PL181297B1 - Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal - Google Patents

Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal

Info

Publication number
PL181297B1
PL181297B1 PL96314600A PL31460096A PL181297B1 PL 181297 B1 PL181297 B1 PL 181297B1 PL 96314600 A PL96314600 A PL 96314600A PL 31460096 A PL31460096 A PL 31460096A PL 181297 B1 PL181297 B1 PL 181297B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transition metal
substrate
layer
fullerene
fullerene layer
Prior art date
Application number
PL96314600A
Other languages
Polish (pl)
Other versions
PL314600A1 (en
Inventor
Elzbieta Czerwosz
Halina Wronka
Przemyslaw Byszewski
Original Assignee
Inst Tech Prozniowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Prozniowej filed Critical Inst Tech Prozniowej
Priority to PL96314600A priority Critical patent/PL181297B1/en
Publication of PL314600A1 publication Critical patent/PL314600A1/en
Publication of PL181297B1 publication Critical patent/PL181297B1/en

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

1. Sposób katalitycznego otrzymywania nanorurek węglowych z warstw fulerenowych zawierających metal przejściowy, znamienny tym, że na uprzednio oczyszczone podłoże najpierw nanosi się warstwę fulerenową za pomocą termicznego próżniowego naparowywania z dwóch źródeł, z których jedno źródło zawiera mieszaninę fulerenów C60 i C70, zaś drugie źródło związek organiczny metalu przejściowego, korzystnie niklu, następnie tak otrzymaną warstwę wygrzewa się w temperaturze 500 - 525°C pod ciśnieniem 0,01- 0,1 Pa.1. The method of catalytic preparation of carbon nanotubes from fullerene layers transition metal containing previously cleaned the substrate is first applied with a fullerene layer by means of a thermal vacuum evaporation from two sources, one of which contains a mixture of fullerenes C60 and C70, and the second source is an organic compound of a transition metal, preferably nickel, the layer thus obtained is then annealed at a temperature of 500-525 ° C under pressure 0.01- 0.1 Pa.

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób katalitycznego otrzymywania nanorurek węglowych w cienkich warstwach fulerenowych zawierających metal przejściowy, zwłaszcza nikiel. Otrzymane w ten sposób warstwy mogą być stosowane jako zimne katody elektronowe stosowane w różnego rodzaju urządzeniach elektronicznych jak na przykład lampy z falą bieżącą, wyświetlacze czy też czujniki próżniowe.The subject of the invention is a method of catalytic preparation of carbon nanotubes in fullerene thin films containing a transition metal, especially nickel. The layers obtained in this way can be used as cold electron cathodes used in various types of electronic devices, such as traveling wave lamps, displays or vacuum sensors.

Znane są różne sposoby otrzymywania nanorurek węglowych. Do najbardziej zbliżonej metody ich otrzymywania należy metoda oparta na wyładowaniu w łuku prądu stałego czystych elektrod węglowych lub elektrod domieszkowanych metalami jak to opisano w S.Iijima Naturę 357,56 (1991) i P. Byszewski, P. Dłużewski, R. Diduszko J.Mat. Res. 8 (1),118 (1993).Various methods of obtaining carbon nanotubes are known. The most similar method of obtaining them is the method based on the discharge in the DC arc of pure carbon electrodes or metal doped electrodes as described in S.Iijima Natura 357.56 (1991) and P. Byszewski, P. Dłużewski, R. Diduszko J. Mat. Res. 8 (1), 118 (1993).

W sposobie tym, elektrody węglowe o średnicy od kilku do kilkunastu mm umieszcza się atmosferze czystego helu (99,998%) i poddaje ciśnieniu kilkuset Tor, Prąd wyładowania w zależności od parametrów użytych elektrod i warunków prowadzenia procesu waha się od 40 - 100 A, a napięcie wynosi około 20 - 25 V. Podczas wyładowania niezbędne jest utrzymanie stałej przerwy pomiędzy elektrodami (ok. 1 mm). W tak prowadzonym procesie, na jednej z elektrod (katodzie) uzyskuje się osad węglowy zawierający nanorurki oraz inne nanostruktury. Otrzymany osad należy następnie oczyścić z sadzy węglowej np. w płuczce ultradźwiękowej, w etanolu.In this method, carbon electrodes with a diameter of a few to several mm are placed in an atmosphere of pure helium (99.998%) and subjected to a pressure of several hundred Torr.The discharge current, depending on the parameters of the electrodes used and the process conditions, ranges from 40 - 100 A, and the voltage is about 20 - 25 V. It is necessary to maintain a constant gap between the electrodes (approx. 1 mm) during the discharge. In such a process, a carbon deposit containing nanotubes and other nanostructures is obtained on one of the electrodes (cathode). The obtained sediment should then be cleaned of carbon black, e.g. in an ultrasonic scrubber, in ethanol.

