PL187147B1 - Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy - Google Patents

Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy

Info

Publication number
PL187147B1
PL187147B1 PL98324564A PL32456498A PL187147B1 PL 187147 B1 PL187147 B1 PL 187147B1 PL 98324564 A PL98324564 A PL 98324564A PL 32456498 A PL32456498 A PL 32456498A PL 187147 B1 PL187147 B1 PL 187147B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
line
open
short
transmission line
microwave
Prior art date
Application number
PL98324564A
Other languages
English (en)
Other versions
PL324564A1 (en
Inventor
Anna Czwartacka
Bogdan Stachowski
Original Assignee
Przemyslowy Inst Telekomunikac
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Przemyslowy Inst Telekomunikac filed Critical Przemyslowy Inst Telekomunikac
Priority to PL98324564A priority Critical patent/PL187147B1/pl
Publication of PL324564A1 publication Critical patent/PL324564A1/xx
Publication of PL187147B1 publication Critical patent/PL187147B1/pl

Links

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy utworzony z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu i odcinek linii rozwartej na końcu, znamienny tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, /wartej na końcu (1) i rozwartej na końcu (2) a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu (3) i rozwartej na końcu (4), wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są diody mikrofalowe (D) przesunięte względem siebie w odległości (d), przy czym odległość (d) wyznaczona przez osie diod jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.

Description

Przedmiot wynalazku: Przedmiotem wynalazku jest wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy przeznaczony do pracy w ogranicznikach lub przełącznikach mocy w zakresie częstotliwości mikrofalowych.
Stan techniki: Maksymalne moce wejściowe przy których mogą pracować układy ograniczników i przełączników mocy mikrofalowej zależą od rodzaju zastosowanych w tych układach diod oraz od właściwości struktur w które te diody są włączone. Własności materiałów z których diody są wykonane, a zwłaszcza dopuszczalna temperatura złącza i wielkość napięcia przebicia powodują, że maksymalne moce ograniczane lub przełączane przez diody mikrofalowe nie przekraczają zwykle kilku watów dla sygnałów bardzo wielkiej częstotliwości fali ciągłej i pojedynczych kilowatów mocy dla sygnałów impulsowych bardzo wielkiej częstotliwości. W tym drugim przypadku wielkość mocy maleje wraz ze wzrostem częstotliwości pracy i ze wzrostem mocy średniej. Dla zwiększenia mocy ograniczanych lub przełączanych w układach stosuje się równoległe łączenie kilku diod w tej samej płaszczyźnie prostopadłej do kierunku transmisji mocy mikrofalowej. Prądy bardzo wielkiej częstotliwości wywołane przepływem strumienia mocy mikrofalowej rozpływają się pomiędzy diody i powodują, że układ może pracować przy mocy większej niż układ z pojedynczą diodą.
Znane są z polskich opisów patentowych nr 107 050 i nr 166 377 układy dużej mocy utworzone z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu, odcinek linii transmisyjnej rozwartej na końcu oraz włączone równolegle co najwyżej dwie diody mikrofalowe. Diody w opisanych układach włączone są w linię transmisyjną z rodzajem TEM zrealizowaną w postaci symetrycznej linii paskowej wzdłuż której propagowana jest fala z rodzajem TEM. Fizyczne wymiary linii transmisyjnej realizowanej w postaci linii paskowej i obudów diod mikrofalowych nie pozwalają na włączenie pomiędzy przewód wewnętrzny i przewód zewnętrzny linii transmisyjnej więcej niż dwóch diod w tej samej płaszczyźnie.
Znany jest również układ, w którym zastosowano linie transmisyjne o specjalnych kształtach przewodu wewnętrznego i zewnętrznego do których dołączono kilkanaście diod w jednej płaszczyźnie w odniesieniu do kierunku propagacji fali. Jest to układ pracujący w zakresie częstotliwości znacznie mniejszych od 1 GHz i ze względu na wymiary poprzeczne linii układ nie może pracować w zakresie częstotliwości mikrofalowych.
Istota wynalazku: Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy według wynalazku wyróżnia się tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są
187 147 diody mikrofalowe przesunięte względem siebie. Wielkość przesunięcia diod względem siebie wyznaczona jest przez ich osie i jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.
W układzie według wynalazku, poprzez dołączenie do linii transmisyjnej wzdłuż której rozchodzi się fala TEM odcinków linii zwartego i rozwartego na końcu i umieszczenie wzdłuż osi tych odcinków diod, stworzono możliwość włączenia kilku diod w tej samej płaszczyźnie odniesionej do kierunku propagacji fali.
Wynalazek pozwala na włączenie w jednej płaszczyźnie kilku diod pracujących w układzie równoległym i wielokrotne zwiększenie maksymalnej mocy ograniczanej lub przełączanej. Wzrost maksymalnej mocy jest tym większy im więcej diod zawiera układ.
Objaśnienie figur rysunku: Wynalazek jest bliżej objaśniony na przykładzie wykonania, na rysunku, który przedstawia przekrój poprzeczny wielodiodowego układu mikrofalowego dużej mocy.
Przykład wykonania wynalazku: Fala elektromagnetyczna jest propagowana wzdłuż linii z rodzajem TEM z prostokątnym przekrojem poprzecznym przewodu wewnętrznego o szerokości w. Do linii transmisyjnej włączone są równolegle dwa odcinki linii transmisyjnej krótsze od 1/4: odcinek zwarty na końcu i odcinek rozwarty na końcu. Wzdłuż osi tych odcinków linii transmisyjnej umieszczone są diody mikrofalowe D włączone pomiędzy przewody wewnętrzne 1 i 2 oraz przewody zewnętrzne 3 i 4 tych linii. Rozstawienie d diod mikrofalowych D względem siebie jest większe od szerokości w przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej.
187 147

