PL214050B1 - Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSb - Google Patents
Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSbInfo
- Publication number
- PL214050B1 PL214050B1 PL380005A PL38000506A PL214050B1 PL 214050 B1 PL214050 B1 PL 214050B1 PL 380005 A PL380005 A PL 380005A PL 38000506 A PL38000506 A PL 38000506A PL 214050 B1 PL214050 B1 PL 214050B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- solution
- substrate
- detector
- gasb
- mesa
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 30
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZGSDJMADBJCNPN-UHFFFAOYSA-N [S-][NH3+] Chemical compound [S-][NH3+] ZGSDJMADBJCNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania detektora średniej podczerwieni GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb pracującego w zakresie długości fali λ = 2,1-2,35 μιτι.
Detektory pracujące w zakresie średniej podczerwieni znajdują szerokie zastosowanie w spektroskopii chemicznej i medycznej, w detekcji zanieczyszczeń atmosfery, w przemyśle spożywczym i wydobywczym, w układach do zdalnego sterowania procesami technologicznymi oraz w radarach podczerwonych dla lotnictwa i przemysłu samochodowego. Z uwagi na rosnące zapotrzebowanie na alternatywne źródła energii elektrycznej zastosowanie związku GaSb i materiałów pokrewnych w dziedzinie termofotowoltaiki jest szczególnie perspektywiczne. Wspólnym problemem wszystkich półprzewodników lll-V jest duża gęstość stanów powierzchniowych, tzw. powierzchniowy „pinning” poziomu Fermiego oraz występowanie powierzchniowej warstwy tlenków resztkowych. Jest to szczególnie ważne w przypadku GaSb, ponieważ półprzewodnik ten ma w porównaniu z innymi półprzewodnikami jak GaAs czy InP znacznie większą reaktywność, w związku z czym znacznie szybciej utlenia się w obecności atmosfery. Ponadto powierzchnia GaSb nie jest stabilna termodynamicznie, a w wyniku reakcji przebiegającej w temperaturze pokojowej, na międzypowierzchni tlenek-GaSb mogą pojawiać się wytrącenia antymonu. Wytrącenia te mogą prowadzić do powstania ścieżek przewodzących, równoległych do międzypowierzchni a w konsekwencji do dużej upływności oraz drastycznego wzrostu szybkości rekombinacji powierzchniowej.
Znane sposoby wytwarzania detektorów średniej podczerwieni pracujących w zakresie długości fali λ = 2,1-2,35 μιτι na podłożu GaSb polegają na odpowiednim przygotowaniu podłoża i wytworzeniu na tym podłożu struktury detektorowej.
Podłoże z GaSb poddawane jest obróbce powierzchniowej takiej jak szlifowanie, polerowanie, trawienie czy mycie. Na odpowiednio przygotowane podłoże, czasami bezpośrednio, a czasami dopiero na warstwę stabilizującą jak w zgłoszeniu P.345941, nakładana jest najczęściej metodą LPE (epitaksji z fazy ciekłej) heterostruktura detektorowa GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb. Po zakończeniu tego procesu powierzchnię struktury detektorowej pokrywa się warstwą maskującą przystosowaną do trawienia struktur „mesa” i w warstwie tej wytwarza się metodą fotolitografii właściwy wzór, a następnie najczęściej metodą reaktywnego trawienia jonowego RIE trawi się te wzory. Następnie trawi się struktury „mesa” w półprzewodnikowej heterastrukturze GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb z wykorzystaniem reaktywnego trawienia jonowego, po czym wytwarza się kontakty omowe do obszarów typu p i typu n detektora. Na zakończenie procesu wytwarzania detektora prowadzi się pasywację powierzchni zboczy struktury „mesa” detektora.
Ze względu na dużą reaktywność powierzchni GaSb największe problemy sprawia przygotowanie powierzchni podłoża o jakości „epiready grade” oraz poprawienie parametrów elektrycznych tzn. zwiększenie detekcyjności D* czułości prądowej R,, wydajności kwantowej η i rezystancji różniczkowej Ro oraz zredukowanie prądu ciemnego a także natężenia szumu detektora. Prąd ciemny jest najbardziej czułym parametrem odzwierciedlającym wpływ stanu powierzchni na jakość detektora.
