PL213472B1 - Method for manufacturing a thermoelectric material - Google Patents
Method for manufacturing a thermoelectric materialInfo
- Publication number
- PL213472B1 PL213472B1 PL389802A PL38980209A PL213472B1 PL 213472 B1 PL213472 B1 PL 213472B1 PL 389802 A PL389802 A PL 389802A PL 38980209 A PL38980209 A PL 38980209A PL 213472 B1 PL213472 B1 PL 213472B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- telluride
- potassium
- lead
- tellurium
- lead telluride
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- JNKJTXHDWHQVDL-UHFFFAOYSA-N potassiotellanylpotassium Chemical compound [K][Te][K] JNKJTXHDWHQVDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MQRWPMGRGIILKQ-UHFFFAOYSA-N sodium telluride Chemical compound [Na][Te][Na] MQRWPMGRGIILKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018985 CoSb3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NSRGWYQTFLSLOJ-UHFFFAOYSA-N antimony;cobalt(3+) Chemical compound [Co+3].[Sb] NSRGWYQTFLSLOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego na bazie tellurku ołowiawego (PbTe) domieszkowanego tellurkami potasowców. Materiał ten przeznaczony jest do zastosowań w półprzewodnikowych, termoelektrycznych generatorach prądu. Optymalne właściwości termoelektryczne posiadają półprzewodniki bardzo silnie domieszkowane zarówno na typ ρ, jak i na 19 20 -3 typ η (η, ρ = 1019-1020 cm-3). Tak wysoką koncentrację nośników prądu typu ρ w tellurku ołowiawym można wytworzyć poprzez domieszkowanie go tellurkiem potasowca do około 1% molowego.The subject of the invention is a method of producing a thermocouple material based on lead telluride (PbTe) doped with potassium taurides. This material is intended for applications in semiconductor, thermoelectric power generators. Optimal thermoelectric properties have semiconductors very strongly doped with both the ρ type and the 19 20 -3 η type (η, ρ = 10 19 -10 20 cm -3 ). Such a high concentration of ρ-type current carriers in lead telluride can be produced by doping it with potassium telluride up to about 1 mol%.
Dobry materiał termoelektryczny powinien charakteryzować się wysokim przewodnictwem elektrycznym σ, dużą siłą termoelektryczną α oraz niskim przewodnictwem cieplnym κ. Materiały termoelektryczne oceniane są ilościowo, według wartości parametru skuteczności termoelektrycznej ΖΤ = 2 α2σ/κ, który w temperaturze pracy termoelektrycznego generatora prądu powinien być przynajmniej równy ZT = 1. We współczesnych półprzewodnikowych urządzeniach termoelektrycznych wykorzystuje się przede wszystkim półprzewodnikowe stopy na bazie tellurku bizmutawego Bi2T3 (optymalne do zastosowań w chłodziarkach termoelektrycznych, T = 200-400 K), stopy na bazie tellurku ołowiawego PbTe (dla generatorów termoelektrycznych pracujących w zakresie temperatur T = 300-900 K) oraz germanek krzemowy SiGe i antymonek kobaltowy o strukturze skutterudytu CoSb3, stosowane w zakresie wysokich temperatur (T = 900-1300 K).A good thermoelectric material should be characterized by high electrical conductivity σ, high thermoelectric strength α, and low thermal conductivity κ. Thermoelectric materials are quantified according to the value of the thermoelectric efficiency parameter ΖΤ = 2 α 2 σ / κ, which at the operating temperature of the thermoelectric current generator should be at least equal to ZT = 1. Modern semiconductor thermoelectric devices mainly use semiconductor alloys based on bismuth telluride Bi2T3 (optimal for use in thermoelectric coolers, T = 200-400 K), PbTe lead telluride-based alloys (for thermoelectric generators operating in the temperature range T = 300-900 K) and SiGe silicon germanide and cobalt antimonide with CoSb3 scududite structure, used in the high temperature range (T = 900-1300 K).
Niedomieszkowany tellurek ołowiawy (PbTe) odznacza się korzystnymi wartościami dwóch spośród trzech istotnych parametrów dla konstrukcji ogniw termoelektrycznych: wysoką siłą termoelektryczną i małym przewodnictwem cieplnym, natomiast wartość trzeciego istotnego parametru, to jest przewodnictwa elektrycznego, nie jest zadowalająca. Parametr ten jest istotny w przypadku konstrukcji ogniwa termoelektrycznego, w którym wykorzystywany jest materiał o typie przewodnictwa ρ oraz o typie η. Wysoką wartość przewodnictwa typu ρ uzyskuje się dla tellurku ołowiawego przez domieszkowanie tellurkiem potasowca, najczęściej tellurkiem sodowym, natomiast wysoką wartość przewodnictwa typu η uzyskuje się przez domieszkowanie jodkiem ołowiawym, co nie sprawia istotnych trudności.Undoped lead telluride (PbTe) has favorable values for two of the three important parameters for the construction of thermocouples: high thermoelectric strength and low thermal conductivity, while the value of the third important parameter, i.e. electrical conductivity, is not satisfactory. This parameter is important in the case of a thermocouple construction where a material of the conductivity type ρ and the type η is used. A high value of the conductivity of the ρ type is obtained for lead telluride by doping with potassium telluride, most often with sodium telluride, while the high value of the conductivity of the η type is obtained by doping with lead iodide, which causes no significant difficulties.
W znanym sposobie wytwarzania tego typu materiału termoelektrycznego tellurek ołowiawy domieszkuje się tellurkiem potasowca. Proces wytwarzania tego materiału polega na tym, że tellurek ołowiawy w postaci gruboziarnistej i tellurek potasowca w postaci drobnoziarnistej miesza się w odpowiedniej proporcji i umieszcza się w urządzeniu grzejnym, gdzie prowadzi się ich stapianie. Proces ten jest procesem wysokotemperaturowym (ok. 1000°C).In the known method of producing this type of thermoelectric material, lead telluride is doped with potassium telluride. The process of producing this material consists in coarse-grained lead telluride and fine-grained potassium telluride are mixed in an appropriate proportion and placed in a heating device, where they are melted. This process is a high-temperature process (approx. 1000 ° C).
Wadą tego sposobu jest kłopotliwa technologia wytwarzania i stosowania tellurku potasowca z kilku powodów. Pierwszym powodem jest to, że reakcja syntezy tellurku potasowca przebiega wybuchowo przy ich bezpośrednim kontakcie, więc konieczne jest prowadzenie jej w bezpiecznym układzie umożliwiającym syntezę na drodze reakcji par telluru ze stopionym, pierwiastkowym potasowcem. Drugim powodem jest to, że tellurek potasowca jest z natury drobnoziarnisty, a więc charakteryzuje się rozwiniętą powierzchnią, co przy jego silnej skłonności do reagowania z wilgocią powietrza sprawia, że jego przechowywanie oraz operowanie nim wymaga ograniczenia kontaktu z powietrzem. Trzecim powodem niedoskonałości znanego sposobu jest to, że stopień przereagowania tellurku potasowca z wilgocią powietrza jest niemożliwy do bieżącej oceny. Ubytki tellurku potasowca powstałe wskutek jego reakcji z wilgocią powietrza powodują obniżenie jego zawartości w domieszkowanym nim tellurku ołowiawym, a produkty reakcji z wilgocią zakłócają proces przetapiania i wywołują szkodliwe wytrącenia obcego materiału. Trudności w ustaleniu stopnia przereagowania tellurku potasowca z wilgocią powietrza dotyczą również produktu sprzedawanego przez nielicznych dostawców. Najlepszym rozwiązaniem tych problemów technologicznych byłoby stosowanie świeżo sporządzonego tellurku potasowca, co jest niezwykle uciążliwe.The disadvantage of this method is the cumbersome technology of producing and using Potassium Telluride for several reasons. The first reason is that the reaction of potassium telluride synthesis is explosive when they come into direct contact, so it is necessary to conduct it in a safe system that allows the synthesis by reaction of tellurium vapors with molten elemental potassium oxide. The second reason is that potassium telluride is inherently fine-grained, and therefore has a developed surface, which, due to its strong tendency to react with air humidity, makes its storage and handling requires limiting contact with air. A third reason for the imperfection of the known process is that the degree of conversion of potassium telluride with air moisture is impossible to judge on an ongoing basis. The losses of potassium telluride resulting from its reaction with air humidity lower its content in lead telluride doped with it, and the reaction products with moisture disturb the melting process and cause harmful precipitation of the foreign material. Difficulties in determining the degree of conversion of potassium oxide telluride with air humidity also apply to the product sold by a few suppliers. The best solution to these technological problems would be to use freshly prepared potassium telluride, which is extremely onerous.
