PL187147B1 - Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy - Google Patents
Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocyInfo
- Publication number
- PL187147B1 PL187147B1 PL98324564A PL32456498A PL187147B1 PL 187147 B1 PL187147 B1 PL 187147B1 PL 98324564 A PL98324564 A PL 98324564A PL 32456498 A PL32456498 A PL 32456498A PL 187147 B1 PL187147 B1 PL 187147B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- line
- open
- short
- transmission line
- microwave
- Prior art date
Links
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy utworzony z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu i odcinek linii rozwartej na końcu, znamienny tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, /wartej na końcu (1) i rozwartej na końcu (2) a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu (3) i rozwartej na końcu (4), wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są diody mikrofalowe (D) przesunięte względem siebie w odległości (d), przy czym odległość (d) wyznaczona przez osie diod jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.
Description
Przedmiot wynalazku: Przedmiotem wynalazku jest wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy przeznaczony do pracy w ogranicznikach lub przełącznikach mocy w zakresie częstotliwości mikrofalowych.
Stan techniki: Maksymalne moce wejściowe przy których mogą pracować układy ograniczników i przełączników mocy mikrofalowej zależą od rodzaju zastosowanych w tych układach diod oraz od właściwości struktur w które te diody są włączone. Własności materiałów z których diody są wykonane, a zwłaszcza dopuszczalna temperatura złącza i wielkość napięcia przebicia powodują, że maksymalne moce ograniczane lub przełączane przez diody mikrofalowe nie przekraczają zwykle kilku watów dla sygnałów bardzo wielkiej częstotliwości fali ciągłej i pojedynczych kilowatów mocy dla sygnałów impulsowych bardzo wielkiej częstotliwości. W tym drugim przypadku wielkość mocy maleje wraz ze wzrostem częstotliwości pracy i ze wzrostem mocy średniej. Dla zwiększenia mocy ograniczanych lub przełączanych w układach stosuje się równoległe łączenie kilku diod w tej samej płaszczyźnie prostopadłej do kierunku transmisji mocy mikrofalowej. Prądy bardzo wielkiej częstotliwości wywołane przepływem strumienia mocy mikrofalowej rozpływają się pomiędzy diody i powodują, że układ może pracować przy mocy większej niż układ z pojedynczą diodą.
Znane są z polskich opisów patentowych nr 107 050 i nr 166 377 układy dużej mocy utworzone z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu, odcinek linii transmisyjnej rozwartej na końcu oraz włączone równolegle co najwyżej dwie diody mikrofalowe. Diody w opisanych układach włączone są w linię transmisyjną z rodzajem TEM zrealizowaną w postaci symetrycznej linii paskowej wzdłuż której propagowana jest fala z rodzajem TEM. Fizyczne wymiary linii transmisyjnej realizowanej w postaci linii paskowej i obudów diod mikrofalowych nie pozwalają na włączenie pomiędzy przewód wewnętrzny i przewód zewnętrzny linii transmisyjnej więcej niż dwóch diod w tej samej płaszczyźnie.
Znany jest również układ, w którym zastosowano linie transmisyjne o specjalnych kształtach przewodu wewnętrznego i zewnętrznego do których dołączono kilkanaście diod w jednej płaszczyźnie w odniesieniu do kierunku propagacji fali. Jest to układ pracujący w zakresie częstotliwości znacznie mniejszych od 1 GHz i ze względu na wymiary poprzeczne linii układ nie może pracować w zakresie częstotliwości mikrofalowych.
Istota wynalazku: Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy według wynalazku wyróżnia się tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są
187 147 diody mikrofalowe przesunięte względem siebie. Wielkość przesunięcia diod względem siebie wyznaczona jest przez ich osie i jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.
W układzie według wynalazku, poprzez dołączenie do linii transmisyjnej wzdłuż której rozchodzi się fala TEM odcinków linii zwartego i rozwartego na końcu i umieszczenie wzdłuż osi tych odcinków diod, stworzono możliwość włączenia kilku diod w tej samej płaszczyźnie odniesionej do kierunku propagacji fali.
Wynalazek pozwala na włączenie w jednej płaszczyźnie kilku diod pracujących w układzie równoległym i wielokrotne zwiększenie maksymalnej mocy ograniczanej lub przełączanej. Wzrost maksymalnej mocy jest tym większy im więcej diod zawiera układ.
Objaśnienie figur rysunku: Wynalazek jest bliżej objaśniony na przykładzie wykonania, na rysunku, który przedstawia przekrój poprzeczny wielodiodowego układu mikrofalowego dużej mocy.
