresie na wysokiej jakości monokryształach ZnO wykazały, że powierzchnię ZnO charakteryzuje duża gęstość wakansów tlenowych, które maskują wpływ metalu na wysokość bariery i utrudniają wytworzenie dobrych barier Schottky'ego [L. J. Brillson et al., Dominant effect of near-surface native point defects on ZnO Schottky barriers, Appl. Phys. Lett. 90, 102116 (2007), M. W. Allen and S. M. Durbin, Influence of oxygen vacancies on Schottky contacts to ZnO, Appl. Phys. Lett. 92, 122110 (2008)].
Z pracy, H. I. Mosbacker et al., Role of near-surface states in ohmie-Schotky comersion of Au contacts to ZnO. Appl. Phys. Lett. 87, 012102 (2005) znana jest bariera Schottky'ego Au/ZnO typu n o wysokości 0,5 eV. Bariera o takich parametrach możliwa była do uzyskania dzięki odpowiedniej obróbce powierzchni ZnO w plazmie tlenowo-helowej.
Z pracy. K. Ip et al., Improved Pt/Au and W/Pt/Au Schottky contacts on n-type ZnO using ozone cleaning, Appl. Phys. Lett. 84, 5133 (2004) znana jest struktura zawierająca prostujący kontakt Pt/ZnO typu n z barierą Schottky'ego o wysokości 0,7 eV, który uzyskano poddając powierzchnię ZnO działaniu ozonu.
W pracy M. W. Allen et al., Silver oxide contacts on n-type ZnO, Appl. Phys. Lett. 91, 053512 (2007) opisano otrzymywanie bariery Schottky'ego przez osadzenie na podłożu ZnO warstwy tlenku srebra. Osadzanie to prowadzono za pomocą reaktywnego rozpylania katodowego srebra w plazmie z dodatkiem tlenu. Rozwijając tę koncepcję na inne metale, takie jak Ir, Pd i Pt, w pracy M. W. Allen et al., Oxidized noble metal Schottky contacts to n-type ZnO, Appl. Phys. Lett. 94, 103508 (2009) przedstawiono wyniki świadczące o tym, że nawet w przypadku metali szlachetnych, osadzanie metalizacji Schottky'ego w atmosferze wzbogaconej w tlen pozwala wytworzyć bariery Schottky'ego do ZnO.
Znanymi sposobami można uzyskać więc struktury półprzewodnikowe z barierami Schottky'ego poprzez zmniejszenie koncentracji wakansów tlenowych przed lub podczas osadzania metalizacji,
PL 218 054 B1 a użycie np. tlenku srebra dodatkowo tworzy na międzypowierzchni, po stronie metalizacji „rezerwuar tlenu, co pozytywnie wpływa na stabilność kontaktu z tlenkiem cynku.
Jednakże, zasadniczą wadą znanych struktur na bazie ZnO z barierami Schottky'ego jest to, że metalizacje w postaci cienkich warstw metalicznych są niestabilne termicznie w kontakcie z ZnO nawet w stosunkowo niskich temperaturach. Niestabilność ta powoduje degradację właściwości barier Schottky'ego, a dyfuzja wzdłuż granic ziaren lub rozległych defektów polikrystalicznych warstwach metalicznych jest bardzo szybka w porównaniu z dyfuzją objętościową już w temperaturach znacznie poniżej temperatury topnienia materiału. Najczęściej kontakty metaliczne w wyniku aktywowanej termicznie reakcji na międzypowierzchni metal/półprzewodnik tworzą albo z cynkiem stop eutektyczny (Au, Pd, Pt), albo z tlenem - tlenek (Al, Ta, Ir, Ag). W przypadku bariery Schottky'ego z tlenku srebra metalizacja ulega dekompozycji już w temperaturze 200-300°C na metaliczne srebro i tlen.
Celem wynalazku jest wytworzenie takiej struktury z barierą Schottky'ego, która byłaby stabilna termicznie w kontakcie z ZnO, zarówno w niskich, jak i podwyższonych temperaturach otoczenia.