Sposób wytwarzania materiału termoelektrycznego według wynalazku polega na tym, że stopieniu poddaje się tellurek ołowiawy, domieszkę w postaci potasowca oraz tellur. Składniki te przed procesem stapiania umieszcza się warstwowo w naczyniu technologicznym, korzystnie w tyglu grafitowym tak, aby potasowiec oddzielony był od telluru warstwą tellurku ołowiawego o grubości przynajmniej 10 mm. Następnie, prowadzi się proces stapiania.The method of producing a thermoelectric material according to the invention consists in melting lead telluride, an impurity in the form of potassium oxide and tellurium. Before the melting process, these components are placed in layers in a processing vessel, preferably in a graphite crucible, so that the potassium oxide is separated from the tellurium by a layer of lead telluride at least 10 mm thick. Then, a melting process is carried out.
Zaletą sposobu według wynalazku jest to, że w przeciwieństwie do tellurku potasowca stosowanego w znanych sposobach wytwarzania, przygotowanie pierwiastkowego potasowca i pierwiastkowego telluru w czystej postaci oraz operowanie nimi nie sprawiają trudności. Potasowiec i tellur są stosowane w ogólnie dostępnej postaci gruboziarnistej w przeciwieństwie do rozwiniętej powierzchniAn advantage of the process according to the invention is that, in contrast to the known preparation methods, the preparation of elemental potassium and elemental tellurium in pure form and their handling are not difficult. Potassium and tellurium are used in a generally available coarse-grained form as opposed to a developed surface
PL 213 472 B1 dotychczas stosowanego, z natury drobnoziarnistego tellurku potasowca. Postać gruboziarnista jest korzystna, gdyż sprzyja minimalizacji szkodliwych reakcji powierzchniowych z powietrzem, a zwłaszcza z jego wilgocią. Produkty powierzchniowej reakcji potasowca z wilgocią powietrza są łatwe do usunięcia, a niska reaktywność telluru nie stwarza problemów. Ponadto, ogólnie dostępne, gruboziarniste potasowiec i tellur nie zawierają we wnętrzu ziaren żadnych obcych związków chemicznych, zwłaszcza tlenowych, które mogłyby prowadzić do wytrąceń obcej fazy w uzyskanym materiale termoelektrycznym.The so far used, inherently fine-grained, potassium telluride. The coarse form is preferred as it helps to minimize harmful surface reactions with air, especially its moisture. The products of the potassium oxide surface reaction with air moisture are easy to remove, and the low reactivity of tellurium is not problematic. Moreover, the generally available coarse grained potassium and tellurium do not contain any foreign chemical compounds, especially oxygen compounds, in the interior of the grains, which could lead to precipitation of the foreign phase in the obtained thermoelectric material.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wytwarzania materiału termoelektrycznego, którym jest tellurek ołowiawy domieszkowany tellurkiem sodowym. Na rysunku pokazano przykładowy sposób umieszczenia materiału wsadowego w tyglu grafitowym.The invention will be explained in more detail on the example of the preparation of a thermocouple material which is lead telluride doped with sodium telluride. The figure shows an example of placing the charge material in a graphite crucible.
