PL145306B1 - Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation - Google Patents
Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation Download PDFInfo
- Publication number
- PL145306B1 PL145306B1 PL25502785A PL25502785A PL145306B1 PL 145306 B1 PL145306 B1 PL 145306B1 PL 25502785 A PL25502785 A PL 25502785A PL 25502785 A PL25502785 A PL 25502785A PL 145306 B1 PL145306 B1 PL 145306B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- bis
- photosensitive
- bisphenol
- ethoxy
- sensitive
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 31
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- -1 ethylene, isopropylidene, dichloroethylene Chemical group 0.000 claims description 17
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims 1
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N sulfurochloridic acid Chemical compound OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- OWEYKIWAZBBXJK-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloro-2,2-bis(4-hydroxyphenyl)ethylene Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=C(Cl)Cl)C1=CC=C(O)C=C1 OWEYKIWAZBBXJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Chemical group 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 150000001934 cyclohexanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229960003750 ethyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000654 isopropylidene group Chemical group C(C)(C)=* 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000012451 post-reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania ohemo- i termoodpornych poliarylosul- fonianów czulych na promienie ultrafioletowe. Z opisów patentowych Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 3 236 808 i nr 3 236 809 znane sa metody otrzymywania poliarylosulfonianów na drodze polikondensacji bisfenylosulfoohlorków z bisfenolami. Uzyskane tymi metodami po¬ liarylosulf oniany wykazuja wysoka odpornosc termiczna i chemiczna, natomiast ich odpor¬ nosc na dzialania ognia jest niezadowalajaca oraz nie sa czule na dzialanie promieni ul¬ trafioletowych.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze w prooesio polikondensaoJi bisfenylosulfo- ohlorkow z bisfenolarai jako bisfenylosulfochlorki stosuje sie zwiazki o wzorze ogólnym 3, w którym R1 oznacza grupe diohloroetylenowa lub triohloroetanowa oraz X i Y oznaczaja atom wodoru, chlorowca, grupe alkilowa lub alkoksylowa, a jako bisfenole stosuje sie mieszani¬ ne skladajaca sie z bisfenoli swiatloczulych o wzorze ogólnym 1f w którym Z oznaoza ugru¬ powanie swiatloczule zawierajace grupe ketonowa, a X i Y maja wyzej podane znaozenie oraz z bisfenoli nieswlatloozulych o wzorze ogólnym 2, w którym R oznaoza atom tlenu, siarki, grupe karbonylowa, sulfonowa, etylenowa, izopropylidenowa lub triohloroetanowa, a X i Y maja wyzej podane znaczenie* Reakoje polikondensaoJi prowadzi sie na granicy fazy wodnej stanowiacej alkaliczny roztwór bisfenoli i fazy organicznej stanowiacej roztwór bisfeny¬ losulfochlorku w rozpuszczalniku organicznym wobec soli amoniowych i/lub sulfoniowyoh i/lub eterów koronowych i/lub srodków powierzchniowo czynnych Jako katalizatora lub reak¬ cje prowadzi sie w rozpuszczalniku organioznym wobec steohiometryoznyoh ilosci trójalki- loaminy jako katalizatora w stosunku do bisfenylosulfoohlorku. Poliarylosulfoniany o naj¬ korzystniejszych wlasciwosciach, najbardziej czule na promienie ultrafioletowe uzyskuje2 1^5 306 sie stosujac jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis/4-metosy-3-chlorosulfonylofenylo/-1,1-di- chloroetylen, Jako bis-fenol swiatloczuly 2,6-bis/3-etoksyn-hydro-ksybenzylideno/-oyklo- heksanon lub 