PL213472B1 - Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego - Google Patents
Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznegoInfo
- Publication number
- PL213472B1 PL213472B1 PL389802A PL38980209A PL213472B1 PL 213472 B1 PL213472 B1 PL 213472B1 PL 389802 A PL389802 A PL 389802A PL 38980209 A PL38980209 A PL 38980209A PL 213472 B1 PL213472 B1 PL 213472B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- telluride
- potassium
- lead
- tellurium
- lead telluride
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- JNKJTXHDWHQVDL-UHFFFAOYSA-N potassiotellanylpotassium Chemical compound [K][Te][K] JNKJTXHDWHQVDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MQRWPMGRGIILKQ-UHFFFAOYSA-N sodium telluride Chemical compound [Na][Te][Na] MQRWPMGRGIILKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018985 CoSb3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NSRGWYQTFLSLOJ-UHFFFAOYSA-N antimony;cobalt(3+) Chemical compound [Co+3].[Sb] NSRGWYQTFLSLOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego na bazie tellurku ołowiawego (PbTe) domieszkowanego tellurkami potasowców. Materiał ten przeznaczony jest do zastosowań w półprzewodnikowych, termoelektrycznych generatorach prądu. Optymalne właściwości termoelektryczne posiadają półprzewodniki bardzo silnie domieszkowane zarówno na typ ρ, jak i na 19 20 -3 typ η (η, ρ = 1019-1020 cm-3). Tak wysoką koncentrację nośników prądu typu ρ w tellurku ołowiawym można wytworzyć poprzez domieszkowanie go tellurkiem potasowca do około 1% molowego.
Dobry materiał termoelektryczny powinien charakteryzować się wysokim przewodnictwem elektrycznym σ, dużą siłą termoelektryczną α oraz niskim przewodnictwem cieplnym κ. Materiały termoelektryczne oceniane są ilościowo, według wartości parametru skuteczności termoelektrycznej ΖΤ = 2 α2σ/κ, który w temperaturze pracy termoelektrycznego generatora prądu powinien być przynajmniej równy ZT = 1. We współczesnych półprzewodnikowych urządzeniach termoelektrycznych wykorzystuje się przede wszystkim półprzewodnikowe stopy na bazie tellurku bizmutawego Bi2T3 (optymalne do zastosowań w chłodziarkach termoelektrycznych, T = 200-400 K), stopy na bazie tellurku ołowiawego PbTe (dla generatorów termoelektrycznych pracujących w zakresie temperatur T = 300-900 K) oraz germanek krzemowy SiGe i antymonek kobaltowy o strukturze skutterudytu CoSb3, stosowane w zakresie wysokich temperatur (T = 900-1300 K).
Niedomieszkowany tellurek ołowiawy (PbTe) odznacza się korzystnymi wartościami dwóch spośród trzech istotnych parametrów dla konstrukcji ogniw termoelektrycznych: wysoką siłą termoelektryczną i małym przewodnictwem cieplnym, natomiast wartość trzeciego istotnego parametru, to jest przewodnictwa elektrycznego, nie jest zadowalająca. Parametr ten jest istotny w przypadku konstrukcji ogniwa termoelektrycznego, w którym wykorzystywany jest materiał o typie przewodnictwa ρ oraz o typie η. Wysoką wartość przewodnictwa typu ρ uzyskuje się dla tellurku ołowiawego przez domieszkowanie tellurkiem potasowca, najczęściej tellurkiem sodowym, natomiast wysoką wartość przewodnictwa typu η uzyskuje się przez domieszkowanie jodkiem ołowiawym, co nie sprawia istotnych trudności.
W znanym sposobie wytwarzania tego typu materiału termoelektrycznego tellurek ołowiawy domieszkuje się tellurkiem potasowca. Proces wytwarzania tego materiału polega na tym, że tellurek ołowiawy w postaci gruboziarnistej i tellurek potasowca w postaci drobnoziarnistej miesza się w odpowiedniej proporcji i umieszcza się w urządzeniu grzejnym, gdzie prowadzi się ich stapianie. Proces ten jest procesem wysokotemperaturowym (ok. 1000°C).