Przykład wykonania wynalazku: Fala elektromagnetyczna jest propagowana wzdłuż linii z rodzajem TEM z prostokątnym przekrojem poprzecznym przewodu wewnętrznego o szerokości w. Do linii transmisyjnej włączone są równolegle dwa odcinki linii transmisyjnej krótsze od 1/4: odcinek zwarty na końcu i odcinek rozwarty na końcu. Wzdłuż osi tych odcinków linii transmisyjnej umieszczone są diody mikrofalowe D włączone pomiędzy przewody wewnętrzne 1 i 2 oraz przewody zewnętrzne 3 i 4 tych linii. Rozstawienie d diod mikrofalowych D względem siebie jest większe od szerokości w przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej.
187 147
Claims (1)
- Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy utworzony z linii transmisyjnej z rodzajem TEM, w której włączone są równolegle odcinek linii zwartej na końcu i odcinek linii rozwartej na końcu, znamienny tym, że wzdłuż osi równolegle przyłączonych do linii transmisyjnej odcinków linii zwartej na końcu i linii rozwartej na końcu, pomiędzy przewody wewnętrzne tych linii, zwartej na końcu (1) i rozwartej na końcu (2) a przewód zewnętrzny linii zwartej na końcu (3) i rozwartej na końcu (4), wspólny dla obydwu linii równoległych i linii propagacyjnej, włączone są diody mikrofalowe (D) przesunięte względem siebie w odległości (d), przy czym odległość (d) wyznaczona przez osie diod jest większa od szerokości przewodu wewnętrznego w linii transmisyjnej wzdłuż której propaguje się fala z rodzajem TEM.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL98324564A PL187147B1 (pl) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL98324564A PL187147B1 (pl) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL324564A1 PL324564A1 (en) | 1999-08-02 |
| PL187147B1 true PL187147B1 (pl) | 2004-05-31 |
Family
ID=20071444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL98324564A PL187147B1 (pl) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL187147B1 (pl) |
-
1998
- 1998-01-29 PL PL98324564A patent/PL187147B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL324564A1 (en) | 1999-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3414789B1 (en) | A transition arrangement comprising a contactless transition or connection between an siw and a waveguide or an antenna | |
| US6794950B2 (en) | Waveguide to microstrip transition | |
| Gysel | A new N-way power divider/combiner suitable for high-power applications | |
| US8305280B2 (en) | Low loss broadband planar transmission line to waveguide transition | |
| CA1097412A (en) | Microwave device for converting a wave guide structure into microstrip conductor structure | |
| KR20170113295A (ko) | 전자기파 신호를 전송하기 위한 도파관 및 이를 포함하는 칩-대-칩 인터페이스 장치 | |
| US4361819A (en) | Passive semiconductor power limiter formed on flat structure lines, and an ultra-high frequency circuit using such a limiter | |
| Ho et al. | Experimental investigations of CPW-slotline transitions for uniplanar microwave integrated circuits | |
| CN112736394A (zh) | 一种用于太赫兹频段的h面波导探针过渡结构 | |
| WO2018016071A1 (ja) | 同軸線路-導波管変換器 | |
| US6639486B2 (en) | Transition from microstrip to waveguide | |
| US4568893A (en) | Millimeter wave fin-line reflection phase shifter | |
| US6888429B2 (en) | Transmission line with a projecting dielectric part having an opposing coplanar line and transceiver | |
| PL187147B1 (pl) | Wielodiodowy układ mikrofalowy dużej mocy | |
| US4357583A (en) | Passive electromagnetic wave limiter and duplexer formed by means of such a limiter | |
| KR930004490B1 (ko) | 애퍼추어 셔터 능력을 갖고 있는 스위치식-루프/180˚위상 비트 장치 | |
| EP0399739A2 (en) | Waveguide switch | |
| CN107732396B (zh) | 一种基于基片集成波导的功分器 | |
| KR102885772B1 (ko) | 마이크로파 전이구조를 통한 소형 경량화를 위한 도파관 매직-티 구조 및 제조방법 | |
| Fahmi et al. | Contra-directional 3dB 90° hybrid coupler in ridge waveguides using even and odd TE modes | |
| RU2042990C1 (ru) | Микрополосковый направленный ответвитель | |
| RU2760763C1 (ru) | Переход с волновода на несимметричную полосковую линию | |
| SU1608760A1 (ru) | Режекторный фильтр | |
| US12113258B2 (en) | Power switch comprising a switching circuit serially connected between input and output lines each having parallel branches therein | |
| RU2234767C1 (ru) | Диодный выключатель |