Claims (1)

  1. Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy utworzony z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu i odcinek linii rozwartej na końcu, znamienny tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, zwartej na końcu (1) i rozwartej na końcu (2) a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu (3) i rozwartej na końcu (4), wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są diody mikrofalowe (D) przesunięte względem siebie w odległości (d), przy czym odległość (d) wyznaczona przez osie diod jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.
PL98324564A 1998-01-29 1998-01-29 Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy PL187147B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98324564A PL187147B1 (pl) 1998-01-29 1998-01-29 Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98324564A PL187147B1 (pl) 1998-01-29 1998-01-29 Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL324564A1 PL324564A1 (en) 1999-08-02
PL187147B1 true PL187147B1 (pl) 2004-05-31

Family

ID=20071444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL98324564A PL187147B1 (pl) 1998-01-29 1998-01-29 Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL187147B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL324564A1 (en) 1999-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3414789B1 (en) A transition arrangement comprising a contactless transition or connection between an siw and a waveguide or an antenna
US6794950B2 (en) Waveguide to microstrip transition
Gysel A new N-way power divider/combiner suitable for high-power applications
US8305280B2 (en) Low loss broadband planar transmission line to waveguide transition
CA1097412A (en) Microwave device for converting a wave guide structure into microstrip conductor structure
KR20170113295A (ko) 전자기파 신호를 전송하기 위한 도파관 및 이를 포함하는 칩-대-칩 인터페이스 장치
US4361819A (en) Passive semiconductor power limiter formed on flat structure lines, and an ultra-high frequency circuit using such a limiter
Ho et al. Experimental investigations of CPW-slotline transitions for uniplanar microwave integrated circuits
CN112736394A (zh) 一种用于太赫兹频段的h面波导探针过渡结构
WO2018016071A1 (ja) 同軸線路-導波管変換器
US6639486B2 (en) Transition from microstrip to waveguide
US4568893A (en) Millimeter wave fin-line reflection phase shifter
US6888429B2 (en) Transmission line with a projecting dielectric part having an opposing coplanar line and transceiver
PL187147B1 (pl) Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy
US4357583A (en) Passive electromagnetic wave limiter and duplexer formed by means of such a limiter
KR930004490B1 (ko) 애퍼추어 셔터 능력을 갖고 있는 스위치식-루프/180˚위상 비트 장치
EP0399739A2 (en) Waveguide switch
CN107732396B (zh) 一种基于基片集成波导的功分器
KR102885772B1 (ko) 마이크로파 전이구조를 통한 소형 경량화를 위한 도파관 매직-티 구조 및 제조방법
Fahmi et al. Contra-directional 3dB 90° hybrid coupler in ridge waveguides using even and odd TE modes
RU2042990C1 (ru) Микрополосковый направленный ответвитель
RU2760763C1 (ru) Переход с волновода на несимметричную полосковую линию
SU1608760A1 (ru) Режекторный фильтр
US12113258B2 (en) Power switch comprising a switching circuit serially connected between input and output lines each having parallel branches therein
RU2234767C1 (ru) Диодный выключатель