Jedną ze znanych z literatury tematu metod zabezpieczenia powierzchni GaSb jest obróbka w roztworach siarki stosowana zarówno jako metoda przygotowania powierzchni podłoża o jakości „epiready grade” jak i technika pasywacji zboczy struktury „mesa”.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania detektora średniej podczerwieni pracującego na podłożu GaSb, o polepszonych parametrach elektrycznych takich jak detekcyjność D*, czułość prądowa R,, wydajność kwantowa η i rezystancja różniczkowa Ro zwłaszcza o zmniejszonym prądzie ciemnym i natężeniu szumu detektora.
Istota sposobu według wynalazku polega na tym, że przed nałożeniem w procesie epitaksji z fazy ciekłej na podłoże z antymonku galu (GaSb) czteroskładnikowej warstwy czynnej Ga1.xlnxAsySb1.y powierzchnię podłożową najpierw utlenia się anodowo w roztworze kwasu winowego C4H6O6 w glikolu etylenowym C2H4(OH)2, przy czym pH roztworu zawiera się w przedziale od 4 do 6. Następnie z podłoża usuwa się wytworzony tlenek anodowy, przy czym usuwanie to prowadzi się w temperaturze pokojowej w roztworze kwasu solnego HCI o stężeniu Cp = 5%. Po usunięciu tlenku anodowego podłoże pasywuje się, korzystnie przez zanurzenie w 16% roztworze siarczku sodowego Na2S w alkoholu izopropylowym C3H7OH, przy czym pHroztw = 11-13,5, w temperaturze pokojowej. Następnie, tuż przed procesem epitaksjalnego osadzania warstwy czynnej, usuwa się z podłoża techniką in-situ warstwę pasywującą i nakłada się w tym samym procesie czteroskładnikową warstwę czynną dopasowaną sieciowo do podłoża. Po czym wytrawia się strukturę „mesa” oraz wytwarza się
PL 214 050 Β1 na powierzchni warstwy podkontaktowej AlGaAsSb typu p kontakty omowe Au/Zn/Au a na spodniej powierzchni podłoża typu n kontakty omowe AgTe/Cr/Au. Przy czym przed wytworzeniem kontaktów zarówno powierzchnię podkontaktową AlGaAsSb jak i spodnią powierzchnię podłoża poddaje się dwuetapowemu trawieniu chemicznemu, w pierwszym etapie w roztworze kwasu solnego HCI i kwasu azotowego HNO3 w stosunku objętościowym 30 do 1 w temperaturze T = 5°C w czasie t = 20 s, a w drugim etapie w roztworze kwasu solnego o stężeniu Cp = 5% w czasie t = 60 s.
Na zakończenie procesu wytwarzania detektora pasywuje się powierzchnię zboczy struktury „mesa” GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb w wodnym 21% roztworze siarczku amonowego (NH4)2S H2O przy gęstości prądu j = 4 mA/cm2.
Zastosowanie wstępnej pasywacji w 16% roztworze siarczku sodowego Na2S w alkoholu izopropylowym C3H7OH jest prostym i tanim sposobem przygotowania powierzchni podłoża GaSb przed epitaksjalnym wzrostem heterostruktury detektorowej. Usuwanie warstwy pasywującej odbywa się w reaktorze LPE, tuż przed procesem wzrostu, co gwarantuje skuteczność tej metody, jako sposobu zabezpieczenia powierzchni przed utlenianiem.
Natomiast zastosowanie elektrochemicznego siarkowania w roztworze siarczku amonowego (NH4)2S jest doskonałą metodą pasywacji zboczy struktury „mesa”, ponieważ pozwala w kontrolowany sposób uzyskać stosunkowo grube (ok. 100 nm) warstwy izolujące o dobrej morfologii powierzchni.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania detektora średniej podczerwieni GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb pracującego w zakresie długości fali λ = 2,1-2,35 pm.
Dla wytworzenia takiego detektora, powierzchnię podłoża z GaSb o orientacji krystalograficznej <100> poddaje się obróbce szlifowania i chemo-mechanicznego polerowania przy użyciu roztworu bromu Br2 w glikolu etylenowym C2H4(OH)2, w stosunku objętościowym 1 do 100. Następnie podłoże to poddaje się utlenianiu anodowemu w roztworze kwasu winowego C4H6O6 w glikolu etylenowym C2H4(OH)2, przy czym pH roztworu wynosi 5, przy prądzie anodowym Ua = 50V.
Przed procesem wytworzenia heterostruktury detektorowej GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb usuwa się z podłoża tlenek anodowy w roztworze kwasu solnego HCI o stężeniu Cp = 5% oraz pasywuje się powierzchnię tego podłoża w 16% roztworze siarczku sodowego Na2S w alkoholu izopropylowym C3H7OH przy czym pHroztw = 13,1, w temperaturze pokojowej. Następnie metodą epitaksji z fazy ciekłej (LPE) prowadzi się wzrost heterostruktury detektorowej GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb, przy czym tuż przed rozpoczęciem procesu epitaksji, w temperaturze T = 640°C, w czasie t = 60 min. usuwa się in-situ wytworzoną uprzednio warstwę pasywującą. Po wytworzeniu heterostruktury GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb, na powierzchni warstwy podkontaktowej AlGaAsSb osadza się dwuskładnikową warstwę SiO2/Cr stanowiącą maskę do trawienia struktur „mesa”. W warstwie maskującej, metodą fotolitografii kształtuje się określony wzór a następnie trawi się maskę metodą reaktywnego trawienia jonowego RIE, przy czym warstwę SiO2 trawi się w plazmie CF4/O2 a warstwę Cr trawi się w plazmie CCI4/O2. Po wytworzeniu maski trawi się strukturę „mesa” w plazmie CCI4/H2. Następnie przystępuje się do wytworzenia kontaktów omowych Au/Zn/Au do obszaru typu p detektora i w tym celu, odpowiednio przygotowuje się powierzchnię podkontaktową AlGaAsSb. Odsłonięte obszary AlGaAsSb poddaje się dwuetapowemu trawieniu chemicznemu, w pierwszym etapie w roztworze kwasu solnego HCI i kwasu azotowego HNO3 w stosunku objętościowym 30 do 1, w temperaturze T = 5°C, w czasie t = 20 s a w drugim etapie w roztworze kwasu solnego o stężeniu Cp = 5% w czasie t = 60 s. Następnie, bezpośrednio przed wytworzeniem kontaktów omowych typy p powierzchnię podkontaktową trawi się dodatkowo, w plazmie argonowej Ar+ przy napięciu UDc = 300 V i w czasie t = 30 s.
Przed wytworzeniem kontaktów omowych typu n, pocienia się od spodu podłoże GaSb do grubości 100 pm. Proces ten prowadzi się za pomocą trawienia w roztworze kwasu fluorowego HF, nadtlenku wodoru H2O2 oraz kwasu winowego C4H6O6 w stosunku objętościowym 1 do 14 do 20, w temperaturze pokojowej. Następnie przystępuje się do wytworzenia kontaktów omowych AgTe/Cr/Au do obszaru typu n detektora. W tym celu, podobnie jak w przypadku kontaktów do obszaru typu p odpowiednio przygotowuje się powierzchnię, którą trawi się dwuetapowo, w pierwszym etapie w roztworze kwasu solnego HCI i kwasu azotowego HNO3 w stosunku objętościowym 30 do 1, w temperaturze T = 5°C, w czasie t = 20 s, a w drugim etapie w roztworze kwasu solnego o stężeniu Cp = 5% w czasie t = 60 s. Tuż przed wytworzeniem kontaktów omowych powierzchnię podkontaktową trawi się w plazmie argonowej Ar+ przy napięciu UDc = 300V i w czasie t = 30 s.
Na zakończenie procesu wytwarzania detektora powierzchnię zboczy struktury „mesa” pasywuje się elektrochemicznie w wodnym 21% roztworze siarczku amonowego (NH4)2S o pH = 9,1 przy gęstości prądu j = 4 mA/cm2.
PL 214 050 Β1
Claims (6)
1. Sposób wytwarzania detektora średniej podczerwieni pracującego w zakresie długości fali λ = 2,1-2,35 μητ) na podłożu GaSb, w którym na podłoże półprzewodnikowe nakłada się metodą epitaksji z fazy ciekłej warstwy heterostruktury detektorowej GaSb/InGaAsSb/AIGaAsSb, następnie poprzez warstwę maskującą wytrawia się strukturę „mesa” oraz wytwarza się kontakty omowe do obszarów typu p i n detektora i pasywuje się zbocza struktury „mesa”, znamienny tym, że podłoże półprzewodnikowe z GaSb o orientacji 100 najpierw utlenia się anodowo, następnie usuwa się wytworzony tlenek anodowy i powierzchnię podłoża pasywuje się, korzystnie metodą zanurzeniową, po czym usuwa się in-situ warstwę pasywującą i w tym samym procesie nakłada się warstwy heterostruktury detektorowej, po czym nakłada się warstwę maskującą i wytrawia się mesę oraz wytwarza się na powierzchni podkontaktowej AlGaAsSb, a także na stronie spodniej podłoża kontakty omowe, i prowadzi się pasywację powierzchni zboczy struktury „mesa”.
2. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że utlenianie anodowe podłoża GaSb prowadzi się w roztworze kwasu winowego C4H6O6 w glikolu etylenowym C2H4(OH)2 przy czym pH roztworu zawiera się w przedziale od 4 do 6.
3. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że tlenek anodowy usuwa się w temperaturze pokojowej, w roztworze kwasu solnego HCI o stężeniu Cp = 5%.
4. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że podłoże pasywuje się w temperaturze pokojowej, w 16% roztworze siarczku sodowego Na2S w alkoholu izopropylowym C3H7OH, przy czym pHroztw= 11-13,5.
5. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że pasywację powierzchni zboczy struktury „mesa” prowadzi się metodą elektrochemiczną w wodnym 21% roztworze siarczku amonowego (NH4)2S przy gęstości prądu j = 4 mA/cm2.
6. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że powierzchnię podkontaktową AlGaAsSb poddaje się dwuetapowemu trawieniu chemicznemu, gdzie w pierwszym etapie trawi się w roztworze kwasu solnego HCI i kwasu azotowego HNO3 w stosunku 30 do 1 w temperaturze T = 5°C w czasie t = 20 s, a w drugim etapie w roztworze kwasu solnego o stężeniu Cp = 5% w czasie t = 60 s.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL380005A PL214050B1 (pl) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL380005A PL214050B1 (pl) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSb |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL380005A1 PL380005A1 (pl) | 2007-12-24 |
| PL214050B1 true PL214050B1 (pl) | 2013-06-28 |
Family
ID=43028040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL380005A PL214050B1 (pl) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSb |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL214050B1 (pl) |
-
2006
- 2006-06-22 PL PL380005A patent/PL214050B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL380005A1 (pl) | 2007-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5773369A (en) | Photoelectrochemical wet etching of group III nitrides | |
| CN105190914B (zh) | 用于在Ⅲ族氮化物基发光二极管上沉积外延ZnO的工艺及包括外延ZnO的发光二极管 | |
| Papis-Polakowska | Surface treatment of GaSb and related materials for the processing of mid-infrared semiconductor devices | |
| Geng et al. | Catalyst and processing effects on metal-assisted chemical etching for the production of highly porous GaN | |
| Philipsen et al. | Immersion and electrochemical deposition of Ru on Si | |
| Yamunasree et al. | MXene‐Integrated III‐Nitride Semiconductors: Recent Progress and Perspectives | |
| Tseng et al. | Impact of plasma-induced surface damage on the photoelectrochemical properties of GaN pillars fabricated by dry etching | |
| PL214050B1 (pl) | Sposób wytwarzania detektora na podlozu GaSb | |
| Lebedev et al. | Coordination of the chemical and electronic processes in GaSb (100) surface modification with aqueous sodium sulfide solution | |
| US20250029842A1 (en) | Etchant and method for selectively etching titanium dioxide | |
| Lee et al. | Surface passivated function of GaAs MSM-PDs using photoelectrochemical oxidation method | |
| US20220068632A1 (en) | REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING | |
| Zhang et al. | Preparation and application of advanced nanoporous GaN materials | |
| Kaneshiro et al. | Realization of Strongly Metal-Dependent Schottky Barrier Heights on n-GaAs by In Situ Electrochemical Process | |
| KR100459885B1 (ko) | 반도체소자의금속전극형성방법 | |
| Fujimoto et al. | Effects of vacuum annealing on electrical properties of GaN contacts | |
| CN116525725B (en) | Method for improving hole concentration of p-type III-nitride material and application thereof | |
| Kohl et al. | Photoelectrochemical methods for semiconductor device processing | |
| Dobson et al. | Direct laser patterned electroplated copper contacts for interdigitated back contact silicon solar cells | |
| Fan et al. | Molecular beam epitaxial growth of III-nitride nanowire heterostructures and emerging device applications | |
| JP2002141522A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| Sato et al. | The strong correlation between interface microstructure and barrier height in Pt/n-InP Schottky contacts formed by an in situ electrochemical process | |
| Sato et al. | Damage-less wet etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using photo-electrochemical reactions | |
| Verpoort et al. | Fundamental study on the selective etching of Al0. 25Ga0. 75As versus GaAs in acidic iodine solutions | |
| KR100329280B1 (ko) | 광전자/전자 소자의 오믹접촉 향상을 위한 2단계 하이브리드표면개질 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20130116 |
|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20140622 |