Opisany sposób wymaga skomplikowanej obróbki otrzymanego materiału i nie daje możliwości otrzymania pojedynczych nanorurek oraz nie wymusza ich kierunkowego wzrostu. W tak prowadzonym procesie oprócz nanorurek węglowych uzyskuje się i inne nanostruktury, a wszystko wymieszane jest z amorficznym węglem. Znacznym utrudnieniem jest także oddzielanie nanorurek i ich czyszczenie. Ponadto otrzymane nanorurki są nieuporządkowane.The described method requires complicated processing of the obtained material and does not make it possible to obtain individual nanotubes and does not require their directional growth. In such a process, apart from carbon nanotubes, other nanostructures are obtained, and everything is mixed with amorphous carbon. The separation of nanotubes and their cleaning is also a significant difficulty. Moreover, the obtained nanotubes are disordered.

181 297181 297

Sposób według wynalazku polega na tym, że najpierw na oczyszczone podłoże nanosi się warstwę fulerenową zawierającą metal przejściowy. Warstwę tę nanosi się za pomocą termicznego próżniowego naparowywania z dwóch źródeł, z których jedno źródło zawiera mieszaninę fulerenów C60 i C 70, zaś drugie źródło związek organiczny metalu przejściowego, korzystnie octanu niklu. Następnie tak otrzymaną warstwę poddaje się wygrzewaniu w temperaturze 500 - 525°C pod ciśnieniem 0,01 - 0,1 Pa. Wygrzewanie warstwy fulerenowej prowadzi się w próżni lub w atmosferze gazu obojętnego, najlepiej helu bądź argonu pod ciśnieniem niższym od atmosferycznego. Natomiast podłożem dla nakładanej warstwy fulerenowej może być: szkło korzystnie kwarcowe, metal - korzystnie molibden, izolacyjne podłoże krystaliczne lub podłoże półprzewodnikowe jak krzem czy arsenek galu.The method according to the invention consists in firstly applying a transition metal containing fullerene layer to the cleaned substrate. This layer is applied by means of thermal vacuum vapor deposition from two sources, one source of which contains a mixture of C60 and C70 fullerenes and the other source an organic compound of a transition metal, preferably nickel acetate. Then the layer obtained in this way is annealed at a temperature of 500-525 ° C under a pressure of 0.01-0.1 Pa. The heating of the fullerene layer is carried out in a vacuum or in an inert gas atmosphere, preferably helium or argon, at a pressure below atmospheric. On the other hand, the substrate for the applied fullerene layer may be: glass, preferably quartz, metal - preferably molybdenum, an insulating crystalline substrate or a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide.

W procesie wytwarzania warstwy fulerenowej użyty jako związek organiczny metalu przejściowego octan niklu formuje nanokryształy umieszczone w otoczeniu fulerenów; Nanorurki zaś powstają w procesie wygrzewania warstwy, ponieważ w wyniku odpowiedniego wygrzewania następuje katalityczna reakcja monokryształów niklu z otaczającym je fulerenami.In the process of producing the fullerene layer, nickel acetate used as an organic compound of the transition metal forms nanocrystals surrounded by fullerenes; Nanotubes are formed in the process of annealing the layer, because as a result of appropriate annealing, a catalytic reaction of nickel single crystals with the fullerenes surrounding them takes place.

Otrzymane sposobem według wynalazku nanorurki są ułożone w jednym kierunku, a proces otrzymywania i wygrzewania warstw jest prosty i nie wymaga ekstremalnych warunków ciśnienia w komorze próżniowej.The nanotubes obtained by the method according to the invention are arranged in one direction, and the process of obtaining and annealing the layers is simple and does not require extreme pressure conditions in the vacuum chamber.

Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie katalitycznego otrzymywania nanorurek węglowych z warstwy fulerenowej zawierającej nikiel. Warstwa fulerenu zawierającego nikiel została wykonana metodą termicznego naparowywania z dwóch źródeł, w postaci łódeczek tantalowych, zawierających odpowiednio mieszaninę fulerenów C60/C 70 w stosunku 8 : 2 i organiczny związek niklu w postaci octanu niklawego. Do procesu użyto podłoży w postaci taśmy molibdenowej, szkła kwarcowego oraz arsenku galu. Oczyszczone bezpośrednio przed procesem podłoża zostały umieszczone w komorze próżniowej w odległości ok. 50 mm nad źródłami. Przed procesem naparowywania całość była wygrzewana w temperaturze 200°C przez 2 godziny, a następnie układ został odpompowany do ciśnienia 10'3 Pa. Proces naparowywania prowadzono przy ciśnieniu W2 Pa, przy zachowaniu temperatury podłoży ~200°C. Warstwę naparowywano z szybkością 4 nm/min,The invention will be explained in more detail on the example of the catalytic preparation of carbon nanotubes from a nickel-containing fullerene layer. The nickel-containing fullerene layer was made by thermal vaporization from two sources, in the form of tantalum boats, containing respectively a mixture of C60 / C70 fullerenes in the ratio of 8: 2 and an organic nickel compound in the form of nickel acetate. The substrates in the form of molybdenum tape, quartz glass and gallium arsenide were used for the process. The substrates, cleaned immediately before the process, were placed in a vacuum chamber at a distance of approx. 50 mm above the sources. Before the deposition process the whole was annealed at 200 ° C for 2 hours, and then the system was evacuated to a pressure of 10 '3 Pa. The vapor deposition process was carried out at the pressure of W 2 Pa, while the substrate temperature was ~ 200 ° C. The layer was deposited at the rate of 4 nm / min,

Otrzymane w ten sposób warstwy były następnie wygrzewane w temperaturze 500 - 525°C, w próżni pod ciśnieniem 10'1 Pa. Po zakończeniu procesu w warstwach uzyskano pojedyncze nanorurki o średnicach około 10 nm ułożone w kierunku od podłoża ku górnej powierzchni warstwy fulerenowej.The thus obtained films were then annealed at 500 - 525 ° C, vacuum pressure of 10 -1 Pa. After the process was completed, individual nanotubes with a diameter of about 10 nm were obtained in layers, arranged from the substrate towards the upper surface of the fullerene layer.

181 297181 297

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 60 egz Cena 2,00 zł.Publishing Department of the UP RP. Circulation 60 copies Price PLN 2.00.

Claims (7)

