PL16789B1 - Komórka fotoelektryczna. - Google Patents
Komórka fotoelektryczna. Download PDFInfo
- Publication number
- PL16789B1 PL16789B1 PL16789A PL1678929A PL16789B1 PL 16789 B1 PL16789 B1 PL 16789B1 PL 16789 A PL16789 A PL 16789A PL 1678929 A PL1678929 A PL 1678929A PL 16789 B1 PL16789 B1 PL 16789B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cathode
- photoelectric cell
- radioactive metal
- anode
- cell
- Prior art date
Links
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000567 Amalgam (chemistry) Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001264 Th alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical class [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Dotychczas komórki fotoelektryczme bu¬ dowano w ten sposób, ze katode potasowa (amalgamat .potasowy) umieszczano we¬ wnatrz banki szklanej, opróznionej albo na¬ pelnionej gazem o malej preznosci. Na¬ przeciw katody takiej komórki znajduje sie anoda, która [posiada postac pierscienia albo siatki z platyny. Przez otwory w anodzie promien swietlny pada na powierzchnie ka¬ tody, wskutek czego z katody uwalniaja sie elektrony, zdazajace do anody pod wply¬ wem pola elektrycznego, powstajacego dzieki przylozeniu napiecia do elektrod ko¬ mórki. W komórkach, wypelnionych gazem szlachetnym o malej preznosci, wykorzy¬ stywano przytem jonizacje gazu. Otrzymy¬ wane z takich komórek fotoelektrycznych prady byly stosunkowo slabe i w wiekszo¬ sci przypadków wymagaly wzmocnienia.Sa równiez znane komórki, w których elektrony, wychodzace z elektrody zarowej, sluzacej jako elektroda pomocnicza, sa wy¬ korzystywane do zmniejszenia spadku na¬ piecia, wystepujacego przy katodzie pota¬ sowej. Próbowamo w tym przypadku nasy¬ canie elektrody zarowej torem, celem osia¬ gniecia dostatecznej wydajnosci elektro¬ nów przy malem promieniowaniu swietl- nem tej elektrody. Elektroda pomocnicza takich komórek musi byc wyzarzana, co wymaga urzadzen dodatkowych do wyrobu komórek.Przedmiotem wynalazku jest komórka fotoelektryczna, której budowa oparta jestna odkrylem zjawisku, ze prad w komórce stajejsie znacznie wiekszy, jezeli obie elek¬ trody "glówne albo 'przynajmniej jedna z nich, albo nawet tylko elektroda (pomocni¬ cza sklada sie z metalu radjoaktywnego, którego czasteczki alfa przenikaja przez powierzchnie katody.Nai rysunku przedstawiono kilka odmian komórki fotoelektrycznej wedlug wyna¬ lazku.Fig. 1 przedstawia komórka fotoelek¬ tryczna, posiadajaca banke szklana 1 oraz zwykla katode potasowa 2. Kratowa anoda 3 tej komórki jest wykonana z metalu ra¬ dioaktywnego, np. toru albo sffcopu toru; anoda ta nie jest ogrzewana, a zatem dzia¬ la na zimno. Gdy promien swietlny L tra¬ fia przez otwór w anodzie 3 na miejsce a katody potasowej 2, to jednoczesnie trafia na to miejsce a wychodzaca z toru elek¬ trody 3 wiazka czasteczek alfa, która wy¬ woluje zmniejszenie pracy wychodzenia , elektronów z powierzchni katody, dzieki azemu przy jednakowych warumkacht. a za¬ tem i przy jednakowej róznicy napiec od punktu a katody 2 do anody 3 plynie wiek¬ szy strumien elektronów. Dzialanie czaste¬ czek alfa wystepuje równiez i w komórkach, napelnionych gazem. W tym przypadku preznosc gazu musi byc tak obliczona, by jonizacja, spowodowana przez czasteczki alfa, nie wystarczala przy danej róznicy napiec do wytwarzania pradu bez oswie¬ tlenia katody.W komórce, przedstawionej