Wadą tego sposobu jest kłopotliwa technologia wytwarzania i stosowania tellurku potasowca z kilku powodów. Pierwszym powodem jest to, że reakcja syntezy tellurku potasowca przebiega wybuchowo przy ich bezpośrednim kontakcie, więc konieczne jest prowadzenie jej w bezpiecznym układzie umożliwiającym syntezę na drodze reakcji par telluru ze stopionym, pierwiastkowym potasowcem. Drugim powodem jest to, że tellurek potasowca jest z natury drobnoziarnisty, a więc charakteryzuje się rozwiniętą powierzchnią, co przy jego silnej skłonności do reagowania z wilgocią powietrza sprawia, że jego przechowywanie oraz operowanie nim wymaga ograniczenia kontaktu z powietrzem. Trzecim powodem niedoskonałości znanego sposobu jest to, że stopień przereagowania tellurku potasowca z wilgocią powietrza jest niemożliwy do bieżącej oceny. Ubytki tellurku potasowca powstałe wskutek jego reakcji z wilgocią powietrza powodują obniżenie jego zawartości w domieszkowanym nim tellurku ołowiawym, a produkty reakcji z wilgocią zakłócają proces przetapiania i wywołują szkodliwe wytrącenia obcego materiału. Trudności w ustaleniu stopnia przereagowania tellurku potasowca z wilgocią powietrza dotyczą również produktu sprzedawanego przez nielicznych dostawców. Najlepszym rozwiązaniem tych problemów technologicznych byłoby stosowanie świeżo sporządzonego tellurku potasowca, co jest niezwykle uciążliwe.
Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego według wynalazku polega na tym, że stopieniu poddaje się tellurek ołowiawy, domieszkę w postaci potasowca oraz tellur. Składniki te przed procesem stapiania umieszcza się warstwowo w naczyniu technologicznym, korzystnie w tyglu grafitowym tak, aby potasowiec oddzielony był od telluru warstwą tellurku ołowiawego o grubości przynajmniej 10 mm. Następnie, prowadzi się proces stapiania.
Zaletą sposobu według wynalazku jest to, że w przeciwieństwie do tellurku potasowca stosowanego w znanych sposobach wytwarzania, przygotowanie pierwiastkowego potasowca i pierwiastkowego telluru w czystej postaci oraz operowanie nimi nie sprawiają trudności. Potasowiec i tellur są stosowane w ogólnie dostępnej postaci gruboziarnistej w przeciwieństwie do rozwiniętej powierzchni
PL 213 472 B1 dotychczas stosowanego, z natury drobnoziarnistego tellurku potasowca. Postać gruboziarnista jest korzystna, gdyż sprzyja minimalizacji szkodliwych reakcji powierzchniowych z powietrzem, a zwłaszcza z jego wilgocią. Produkty powierzchniowej reakcji potasowca z wilgocią powietrza są łatwe do usunięcia, a niska reaktywność telluru nie stwarza problemów. Ponadto, ogólnie dostępne, gruboziarniste potasowiec i tellur nie zawierają we wnętrzu ziaren żadnych obcych związków chemicznych, zwłaszcza tlenowych, które mogłyby prowadzić do wytrąceń obcej fazy w uzyskanym materiale termoelektrycznym.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wytwarzania materiału termoelektrycznego, którym jest tellurek ołowiawy domieszkowany tellurkiem sodowym. Na rysunku pokazano przykładowy sposób umieszczenia materiału wsadowego w tyglu grafitowym.
W sposobie według wynalazku stapianiu poddaje się tellurek ołowiawy (PbTe) oraz pierwiastkowe sód (Na) i tellur (Te). Materiały przygotowane do procesu, w proporcjach: tellurek ołowiawy w ilości zapewniającej 99% molowych w produkcie stapiania oraz sód i tellur w ilościach zapewniających uzyskanie 1% molowego roztworu stałego tellurku sodowego Na2Te w tymże produkcie, ładuje się do tygla grafitowego o średnicy wewnętrznej 11 mm. Najpierw, w tyglu umieszcza się warstwę tellurku ołowiawego o grubości 15 mm, następnie kawałki sodu o wielkości do 2 mm i znowu warstwę tellurku ołowiawego o grubości 30 mm. Na drugiej warstwie tellurku ołowiawego usypuje się kawałki telluru o wielkości do 4 mm i na koniec umieszcza się pozostałą ilość tellurku ołowiawego przeznaczonego do procesu. Istotne jest, aby sód oddzielony był od telluru warstwą tellurku ołowiawego o grubości przynajmniej 10 mm. Po umieszczeniu wsadu w tyglu, tygiel zostaje zamknięty pokrywką i włożony do ampuły szklanej, która po odpompowaniu zostaje zatopiona. Następnie, ampułę wkłada się do komory grzejnej o temperaturze ok. 1000°C. Po upływie ok. 1 godziny ampułę z zawartością wyjmuje się z komory grzejnej i schładza w wodzie.
Warstwowy sposób ułożenia składników w tyglu pozwala na uniknięcie w pierwszej fazie procesu wysoce egzotermicznej reakcji syntezy tellurku potasowca, którą zastępuje się mniej egzotermiczną reakcją wymiany pomiędzy tellurkiem ołowiawym a pierwiastkowym potasowcem z wytworzeniem tellurku potasowca i pierwiastkowego ołowiu wypartego przez sód. W następnej fazie procesu stapiania pierwiastkowy ołów reaguje z tellurem w reakcji syntezy o niewielkim efekcie cieplnym. Ciepło reakcji wymiany przebiegającej w pierwszej fazie stapiania i ciepło reakcji syntezy przebiegającej w drugiej fazie są w znacznym stopniu pochłaniane przez poddawany domieszkowaniu tellurek ołowiawy. Tellurek ołowiawy ulegając rozgrzaniu i nadtopieniu pochłania ciepło reakcji, a jego ilość jest dostateczna dla zbilansowania ciepła reakcji między względnie małymi ilościami reagujących materiałów. Tak prowadzony proces jest całkowicie bezpieczny, gdyż temperatura nie przekracza w żadnym punkcie zadanej temperatury komory grzejnej. Lokalne rozgrzanie ze znacznym przekroczeniem tej temperatury wystąpiłoby w przypadku bezpośredniego kontaktu potasowca i telluru, co prowadziłoby do eksplozji.