Struktura półprzewodnikowa z barierą Schottky'ego według wynalazku posiada na powierzchni 14 -1 17 -3 półprzewodnika na bazie ZnO o koncentracji nośników 1 x 10 cm- + 5 x 10 cm- amorficzną warstwę przewodzącą w postaci TM-Si-O o grubości 5 + 100 nm. Zawartość TM i krzemu (Si) jest jednakowa i łącznie stanowi 33 ± 1% at., natomiast zawartość tlenu (O) wynosi 67 ± 1% at. W strukturze tej TM może być rutenem (Ru) lub irydem (Ir). Bariera Schottky'ego może być osadzona bezpośrednio na powierzchni półprzewodnika lub na powierzchni półprzewodnika pokrytej warstwą dielektryka podbramkowego.
Zastosowana metalizacja barierowa w postaci cienkiej warstwy TM-Si-O łączy w sobie zalety przewodzącego tlenku metalu z pozbawioną granic ziaren, odporną na dyfuzję, strukturą amorficzną tlenku krzemu. Jest stabilna termicznie w wysokich temperaturach, bowiem jej dekompozycja zaczyna się w 1000°C.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania struktury z barierą Schottky'ego Ru-Si-O. W pierwszym przykładzie struktura została wykonana na szafirowym podłożu pokrytym warstwą ZnO, a w drugim przykładzie bariera Schottky'ego wykonana z cienką warstwą dielektryka podbramkowego pomiędzy ZnO a metalizacją Ru-Si-O.
Przkładowa struktura ma szafirowe podłoże pokryte warstwą ZnO grubości 600 nm. Na war16 -3 stwie ZnO typu n o koncentracji nośników n = 1 x 1016 cm-3 znajduje się amorficzna cienka przewodząca warstwa barierowa typu TM-Si-O o grubości 50 nm. W przykładzie TM jest rutenem (Ru), a sumaryczna zawartość atomowa Ru i Si w warstwie wynosi 33 ± 1% at., przy jednakowej ilości obu składników mierzonej z dokładnością ± 5%. Natomiast zawartość tlenu w tej warstwie to 67 ± 1% at.
Strukturę tą wykonano na podłożu z szafiru o orientacji (0001). W procesie rozpylania katodowego nałożono z targetu ZnO warstwę ZnO o grubości 600 nm. Następnie, podłoże z warstwą umieszczono w piecu i poddano wygrzewaniu w przepływie tlenu w temperaturach kolejno 400°C, 500°C i 600°C po 15 min. Taka obróbka termiczna miała na celu poprawę mikrostruktury warstwy ZnO. Na podstawie pomiarów metodą dyfrakcji rentgenowskiej stwierdzono, że po wygrzewaniu warstwa charakteryzowała się preferowaną orientacją (0001). Pomiary efektu Halla wykazały, że warstwa
-3
ZnO jest typu n o koncentracji nośników ładunku ok. 1,5 x1016 cm-3. Następnie, na powierzchni warstwy ZnO metodą fotolitografii lift-off i naparowania wykonano kontakty omowe w postaci dwuwarstwy Ti/Al, o grubości odpowiednio 20/100 nm, w kształcie pierścieni o średnicy wewnętrznej 325 μm i szerokości 150 μm i wygrzano je w 200°C przez 1 min. w przepływie argonu.
Po zakończeniu tego procesu materiał umieszczono w urządzeniu do rozpylania katodowego w celu osadzania na powierzchni ZnO metalizacji bariery Schottky'ego. Warstwę barierową Ru-Si-O osadzano z targetu RuSi metodą reaktywnego rozpylania katodowego RF czy ciśnieniu roboczym 5 x
10-3 mbar w plazmie o składzie 80% Ar i 20% O2 i mocy 100 W. Grubość warstwy wynosiła 50 nm. W celu wykonania połączeń drutowych na warstwę Ru-Si-O osadzono dodatkowo warstwę Au o grubości 150 nm. Taką strukturę dwuwarstwową ukształtowano w kółka o średnicy 300 μm, współśrodkowe z pierścieniami kontaktów omowych metodą fotolitografii lift-off.
