PL153959B1 - UKŁAD DO WYZNACZANIA WSPÓŁCZYNNIKA WZMOCNIENIA PRĄDOWEGO TRANZYSTORA h21E ORAZ NAPIĘCIA BAZA-EMITER - Google Patents

Description

RZECZPOSPOLITA POLSKA	OPIS PATENTOWY	153 959
		Patent dodatkowy do patentu nr —---	Int Cl 5 G01R 31/26
		Zgłoszono 86 11 21 /P · 262512/
		Pierwszeństwo ----	«UftS/3 i i 44
URZĄD PATENTOWY	Zgłoszenie ogłoszono. 88 08 04
RP	Opis patentowy opublikowano 1991 11 29

Twórca wynalazku: Maciej Feszczuk

Uprawniony z patentu: Naukowo Produkcyjne Centrum Półprzewodników “CEMI Zakład Doświadczalny Urządzeń Technologicznych, Warszawa /Polska/

UKŁAD DO WYZNACZANIA WSPÓŁCZYNNIKA WZMOCCNENIA PRĄDOWEGO TRANZYSTORA h_21£ ORAZ NAPIĘCIA BAZA-EMITER

Przedmiotem wynalazku jest układ do wyznaczania współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora ^h2iE oraz naPięcia baza-emiter, przy pomiarach automatycznych tranzysoorów i w miernikach laboratoryjnych.

Znany dotychczas i najczęściej stosowany układ do poi^aru parametrów tranzystorów, zwłaszcza współczynnika wz^ιmccieπla prądowego i napięcia baza-emiter U_BE polega na umieszczeniu badanego tranzystora w konfiguracji ze wspólną bazą. W układzie tym źródło prądowe wymmszające prąd emitera umieszczone jest nędzy emiterem badanego tranzystora, a masą układu pomiarowego, zaś źródło napięciowe wymossaJące napięcie kolektor baza umieszczone jest między kolektom badanego tranzystora a mmsą układu pomiarowego. Między bazą badanego tranzystora, a mesą układu pomiarowego umieszczony jest amperomierz do pomiaru prądu bazy potrzebnego do obliczania wrtości *21E' który w swooej budowie zawiera pamięć analogową oraz przetwornik analogowo-cyfrowy, natomiast między bazą a emiterem badanego tranzystora umiesaczo ny jest woltomierz do pomiaru napięcia baza-emiter U^.

Znany jest również z polskiego opisu patenoowego nr 139 282 układ, w którym umieszczony jest rezystor służący do kontroli prądu kolektora w obwodzie kolektora badanego tranzystora, objęty pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego źródła prądowego umezanaciegc w obwodzie emitera badanego tranzystora oraz pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego źródła napięcoowego umieszczonego w obwodzie kolektora badanego tranzystora. Emiter tranzystora mierzonego jest połączony z wyjściem układu suoacyJnegc źródła prądowego, a rezystor do kontroli prądu kolekto ra badanego tranzystora jest załączony między rezystory wejściowe wzmoaciacaa różnicowego źródła prądowego, którego wyjście jest połączone z wejściem układu suK^^^jnego, na które podan Jest również napięcie ρrcgraousę^ce.

153 959

153 959

W innym znanym polskim opisie patentowym nr 125 773, układ złożony Jest z miernika magnetoelaktrycznego włączonego o obwód bazy badanego tranzystora zasilany z ^^yiścia komparatora, którego wejście nieodoracające fazę Jest zasilane napięciem odniesienia o postaci impulsów prostokątnych o określonej amplitudzie, czasie trwania i okresie powtarzania, natomiast wejście odwracające fazą tego ^ιπρ^βΐο^ jest połączone z emiterem badanego tranzystora i przez rezystor z mmsą układu· Kolektor badanego tranzystora jest zasilany napięciem stałym·

Istota układu według wynalazku polega na załączeniu w obwodzie emitera badanego tranzystora generatora przebiegu piłoksztaittni^go połączonego z Jednym wejściem wzmmgneaczg różnicowego, którego wyście połączone jest z wejściem kommlgagore· Na drugie wejście komparatora podane Jest napięcie odniesienia· W obwodzie kolektora badanego tranzystora załączone jest programowane źródło prądowe oraz drugie wj iście wzmmgceacza różnicowego. Nappęcie kolektor emiter kontrolowane jest przez kommlgagor·

Zaletą układu będącego przedmiotem wynalazku Jest obecność generatora, który umożioia zmianę punktu pracy tranzystora przy zaprogramowanej wartości prądu kolektora. Ponadto zostają zlitwidooane sprzężenia zwrotne powodujące podatność układu pomiarowego na wzbudzzona. Brak wzbudzeń podczas wyznaczania współczynnika oztflmonecnlg prądowego tranzystora upraszcza uruchamianie układu.