W sposobie według wynalazku stapianiu poddaje się tellurek ołowiawy (PbTe) oraz pierwiastkowe sód (Na) i tellur (Te). Materiały przygotowane do procesu, w proporcjach: tellurek ołowiawy w ilości zapewniającej 99% molowych w produkcie stapiania oraz sód i tellur w ilościach zapewniających uzyskanie 1% molowego roztworu stałego tellurku sodowego Na2Te w tymże produkcie, ładuje się do tygla grafitowego o średnicy wewnętrznej 11 mm. Najpierw, w tyglu umieszcza się warstwę tellurku ołowiawego o grubości 15 mm, następnie kawałki sodu o wielkości do 2 mm i znowu warstwę tellurku ołowiawego o grubości 30 mm. Na drugiej warstwie tellurku ołowiawego usypuje się kawałki telluru o wielkości do 4 mm i na koniec umieszcza się pozostałą ilość tellurku ołowiawego przeznaczonego do procesu. Istotne jest, aby sód oddzielony był od telluru warstwą tellurku ołowiawego o grubości przynajmniej 10 mm. Po umieszczeniu wsadu w tyglu, tygiel zostaje zamknięty pokrywką i włożony do ampuły szklanej, która po odpompowaniu zostaje zatopiona. Następnie, ampułę wkłada się do komory grzejnej o temperaturze ok. 1000°C. Po upływie ok. 1 godziny ampułę z zawartością wyjmuje się z komory grzejnej i schładza w wodzie.In the process according to the invention, lead telluride (PbTe) and elemental sodium (Na) and tellurium (Te) are melted. Materials prepared for the process, in the proportions: lead telluride in an amount providing 99 mol% in the fusion product and sodium and tellurium in amounts ensuring a 1 mol% solution of Na2Te solid sodium telluride in the same product, are loaded into a graphite crucible with an internal diameter of 11 mm. First, a layer of lead telluride 15 mm thick is placed in the crucible, then pieces of sodium up to 2 mm in size and again a layer of lead telluride 30 mm thick. Chunks of tellurium up to 4 mm in size are sprinkled on the second lead telluride layer and finally the remaining lead telluride for the process is placed. It is essential that the sodium is separated from the tellurium by a layer of lead telluride at least 10 mm thick. After placing the charge in the crucible, the crucible is closed with a lid and put into a glass ampoule, which, after pumping out, is flooded. Then, the ampoule is placed in a heating chamber with a temperature of approx. 1000 ° C. After approx. 1 hour, the ampoule with its contents is removed from the heating chamber and cooled down in water.
Warstwowy sposób ułożenia składników w tyglu pozwala na uniknięcie w pierwszej fazie procesu wysoce egzotermicznej reakcji syntezy tellurku potasowca, którą zastępuje się mniej egzotermiczną reakcją wymiany pomiędzy tellurkiem ołowiawym a pierwiastkowym potasowcem z wytworzeniem tellurku potasowca i pierwiastkowego ołowiu wypartego przez sód. W następnej fazie procesu stapiania pierwiastkowy ołów reaguje z tellurem w reakcji syntezy o niewielkim efekcie cieplnym. Ciepło reakcji wymiany przebiegającej w pierwszej fazie stapiania i ciepło reakcji syntezy przebiegającej w drugiej fazie są w znacznym stopniu pochłaniane przez poddawany domieszkowaniu tellurek ołowiawy. Tellurek ołowiawy ulegając rozgrzaniu i nadtopieniu pochłania ciepło reakcji, a jego ilość jest dostateczna dla zbilansowania ciepła reakcji między względnie małymi ilościami reagujących materiałów. Tak prowadzony proces jest całkowicie bezpieczny, gdyż temperatura nie przekracza w żadnym punkcie zadanej temperatury komory grzejnej. Lokalne rozgrzanie ze znacznym przekroczeniem tej temperatury wystąpiłoby w przypadku bezpośredniego kontaktu potasowca i telluru, co prowadziłoby do eksplozji.The layered arrangement of the components in the crucible avoids the highly exothermic synthesis reaction of potassium telluride in the first phase of the process, which is replaced by a less exothermic exchange reaction between lead telluride and elemental potassium to produce potassium telluride and elemental lead displaced by sodium. In the next phase of the fusion process, elemental lead reacts with tellurium in a synthesis reaction with a low thermal effect. The heat of the exchange reaction in the first fusion phase and the heat of the synthesis in the second phase are largely absorbed by the lead telluride to be doped. Lead tellurium, while heating and melting, absorbs the heat of reaction, and its amount is sufficient to balance the heat of reaction between relatively small amounts of the reacting materials. The process carried out in this way is completely safe, because the temperature does not exceed the set temperature of the heating chamber at any point. Local heating with a significant excess of this temperature would occur in the event of direct contact between potassium and tellurium, which would lead to an explosion.