Badanie strukturalne i analiza składu wykazały, że warstwa Ru-Si-O ma strukturę amorficzną i skład odpowiadający RuSiO4, tj. 15 at. % Ru, 18 at. Si i 67 at.% O. Rezystywność warstwy określona -3 za pomocą pomiaru sondą czteroostrzową wynosiła 1,5 x 10-3 Ω cm. Natomiast wyznaczona z pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych wysokość bariery Schottky'ego Ru-Si-O/ZnO typu n wynosiła 0,85 eV. Na podstawie pomiarów profili składu złącz Ru-Si-O/ZnO po wygrzewaniu w 400°C me4
PL 218 054 B1 todą spektroskopii masowej jonów wtórnych stwierdzono, że na międzypowierzchni złącza nie ma żadnych śladów reakcji, co świadczy o stabilności termicznej złącza.
Drugą przykładową strukturę z barierą Schottky'ego wykonano z cienką warstwą dielektryka podbramkowego pomiędzy ZnO a metalizacją Ru-Si-O w celu zwiększenia wysokości bariery potencjału oraz z warstwą pasywacyjną dwutlenku krzemu na powierzchni ZnO. W procesie rozpylania katodowego nałożono na podłożu z szafiru o orientacji (0001), w procesie jak w pierwszym przykładzie, warstwę ZnO o grubości 600 nm i przykryto ją in situ warstwą SiO2 o grubości 10 nm wytworzoną na drodze rozpylania katodowego. Następnie, podłoże z warstwami ZnO/SiO2 umieszczono w piecu i poddano wygrzewaniu w przepływie tlenu temperaturach kolejno 400°C, 500°C i 800°C po 15 min. w celu udoskonalenia mikrostruktury warstwy ZnO. Po wygrzewaniu warstwa charakteryzowała się preferowaną orientacją (0001). Pomiary efektu Halla wykazały, że warstwa ZnO jest typu n o koncen17 -3 tracji nośników ładunku ok. 2 x 1017cm-3.
Następnie, w warstwie SiO2 metodą fotolitografii i trawienia wykonano otwory pod kontakty omowe w kształcie pierścieni o średnicy wewnętrznej 225 μm i szerokości 150 μm, po czym naparowano metalizację w postaci dwuwarstwy Ti/Al (20/100 nm) i jak poprzednio poddano ją obróbce termicznej.
W kolejnym etapie, w warstwie SiO2 metodą fotolitografii i trawienia wykonano otwory do osadzenia metalizacji Schottky'ego w postaci kółek o średnicy 200 μm, współśrodkowych z pierścieniami kontaktów omowych. Następnie, materiał umieszczono w urządzeniu do rozpylania katodowego w celu osadzania in situ warstwy dielektryka podbramkowego dwutlenku cyrkonu (ZrO2) i metalizacji bariery Schottky'ego Ru-Si-O. Warstwę ZrO2 osadzono metodą reaktywnego rozpylania katodowego z targetu Zr w atmosferze 70% Ar i 30% O2, zaś warstwę barierową Ru-Si-O - z targetu RuSi metodą reaktywnego rozpylania katodowego tak jak w przykładzie pierwszym. Grubość dwuwarstwy ZrO2/RuSi-O wynosiła 6 nm/50 nm. W celu wykonania połączeń drutowych na warstwę Ru-Si-O osadzono dodatkowo warstwę Au o grubości 150 nm. Wysokość bariery Schottky'ego Ru-Si-O z dielektrykiem podbramkowym ZrO2, wyznaczona z pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych, wynosiła 1,15 cV.
Claims (4)
1. Struktura półprzewodnikowa z barierą Schottky'ego wykonaną na powierzchni półprzewodnika na bazie ZnO w postaci podłoża lub warstwy, znamienna tym, że na powierzchni półprzewodnika,
14 -3 17 -3 o koncentracji nośników n = 1 x 10 cm' + 5 x 10 cm znajduje się amorficzna warstwa przewodząca w postaci TM-Si-O o grubości 5 + 100 nm, przy czym zawartość TM i krzemu w warstwie jest jednakowa i łącznie stanowi 33 ± 1% at, natomiast zawartość tlenu wynosi 67 ± 1% at.
2. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że warstwa TM-Si-O znajduje się na dielektryku podbramkowym osadzonym bezpośrednio na powierzchni półprzewodnika na bazie ZnO.
3. Struktura według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że TM jest rutenem (Ru).
4. Struktura według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że TM jest irydem (Ir).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL390966A PL218054B1 (pl) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL390966A PL218054B1 (pl) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL390966A1 PL390966A1 (pl) | 2011-10-24 |
| PL218054B1 true PL218054B1 (pl) | 2014-10-31 |
Family
ID=44838407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL390966A PL218054B1 (pl) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL218054B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL441922A1 (pl) * | 2022-08-02 | 2024-02-05 | Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki I Fotoniki | Bariera Schottky'ego dla struktur półprzewodnikowych na bazie β-Ga₂O₃ oraz sposób wytwarzania tej bariery |
-
2010
- 2010-04-12 PL PL390966A patent/PL218054B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL441922A1 (pl) * | 2022-08-02 | 2024-02-05 | Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki I Fotoniki | Bariera Schottky'ego dla struktur półprzewodnikowych na bazie β-Ga₂O₃ oraz sposób wytwarzania tej bariery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL390966A1 (pl) | 2011-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sacchetto et al. | ITO/MoOx/a-Si: H (i) hole-selective contacts for silicon heterojunction solar cells: degradation mechanisms and cell integration | |
| JP7145077B2 (ja) | 構造物、その製造方法、半導体素子及び電子回路 | |
| Sheng et al. | Schottky diode with Ag on (1120) epitaxial ZnO film | |
| JP5837299B2 (ja) | コンタクトおよび作製方法 | |
| JP6169605B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US8623153B2 (en) | Method to prepare a stable transparent electrode | |
| US20190013389A1 (en) | Laminated article | |
| US20200266304A1 (en) | Laminated body | |
| Ravikumar et al. | Investigation on microstructural and opto-electrical properties of Zr-doped SnO2 thin films for Al/Zr: SnO2/p-Si Schottky barrier diode application | |
| Ilican et al. | XPS Studies of Electrodeposited Grown F‐Doped ZnO Rods and Electrical Properties of p‐Si/n‐FZN Heterojunctions | |
| Ke et al. | The characteristics of IGZO/ZnO/Cu2O: Na thin film solar cells fabricated by DC magnetron sputtering method | |
| Hwang et al. | Non-surface-treated Au/ZnO Schottky diodes using pre-annealed hydrothermal or sol-gel seed layer | |
| Patel et al. | Rapid Thermal Treatment of Reactive Sputtering Grown Nanocrystalline Co3O4 for Enhanced All‐Oxide Photovoltaics | |
| Uslu et al. | On the mechanism of current-transport in Cu/CdS/SnO2/In–Ga structures | |
| Sharma et al. | Low resistance ohmic contact of multi-metallic Mo/Al/Au stack with ultra-wide bandgap Ga2O3 thin film with post-annealing and its in-depth interface studies for next-generation high-power devices | |
| de Castro et al. | Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films | |
| Jin et al. | Schottky diodes on ZnO thin films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition | |
| PL218054B1 (pl) | Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottky'ego | |
| Yang et al. | Measurement of contact resistivity at metal-tin sulfide (SnS) interfaces | |
| Li et al. | Over 500° C stable transparent conductive oxide for optoelectronics | |
| CN118749137A (zh) | 基于氧化银/β-氧化镓异质结的日盲光电探测器及制造其的方法 | |
| CN104124290B (zh) | 一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池 | |
| KARAKUŞ et al. | Current–Voltage Characteristics of Al/(CdO: ZnO: NiO: Ti)/p-Si/Al Quaternary Functional Schottky Diodes | |
| Montgomery et al. | Development of ZnO-InP heterojunction solar cells for thin film photovoltaics | |
| CN115274872B (zh) | 一种紫外光电探测器及其制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20140408 |