Przedmiot wynalazku Jest przedstawiony w przykładzie w^^^i^n^r^:Lg na rysunku, który jest schematem blokowym układu do wyznnczania parametrów tranzystora.

Do emitera E mierzonego tranzystora T załączony jest generator przebiegu piłokształtnego GPP oraz jedno wejście ozmρgntaczg różnicowego W^ i zestyk 2 przełącznika. W obwód kolektora C mierzonego tranzystora T załączone jest drugie wjiścij ozmρgceaczg różnicowego oraz wyście źródła prądowego Ię. Do bazy B mierzonego tranzystora T dołączony jest rezystor pomiarowy Rg oraz Jedno ^^Jiścij wzmρgceaczg różnicowego W₂, drugie zaś oyprowtazenie rezystora Rg dołączone jest do zestyku 1 przełącznika oraz do mmsy układu. Wyście ozmρgneacza różnicowego dołączone jest do jednego z oeeść kommpgatlrg K, zaś na drugie ojścij komparatora K podane Jest napięcie U_REF proporcjonalne do żądanego napięcia mierzonego tranzystora T przy któi^ym ma być mierzony współczynnik hg^. WyJŚcie komρpgatlrg K dołączone jest do układu sterOwania US, którego wyście połączone są z generatorem przebiegu piłokształt nego GPP, źródłem prądowym oraz układem pamięci analogowej SHL, który to układ połączony jest z wyjściem wzmρanlgcza różnicowego W₂. Napięcie wyjściowe z układu pamięci analogowej SHL podawane Jest na tBeście przetwornika analogowo-cytlOwego ADC. Waatością mierzoną Jest prąd bazy badanego elementu. Pomiar ten dokonywany jest pośrednio przez pomiar spadku napięcia na rezystorze Rg w momρneie zrównania się napięcia kolektor-emiter mierzonego tranzystora T z wartością zadaną Ur_EF. Porównania obu napięć dokonuje k^mpas^r K wysyłając o zrównania sygnał zamykający pamięć analogową SHL.

Przy pomiarze współczynnika ozιnmlceenla prądowego tranzystora hg^ tor pomiarowy z układem pamięci analogowej SHL dołączony Jest do rezystora Rg umieszczonego w obwodzie bazy mierzonego tranzystora T.

Znajomość trzech wielkości I_, I_n oraz U._c pozwala na wyznaczenie współczynnika ^{u o} f ia prądowego hg^ na podstawie zależności: ' j— Uę constans.

B 1

Podczas pomiaru napięcia baz^-emter w warunkach przewodzenia tranzystora U.,

BEON cykl pomiarowy jest identyczny, Jedynie tor pomiarowy przyłączany jest między wyprowadzenia bazy i emitera.

Claims (1)

1. Zastrzeżenie patenoowe

   Układ do wyznaczania współczynnika ozmmlneenιa prądowego tranzystora hgśE oraz napięcia baza-emiter, złożony z badanego tranzystora, ozmρgneacza różnicowego, pamięci i przetwornika analogowo-cyfrowego, znamienny tym, ze o obwodzie kolektora mierzonego tranzystora /T/ podłączone jest programowane źródło prądowe /1 / oraz jedno weescie wzmmaceaczg różnicowego /W^/, zaś z emiterem badanego tranzystora /T/ połączony

   153 555

   Jest generator przebiegu piłoksztaHnago /GPP/ oraz, drugie wejście wzmacniacza różnicowego /W /, natomiast wyjścia tego wzmacniacza połęczone Jest z Jednym z wejść komppaatora /Kf na którego drugie wejście podane Jest napięcie odniesienia /U_REp/, β z bazę badanego tranzystora /T/ połęczony Jest rezystor wzorcowy /Rg/ oraz jedno z wejść wzmaaciacza różnicowego /Wg/, zaś drugie wejście tego wzmacniacza połęczone jest z drugim wyprowadzeniem rezystora /Rg/ lub z emiterem badanego tranzystora /T/ w przypadku pomiaru napięcia baza-emiter w warunkach przewodzenia tranzystora /Ug_E0N/·

   53 S55

   Zakład Wydawnictw UP RP Nakład 100 egz

   Cena 3000 zł