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (en) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Method for manufacturing a thermoelectric material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (en) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Method for manufacturing a thermoelectric material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL389802A1 PL389802A1 (en) | 2011-06-20 |
| PL213472B1 true PL213472B1 (en) | 2013-03-29 |
Family
ID=44201538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL389802A PL213472B1 (en) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Method for manufacturing a thermoelectric material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL213472B1 (en) |
-
2009
- 2009-12-07 PL PL389802A patent/PL213472B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL389802A1 (en) | 2011-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ren et al. | Enhanced thermoelectric properties in Pb-doped BiCuSeO oxyselenides prepared by ultrafast synthesis | |
| Liang et al. | Ultra-fast synthesis and thermoelectric properties of Te doped skutterudites | |
| Gao et al. | Flux synthesis and thermoelectric properties of eco-friendly Sb doped Mg 2 Si 0.5 Sn 0.5 solid solutions for energy harvesting | |
| Perumal et al. | Reduction of thermal conductivity through nanostructuring enhances the thermoelectric figure of merit in Ge 1− x Bi x Te | |
| Mao et al. | High thermoelectric power factor in Cu–Ni alloy originate from potential barrier scattering of twin boundaries | |
| Bux et al. | Glass-like lattice thermal conductivity and high thermoelectric efficiency in Yb 9 Mn 4.2 Sb 9 | |
| Khan et al. | Thermoelectric properties of highly efficient Bi-doped Mg2Si1− x− ySnxGey materials | |
| Banik et al. | Lead-free thermoelectrics: promising thermoelectric performance in p-type SnTe 1− x Se x system | |
| Böcher et al. | Vacancy and anti-site disorder scattering in AgBiSe 2 thermoelectrics | |
| Wang et al. | High-efficiency thermoelectric Ba 8 Cu 14 Ge 6 P 26: bridging the gap between tetrel-based and tetrel-free clathrates | |
| Xing et al. | Self-propagation high-temperature synthesis of half-Heusler thermoelectric materials: reaction mechanism and applicability | |
| Yamini et al. | Chemical composition tuning in quaternary p-type Pb-chalcogenides–a promising strategy for enhanced thermoelectric performance | |
| Pei et al. | Enhancing the thermoelectric performance of Ce x Bi 2 S 3 by optimizing the carrier concentration combined with band engineering | |
| US8772622B2 (en) | Doped tin tellurides for thermoelectric applications | |
| Mohanraman et al. | Influence of In doping on the thermoelectric properties of an AgSbTe 2 compound with enhanced figure of merit | |
| Fu et al. | Study on thermoelectric properties of polycrystalline SnSe by Ge doping | |
| Chubilleau et al. | Thermoelectric properties of In0. 2Co4Sb12 skutterudites with embedded PbTe or ZnO nanoparticles | |
| Søndergaard et al. | Thermoelectric Properties of the Entire Composition Range in Mg2Si0. 9925− x Sn x Sb0. 0075 | |
| Achour et al. | Enhanced thermoelectric performance of Cs doped BiCuSeO prepared through eco-friendly flux synthesis | |
| Novitskii et al. | Direct synthesis of p-type bulk BiCuSeO oxyselenides by reactive spark plasma sintering and related thermoelectric properties | |
| Song et al. | Enhanced thermoelectric properties of Bi2O2Se by Bi2Te2. 7Se0. 3 addition | |
| Chang et al. | Enhanced thermoelectric performance of BiCuTeO by excess Bi additions | |
| Lee et al. | Improved carrier transport properties by I-doping in n-type Cu0. 008Bi2Te2. 7Se0. 3 thermoelectric alloys | |
| Zeuthen et al. | Stability and effect of PbS nanoinclusions in thermoelectric PbTe | |
| Jiang et al. | Assessment of the thermoelectric performance of layered semiconductor SrFCuTe with wide band-gap |