2,6-bis/3-etoksy-*f-hydroksybenzylidono/-*l-metylocykloheksanon a jako bisfenol nieswiatloczuly 2,2-bis/4-hydroksyfenylo/-1,1-dichloroetylen lub 2,2-bis/4-hydroksyfenylo/- -propan* Sposób wedlug wynalazku pozwala na uzyskanie poliaryloostrów czulych na promienie ult¬ rafioletowe o zadowalajacej przyczepnosci do podlozy metalowych, dobrej swiatloczulosoi oraz zadowalajaoej odpornosoi na hydrolize kwasna* Jednoczesnie, otrzymane tak poliarylo- sulfoniany wykazuja znacznie podwyzszona termoodpornosc oraz znacznie obnizona palnosc w stosunku do poliarylosulfonianów wytwarzanyoh znanymi metodami* Wprawdzie moglo sie wyda¬ wac, ze zastosowanie w sposobie wedlug wynalazku czulych na promienie ultrafioletowe, nie¬ trwalych bisfenoli nie poprowadzi do wytworzenia poliarylosulfonianów o wymaganych wlasci¬ wosciach, gdy tymczasem uzyskano produkty o nieoczekiwanie dobrych wlasnosciach fizykoche¬ micznych, dobrze rozpuszczalne w chlorowanych weglowodorach alifatyoznyoh oraz w cyklohek¬ sanie, a nierozpuszczalne w alkoholach* Otrzymane bowiem sposobem wedlug wynalazku poliarylosulfoniany w wyniku dzialania pro¬ mieniowania ultrafioletowego ulegaja reakcji sieciowania, dzieki czemu staja sie nierozpu¬ szczalne* Poprzez naswietlanie przez odpowiednia maske warstw z takich poliarylosulfonia¬ nów naniesionych na podloze metalowe, a nastepnie prowadzac proces wywolywania w rozpusz¬ czalniku uzyskuje sie odwzorowanie obrazu z maski* Kopie takie bezposrednio lub po podda¬ niu ioh róznorakiej obróbce moga sluzyc jako matryce w technice druku plaskiego - offsecie* Dla uzyskania warstw ozulyoh na promienie ultrafioletowe poliarylosulfonian czuly na promienie ultrafioletowe, otrzymany sposobem wedlug wynalazku rozpuszcza sie w rozpuszczal¬ niku organicznym, korzystnie mieszaninie rozpuszczalników organicznyoh, a nastepnie nanosi na podloze metoda zanurzeniowa, polewania lub wirówkowa* Badania przyczepnosci warstw poliarylosulfoniowyoh do podlozy metalowych takich jak glin i miedz oraz pólprzewodnikowych jak Si + SiOp, przeprowadzone metoda siatki naciec zgodnie z PN-80/C-81531, daly zadowalajaco wyniki* Badania odpornosci poliarylosulfonianów czulych na promienie ultrafioletowe, otrzymanych sposobem wedlug wynalazku, na dzialanie substancji kwasnych zostaly przeprowadzone poprzez zanurzenie folii otrzymywanych metoda wylewania w kwasnych kapielach trawiacych, takich jak wodny roztwór chlorku zelazowego, wo¬ dny roztwór kwasu solnego, wodny roztwór kwasu azotowego, wodny roztwór fluorku amonowego i kwasu fluorowodorowego* We wszystkich przypadkach uzyskano zadowalajace wyniki odpornos¬ ciowe* Badania ozulosoi na promienie ultrafioletowe poliarylosulfonianów otrzymanych spo¬ sobem wedlug wynalazku zostaly przeprowadzone z wykorzystaniem lampy rteciowej wysokocis¬ nieniowej HBO 200 W* Czas ekspozycji warstwy poliarylosulfonianu ozulego na promienie ultra¬ fioletowe zalezy od grubosci warstwy i wynosi od kilku sekund do kilkunastu minut* Badania termoodpornosci poliarylosulfonianów czulyoh na promienie ultrafioletowe, otrzymanych spo¬ sobem wedlug wynalazku, przeprowadzono metoda termograwiraetryozna uzyskujac wartosci po¬ czatkowej ekstrapolowanej temperatury rozkladu 280-3^0 C* Przedmiot wynalazku ilustruja po¬ nizej przedstawione przyklady wykonania* Przyklad I. V reaktorze o pojemnosci 750 cmJ zaopatrzonym w mieszadlo mechani¬ czne umieszcza sie 110 czesci wagowych 0,1-molowego roztworu NaOH, a nastepnie dodaje sie 7,587 ozesoi wagowych 2,2-bis/^-hydroksyfenylo/-1,1-dichloroetylenu oraz 1,182 czesci wago¬ wych 2,6-bis /3-etoksy-4-hydroksybezylideno/-cykloheksanonu• Zawartosc reaktora miesza sie intensywnie, a nastepnie wprowadza do