Zastrzeżenia patentowePatent claims 1. Sposób katalitycznego otrzymywania nanorurek węglowych z warstw fulerenowych zawierających metal przejściowy, znamienny tym, że na uprzednio oczyszczone podłoże najpierw nanosi się warstwę fulerenową za pomocą termicznego próżniowego naparowywania z dwóch źródeł, z których jedno źródło zawiera mieszaninę fulerenów C60 i C 70, zaś drugie źródło związek organiczny metalu przejściowego, korzystnie niklu, następnie tak otrzymaną warstwę wygrzewa się w temperaturze 500 - 525°C pod ciśnieniem 0,01- 0,1 Pa.1. The method of catalytic preparation of carbon nanotubes from fullerene layers containing a transition metal, characterized in that the previously cleaned substrate is first covered with the fullerene layer by means of thermal vacuum vaporization from two sources, one of which contains a mixture of C60 and C70 fullerenes, and the other source organic compound of transition metal, preferably nickel, then the layer thus obtained is heated at a temperature of 500-525 ° C under a pressure of 0.01-0.1 Pa. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że wygrzewanie warstwy fulerenowej zawierającej katalityczny metal przejściowy prowadzi się w atmosferze gazu obojętnego, korzystnie helu lub argonu pod ciśnieniem niższym od atmosferycznego.2. The method according to p. The process of claim 1, wherein the annealing of the fullerene layer containing the catalytic transition metal is carried out in an inert gas atmosphere, preferably helium or argon, at a pressure below atmospheric. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwę fulerenową zawierającą metal przejściowy nanosi się na podłoże, którym jest szkło, korzystnie szkło kwarcowe.3. The method according to p. The method of claim 1, wherein the transition metal containing fullerene layer is applied to a substrate which is glass, preferably quartz glass. 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwę fulerenową zawierającą metal przejściowy nanosi się na podłoże, którym jest metal, korzystnie molibden.4. The method according to p. The method of claim 1, wherein the transition metal containing fullerene layer is applied to a metal, preferably molybdenum, substrate. 5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwę fulerenową zawierającą metal przejściowy nanosi się na podłoże, którym jest izolacyjne podłoże krystaliczne.5. The method according to p. The method of claim 1, wherein the transition metal containing fullerene layer is applied to a substrate which is an insulating crystalline substrate. 6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwę fulerenową zawierającą metal przejściowy nanosi się na półprzewodnikowe podłoże krystaliczne, korzystnie na krzem lub arsenek galu.6. The method according to p. The method of claim 1, wherein the transition metal containing fullerene layer is applied to a semiconductor crystalline substrate, preferably silicon or gallium arsenide. 7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że związkiem organicznym w procesie nanoszenia warstwy fulerenowej jest octan niklu.7. The method according to p. The method of claim 1, wherein the organic compound in the process of applying the fullerene layer is nickel acetate.
PL96314600A 1996-06-04 1996-06-04 Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal PL181297B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL96314600A PL181297B1 (en) 1996-06-04 1996-06-04 Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL96314600A PL181297B1 (en) 1996-06-04 1996-06-04 Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL314600A1 PL314600A1 (en) 1997-12-08
PL181297B1 true PL181297B1 (en) 2001-07-31

Family

ID=20067695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL96314600A PL181297B1 (en) 1996-06-04 1996-06-04 Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL181297B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
PL314600A1 (en) 1997-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7491269B2 (en) Method for catalytic growth of nanotubes or nanofibers comprising a NiSi alloy diffusion barrier
EP1413550B1 (en) Method and device for synthesizing high orientationally arranged carbon nanotubes by using organic liquid
US20030129305A1 (en) Two-dimensional nano-sized structures and apparatus and methods for their preparation
EP1061043A1 (en) Low-temperature synthesis of carbon nanotubes using metal catalyst layer for decomposing carbon source gas
US6843850B2 (en) Catalyst-free growth of single-wall carbon nanotubes
US20140374960A1 (en) Method for producing a graphene film
JPH10265208A (en) Production of carbon nanotube and carbon nanotube film
US20100065810A1 (en) Method Of Synthesizing Semiconductor Nanostructures And Nanostructures Synthesized By The Method
US20040099208A1 (en) Method for forming carbon nanotubes
JP3913442B2 (en) Carbon nanotube, method for producing the same, and electron emission source
JPH11504753A (en) Carbon nitride cold cathode
WO2004048258A2 (en) Method for forming carbon nanotubes
JP2000260721A (en) Cvd system, cvd method and method of cleaning the cvd system
PL181297B1 (en) Method of catalytically obtaining carbonaceous microtubes of nanometer size from fullerene layers containing a transient metal
JP2001506572A (en) Method of forming diamond film by vapor phase synthesis
JP4907017B2 (en) Method for producing carbon nanotube film body
KR20010103984A (en) Growth method for vertically aligned carbon nanotubes by changing the morphologies of a transition metal thin films
JP4907009B2 (en) Carbon nanotube film, carbon nanotube film-containing SiC substrate, and method of manufacturing carbon nanotube film body
JP3983341B2 (en) Silicon carbide and method for producing silicon carbide
JPH01313974A (en) Method of manufacturing polycrystalline silicon semiconductor resistance layer on silicon substrate and silicon pressure sensor manufactured by the method
CN110714224B (en) Preparation method of large-area high-stability single-layer blue phospholene based on molecular beam epitaxial growth
JP2649221B2 (en) Deposition film formation method
Ikuno et al. Structural characterization of randomly and vertically oriented carbon nanotube films grown by chemical vapour deposition
Lee et al. Method for aligned bamboolike carbon nanotube growth using RF magnetron sputtering
JPH04175295A (en) Production of semiconductive diamond