Claims (1)
- Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego, w którym tellurek ołowiawy (PbTe) stapia się wraz z domieszką, znamienny tym, stapianiu poddaje się umieszczony w tyglu grafitowym wsad w postaci tellurku ołowiawego, domieszki w postaci potasowca oraz telluru, przy czym składniki te przed procesem stapiania umieszcza się w tyglu grafitowym warstwowo i tak, aby potasowiec oddzielony był od telluru warstwą tellurku ołowiawego o grubości przynajmniej 10 mm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (pl) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (pl) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL389802A1 PL389802A1 (pl) | 2011-06-20 |
| PL213472B1 true PL213472B1 (pl) | 2013-03-29 |
Family
ID=44201538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (pl) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL213472B1 (pl) |
-
2009
- 2009-12-07 PL PL389802A patent/PL213472B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL389802A1 (pl) | 2011-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ren et al. | Enhanced thermoelectric properties in Pb-doped BiCuSeO oxyselenides prepared by ultrafast synthesis | |
| Liang et al. | Ultra-fast synthesis and thermoelectric properties of Te doped skutterudites | |
| Gao et al. | Flux synthesis and thermoelectric properties of eco-friendly Sb doped Mg 2 Si 0.5 Sn 0.5 solid solutions for energy harvesting | |
| Perumal et al. | Reduction of thermal conductivity through nanostructuring enhances the thermoelectric figure of merit in Ge 1− x Bi x Te | |
| Mao et al. | High thermoelectric power factor in Cu–Ni alloy originate from potential barrier scattering of twin boundaries | |
| Bux et al. | Glass-like lattice thermal conductivity and high thermoelectric efficiency in Yb 9 Mn 4.2 Sb 9 | |
| Khan et al. | Thermoelectric properties of highly efficient Bi-doped Mg2Si1− x− ySnxGey materials | |
| Banik et al. | Lead-free thermoelectrics: promising thermoelectric performance in p-type SnTe 1− x Se x system | |
| Böcher et al. | Vacancy and anti-site disorder scattering in AgBiSe 2 thermoelectrics | |
| Wang et al. | High-efficiency thermoelectric Ba 8 Cu 14 Ge 6 P 26: bridging the gap between tetrel-based and tetrel-free clathrates | |
| Xing et al. | Self-propagation high-temperature synthesis of half-Heusler thermoelectric materials: reaction mechanism and applicability | |
| Yamini et al. | Chemical composition tuning in quaternary p-type Pb-chalcogenides–a promising strategy for enhanced thermoelectric performance | |
| Pei et al. | Enhancing the thermoelectric performance of Ce x Bi 2 S 3 by optimizing the carrier concentration combined with band engineering | |
| US8772622B2 (en) | Doped tin tellurides for thermoelectric applications | |
| Mohanraman et al. | Influence of In doping on the thermoelectric properties of an AgSbTe 2 compound with enhanced figure of merit | |
| Fu et al. | Study on thermoelectric properties of polycrystalline SnSe by Ge doping | |
| Chubilleau et al. | Thermoelectric properties of In0. 2Co4Sb12 skutterudites with embedded PbTe or ZnO nanoparticles | |
| Søndergaard et al. | Thermoelectric Properties of the Entire Composition Range in Mg2Si0. 9925− x Sn x Sb0. 0075 | |
| Achour et al. | Enhanced thermoelectric performance of Cs doped BiCuSeO prepared through eco-friendly flux synthesis | |
| Novitskii et al. | Direct synthesis of p-type bulk BiCuSeO oxyselenides by reactive spark plasma sintering and related thermoelectric properties | |
| Song et al. | Enhanced thermoelectric properties of Bi2O2Se by Bi2Te2. 7Se0. 3 addition | |
| Chang et al. | Enhanced thermoelectric performance of BiCuTeO by excess Bi additions | |
| Lee et al. | Improved carrier transport properties by I-doping in n-type Cu0. 008Bi2Te2. 7Se0. 3 thermoelectric alloys | |
| Zeuthen et al. | Stability and effect of PbS nanoinclusions in thermoelectric PbTe | |
| Jiang et al. | Assessment of the thermoelectric performance of layered semiconductor SrFCuTe with wide band-gap |