PL20019B1 - Urzadzenie do izolacji cieplnej aparatów o bardzo niskiej temperaturze, zwlaszcza do fabrykacji wodoru. - Google Patents

Description

Wiadomo, ze izolacje cieplna aparatów o bardzo niskiej temperaturze osiaga sie w praktyce przy pomocy mniej lub wiecej grubej warstwy slabo przewodzacego po¬ rowatego materjalu jak: waty szklanej, weglanu magnezowego i t. d., którego obec¬ nosc w pewnym stopniu zapobiega doply¬ wowi ciepla z zewnatrz, dzieki zniesieniu pradów konwekcyjnych. Proces ten odpo¬ wiedni w pewnej ilosci przypadków, staje sie zupelnie niedostateczny w przypadku, gdy temperatura aparatu przeznaczonego do izolowania termicznego jest znacznie nizsza od punktu skraplania powietrza atmosferycznego, w którem skapany jest materjal izolujacy. Skraplanie tego powie¬ trza powoduje istotnie doplyw ciepla, któ¬ ry moze byc znaczny.Aby uniknac tej niedogodnosci, wydaje sie przedewszystkiem, ze powietrze napa¬ wajace materjal izolujacy moznaby zasta¬ pic gazem o nizszej temperaturze skrapla¬ nia. Otóz ze zwyklych gazów odpowied¬ nim do tego celu jest wodór, lecz okazalo sie, ze materjal izolacyjny skapany w wo¬ dorze jest bardzo malo skuteczny. Nalezy to przypisac glównie okolicznosci, ze wo¬ dór ma gestosc znacznie mniejsza od po¬ wietrza, skutkiem czego prady konwek¬ cyjne nie calkowicie zostaja zniesioneprzez porowaty materjalr a przedewszyst- <£; kiem okolicznosci, ze wodór wykazuje wielkie przewodnictwo, - Celem niniejszego wynalazku jest usu¬ niecie tej trudnosci zapomoca jednocze¬ snego wyzyskania wlasciwosci wodoru, który pozostaje w stanie gazowym w bar¬ dzo niskiej temperaturze, oraz wlasciwo¬ sci powietrza w temperaturach srednio ni¬ skich.Zgodnie z niniejszym wynalazkiem, od¬ powiednim do zastosowania zwlaszcza w aparatach do fabrykacji wodoru, aparat o- tacza sie pierwsza warstwa materjalu o- tulinowego, umieszczonego w szczelnym plaszczu i skapanego w wodorze. Druga warstwa materjalu otulinowego skapana w powietrzu otacza warstwe pierwsza tak, iz ewentualny doplyw ciepla musialby prze¬ nikac poprzez dwie kolejne warstwy jed¬ na skapana w powietrzu, druga skapana w wodorze. Doswiadczenie pozwolilo ? stwierdzic, ze pomimo slabej zdolnosci izo¬ lacyjnej wodoru róznica temperatur, spo¬ wodowana warstwa otulinowa skapana w wodorze, wystarcza, aby uniknac wszel¬ kiego skroplenia powietrza zawartego w drugiej warstwie otuliny; w ten sposób o- siaga sie doskonala izolacje droga proste¬ go nalozenia dwóch otulin, których dziala¬ nie osobne jest niedostateczne bez wzgle¬ du na ich grubosc.Rozumie sie, ze odpowiednie grubosci, jakie nalezy nadac obu nalozonym na sie¬ bie warstwom zaleza od wielu czynników, które w kazdym poszczególnym przypad¬ ku trzeba okreslic doswiadczalnie. Lecz pozostaje faktem waznym, ze przy stosun¬ kowo malej grubosci calkowitej mozna zawsze wytworzyc otuline odpowiednia do temperatur bardzo niskich w sposób opi¬ sany powyzej.Dla przypadków, gdzie aparat ma tem¬ perature mniej niska, niz w przypadku poszczególnym, opisanym powyzej, mozna wodór zastapic innym gazem trudno sie skraplajacym. Naprzyklad, w przypadku aparatów do cieklego powietrza mozna wodór z warstwy wewnetrznej zastapic a- zotem, stosujac kapiel powietrzna do sub¬ stancji porowatej w jej warstwie zewnetrz¬ nej. PL

Claims (2)

1. Z a strzezenia patentowe. 1. Urzadzenie do izolacji cieplnej a- paratów o bardzo niskich temperaturach, zwlaszcza aparatów do fabrykacji wodoru, przy pomocy substancyj porowatych, ska¬ panych w odpowiednim gazie, znamienne tern, ze aparat przeznaczony do izolacji ter¬ micznej otacza sie dwoma plaszczami, nie komunikujacemi sie ze soba, nalpzonemi je¬ den na drugi i wypelnionemi- substancjami porowatemi, przyczem substancja porowa¬ ta plaszcza wewnetrznego skapana jest w wodorze, zas plaszcza zewnetrznego — w powietrzu.
2. 2. Odmiana urzadzenia wedlug zastrz. 1, w przypadku izolowania termicznego aparatów do cieklego powietrza, znamien¬ na tern, ze wodór zastepuje sie azotem. L'A ir Liauide Societe Anonyme pour 1'Ctude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Zastepca: M. Skrzypkowski, rzecznik patentowy. Druk L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL