PL180118B1 - Urządzenie do pomiaru spadku napięcia na implantowanym zestyku - Google Patents

Abstract

Urządzenie do pomiaru spadku napię) cia na implantowanym zestyku, w komorze hermetycznej, z zespołem wymuszania określonej, stałej wartości prądu, z zespołem pomiaru spadku napięcia na zestyku elektroda probiercza - materiałbadany, w zależności od siły docisku elektrody probierczej na materiał, znamienne tym, że w hermetycznej komorze (1) implantatora umieszczona jest na nieruchomym uchwycie (5) próbka (2) materiału implantowanego, zaś naprzeciwna ramieniu (3) dźwigni równoramiennej, odchylanym z obszaru wiązki jonów-', umocowana jest elektroda (4) probiercza, która po implantacji próbki (2) określonądawkąjonów, dotyka do iinplantowancj jrróóki (2) z zadanąna drugim ramieniu dźwigni siłą od siłownika (6) z pomiarem siły.

Description

Przedmiotem wynalazku jest urządzenie do pomiaru spadku napięcia na implantowanym zestyku. Jako zestyk rozumie się zespół składający się z elektrody probierczej i obrabianego metodą implantacji jonowej powierzchni próbki badanego materiału. Implantacja jonowa prowadzi do zmiany własności mechanicznych i elektrycznych materiałów elektrotechnicznych. Jako zestyk przyjmuje się więc powierzchnię kontaktu elektrody probierczej z materiałem o zmiennych pod wpływem implantacji własnościach elektrycznych.

Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 176 165 sposób pomiaru spadku napięcia na zestyku materiał implantowany - elektroda probiercza, polegający na pomiarze spadku napięcia przy zadanej wartości prądu stałego i określonej sile docisku elektrody probierczej do materiału implantowanego, charakteryzujący się tym, że badany materiał umieszcza się w implantatorze, kolejno poddaje się go implantacji, mierzy się spadek napięcia podczas zatrzymania implantacji, przy czym pomiar spadku napięcia powtarza się przy kolejnych dawkach jonów implantowanych, aż do osiągnięcia ustalonej wartości spadku napięcia w niezmiennym układzie pomiarowym i tych samych warunkach. Dotychczas przy ocenie wpływu implantacji na własności elektryczne materiałów przewodzących mierzy się spadki napięć na stanowisku pomiarowym po wyjęciu implantowanej próbki z hermetycznej komory. Wymaga to każdorazowo wyjęcia próbki z komory implantatora i umieszczenia jej na stanowisku pomiarowym, rozhermetyzowania komory, a następnie osiągnięcia bardzo wysokiej próżni, co znacznie wydłuża czas próby. W czasie przemieszczania próbki może nastąpić zabrudzenie powierzchni, jej utlenienie oraz adsorpcja zanieczyszczeń. Prowadzi to do znacznych błędów w ocenie zmiany własności materiałów stykowych, wywołanych implantacją jonową powierzchni próbki.

Istotą urządzenia do pomiaru spadku napięcia na implantowanym zestyku, w komorze hermetycznej, z zespołem wymuszania określonej, stałej wartości prądu, z zespołem pomiaru spadku napięcia na zestyku elektroda probiercza - materiał badany, w zależności od siły docisku elektrody probierczej na materiał jest to, że w hermetycznej komorze implantatora umieszczona jest na nieruchomym uchwycie próbka materiału implantowanego, zaś naprzeciw na ramieniu dźwigni równoramiennej, odchylanym z obszaru wiązki jonów, umocowana jest elektroda probiercza, która po implantacji próbki określoną dawkąjonów, dotyka do implantowanej próbki z zadaną na drugim ramieniu dźwigni siłą od siłownika z pomiarem siły.

Korzystnym skutkiem wynalazkujest to, że umożliwia badanie własności elektrycznych próbki przy różnych dawkach implantacji i różnych siłach nacisku elektrody probierczej do implantowanej próbki. Badanie przeprowadza się w identycznych warunkach i eliminuje się możliwość zabrudzenia i oddziaływania warunków atmosferycznych na powierzchnię próbki i znacznie skraca czas badania.

180 118

Urządzenie według wynalazku jest przedstawione w przykładzie wykonania na schematycznym rysunku.

W urządzeniu do pomiaru napięcia na implantowanym zestyku, w komorze 1 hermetycznej , z zespołem wymuszania określonej, stałej wartości prądu, z zespołem pomiaru spadku napięcia na zestyku elektroda probiercza - materiał badany, w zależności od siły docisku elektrody probierczej na materiał, przy czym w hermetycznej komorze 1 implantatora umieszczona jest na nieruchomym uchwycie 5 próbka 2 materiału implantowanego, zaś naprzeciw na ramieniu 3 dźwigni równoramiennej, odchylanym z obszaru wiązki jonów, umocowanajest elektroda 4 probiercza, która po implantacji próbki 2 określ^^midawkąjonów, dotyka do implantowanej próbki 2 z zadaną na drugim ramieniu dźwigni siłą od siłownika 6 z pomiarem siły. Na początku zakłada się próbkę 2 materiału badanego na uchwyt 5, uzyskuje się wysoką próżnię w komorze 1 hermetycznej, dokonuje się pomiaru spadku napięcia na zestyku elektroda 4 probiercza - materiał 5 badany w komorze 1 hermetycznej przy ustalonej wartości prądu płynące przez zestyk, w zależności od siły nacisku elektrody 4 probierczej na materiał 2 badany. Następnie przy wyłączonym prądzie odchyla się ramię 3 o kąt 90°, a badany materiał poddaje się implantacji określoną dawkąwybranychjonów, o zadanej energii. Po zakończeniu implantacji wykonuje się pomiary spadku napięcia na zestyku elektroda probiercza - materiał badany, jak dla próbki nieimplantowanej. Pomiary dla kolejnych dawek implantacj i powtarzane sąbez rozhermetyzowania komory.

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 60 egz. Cena 2,00 zł.

Claims (1)

1. Zastrzeżenie patentowe

   Urządzenie do pomiaru spadku napięcia na implantowanym zestyku, w komorze hermetycznej, z zespołem wymuszania określonej, stałej wartości prądu, z zespołem pomiaru spadku napięcia na zestyku elektroda probiercza - materiał badany, w zależności od siły docisku elektrody probierczej na materiał, znamienne tym, że w hermetycznej komorze (1) implantatora umieszczona jest na nieruchomym uchwycie (5) próbka (2) materiału implantowanego, zaś naprzeciw na ramieniu (3) dźwigni równoramiennej, odchylanym z obszaru wiązki jonów, umocowana jest elektroda (4) probiercza, która po implantacji próbki (2) określoną dawkąjonów, dotyka do implantowanej próbki (2) z zadaną na drugim ramieniu dźwigni silą od siłownika (6) z pomiarem siły.

   * * *