na fig. 2, zarówno katoda, jak i anoda jest wykotnar na z zimnego radjoaktywnego metalu; mozna jednak równiez wykonywac taka komórke, w której tylko katoda jest z tti£- talu radjoaktywnego, njp. z molibdenu z 2% dodatkiem toru; na powierzchni katody znajduje sie jednoatomowa warstewka to¬ ru, powstajaca przez zarzenie stopu toru.Komórka ta, jak wszystkie komórki foto- elektryczne, posiada najwieksza czulosc na swiaitlo okreslonej dlugosci fali i pod dzia¬ laniem takiego swiatla z katody zostaje zwolniony szczególnie silny strumien e elektronów.Komórka wedlug fig, 3 jest zaopatrzo¬ na w pomocnicza elektrode 8 z zimnego meitallu radjoaktywnego, która nie jest przy¬ laczona do obwodu pradu. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Komórka fotoelektryczna, znamien¬ na tern, ze wewnatrz jej banki sa umie¬ szczone zimne ciala (2, 3, 8) z metalu ra¬ djoaktywnego, których czasteczki alfa bom¬ barduja powierzchnie katody (2). 2. Komórka fotoelektryczna wedlug zastrz. 1, znamienna tern, ze anoda (3) sklada; sie z metalu radjoaktywnego. 3. Komórka fotoelektryczna wedlug zastrz. 1, znamienna tem, ze elektroda po¬ mocnicza (8) sklada sie z metalu radjo- aktywnegp* 4. Komórka fotoelektryczna wedlug zastrz. 1, znamienna tem, ze katoda* (2) sklada sie z metalu, radjoaktywnego. F r anz Roth-er. Zastepca: Inz. M. Brokman, rzecznik patentowy.£o opisu patentowego Nr 16789. ligi Fig.
- 2 Fig.3 bruk L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL16789B1 true PL16789B1 (pl) | 1932-10-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Compton et al. | Resonantly enhanced multiphoton ionization of xenon: photoelectron enrgy analysis | |
| Makuta et al. | Photo-excitation intensity dependent electron and hole injections from lead iodide perovskite to nanocrystalline TiO 2 and spiro-OMeTAD | |
| Kenty | Photoelectric yields in the extreme ultraviolet | |
| Apker et al. | Energy distribution of external photoelectrons from f-centers in rbi | |
| Bockris et al. | The Theory of the Light‐Induced Evolution of Hydrogen at Semiconductor Electrodes | |
| Veszi | The modern single-layer selenium photo-electric cell | |
| PL16789B1 (pl) | Komórka fotoelektryczna. | |
| Geller | Field emission from metals into alkali halide crystals | |
| DE1539898B1 (de) | Festkoerperbildwandler bzw bildverstaerker | |
| Cho et al. | GEM: Performance and aging tests | |
| US1668383A (en) | Photo-electric cell | |
| Yoshida | Photoelectric Properties of As2Se3 Layers | |
| RU2062247C1 (ru) | Космическая солнечная батарея | |
| Chopra | Photo-effects in thin oxide film sandwich structures | |
| DE1033811B (de) | Fotoelektrische Schicht fuer ultraviolettempfindliche Fotokathoden | |
| US2055487A (en) | Photoelectric tube | |
| EP2865012A1 (de) | Schichtsystem für dünnschichtsolarzellen | |
| DE331710C (de) | Photoelektrisches Relais | |
| Sandström | XXXV. The photoelectric mechanism of selenium barrier layer elements | |
| Fischer et al. | Photoemission from magnesium and from diamond film using high intensity laser beams | |
| FOLLETT | PHOTOELECTRIC CELLS | |
| DE677586C (de) | Sperrschichtphotozelle | |
| JPS6150381A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US2581271A (en) | Photoelectric device for indicating the diminution of light | |
| Deodhar et al. | Some new transitions in the L emission spectrum of erbium-68 |