reaktora 1,3 czesci roztworu chlorku trietylobenzy- loamoniowego w 75 czesciach wody* Zawartosc reaktora miesza sie intensywnie przez 15 minut* Nastepnie do reaktora przy intensywnym mieszaniu wprowadza sie w czasie 20 minut 13,662 cze¬ sci 2,2 bis/3-sulfochloro-*l-metoksyfenylo/-1,1-dichloroetylenu w 180 czesoiaoh dichlorome¬ tanu* Calosc miesza sie intensywnie przez 2 godziny, a nastepnie stale mieszajac wprowadza sie 220 czesci dichlorometanu* Nastepnie zawartosc reaktora zakwasza sie 5f» roztworem HC1145 306 3 do pH = 1, Mieszanine poreakcyjna umieszcza sie w rozdzielaczu. Po oddzieleniu warstwy or¬ ganicznej dwukrotnie przemywa sie ja 100 czesciami wody destylowanej, a nastepnie wkrapla przy intensywnym mieszaniu do 3000 czesci wrzacej wody* Wydzielony osad odsacza sie, suszy przez 30 godzin, a nastepnie rozpuszcza w 100 czesciach dichlorometanu, po czym wytraca po¬ przez wprowadzenie do 400 ozesoi metanolu oziebionego do temperatury od -5 do -10°C. Wytra¬ cony osad odsaoza sie, a nastepnie suszy na powietrzu przez 24 godziny* Otrzymany poliarylosulfonian, o barwie jasnozóltej i lepkosci zredukowanej mierzonej w roztworze tetraohloroetanu w 25 C - 0,1, wykazywal dobra rozpuszczalnosc w dichlorometanie, chloroformie i cykloheksanonie* Warstwy naniesione na podloza z miedzi, glinu oraz Si + SiOp, badane wedlug IN-80/C-61531 wykazywaly stopien przyczepnosci do podloza 1* Ekstrapo¬ lewana temperatura rozkladu, oznaczona metoda analizy termograwimetrycznej wynosila 305 - 1o|°c|. Dla warstw o grubosci okolo 1x*m naniesionych na podlozu Si + Si02, po ozasie naswie¬ tlania 25 minut i wywolaniu w mieszaninie tetraohloroetan-ksylen /2:1 objetosciowo/ uzyska* no rozdzielczosc k/cm. Folie z otrzymanego poliarylosulfonianu, zarówno przed jak i po usle¬ ci owaniu, wykazaly odpornosc na okolo 10 minutowe dzialanie wodnych roztworów FeCl_, HC19 HNO oraz H^Fg + NH^F* Przyklad II* W reaktorze o pojemnosci 750 om , zaopatrzonym w mieszadlo mecha¬ niczne umieszcza sie 110 ozesoi wagowych 0,1-molowego roztworu NaOH, a nastepnie dodaje 4,788 ozesoi wagowych 2,2-bis-/4-hydroksyfenylo/ propanu oraz 5*901 ozesoi 2,6-bis /3-eto- ksy-4-hydroksybenzylideno/-oyklohek8anonu* Dalszy przebieg reakoji jest analogiozny jak w przykladzie pierwszym* Otrzymany poliarylosulfnnian o lepkosci zredukowanej 0,2 o barwie jasnozóltej wykazywal dobra rozpuszczalnosc w dichlorometanie, tetraohloroetanie, chloroformie 1 oykloheksanonie* Warstwy naniesione na podloza z miedzi, glinu oraz Si + SiOg wykazywaly stopien przyczep¬ nosci do podloza 1 wedlug RJ-80/C-81531• Ekstrapolewana temperatura rozkladu, oznaozona me¬ toda analizy termograwimetryoznej wynosila 290 £ 10TC| * Dla warstw o grubosci okolo 1 /+m naniesionych na podloza Si + Si02 p0 ozasie naswietlania 15 minut i wywolaniu w mieszani¬ nie tetraohloroetan-ksylen /3:2 objetosciowo/ uzyskano rozdzielczosc okolo 3,0^m* Przyklad XXI* W reaktorze o pojemnosci 750 om , zaopatrzonym w mieszadlo meoha- niozne umieszcza sie 110 ozesoi wagowych 0,1-molowego roztworu NaOH, a nastepnie dodaje sie 3,372 czesci 2,2-bis/4-hydroksyfenylo/-1,1-dichloroetylenu oraz 7,344 ozesoi 2,6-bis-/3- -etoksy-4-hylroksybenzylideno/-4-nietylooykloheksanonu* Dalszy przebieg reakoji jest analo¬ giczny jak w przykladzie pierwszym* Otrzymany poliarylosulfonian o lepkosci zredukowanej 0,11 o barwie zóltozielonej, wyka* zywal dobra rozpuszczalnosc w dichlorometanie tratraohloroetanie, chloroformie i oyklohek¬ sanonie* Warstwy naniesione na podloze z miedzi, glinu oraz Si + Si02 wykazywaly stopien przyczepnosci do podloza 1 wedlug PN-80/C-81531• EkstrapoIowana temperatura rozkladu ozna¬ czona metoda analizy termograwimetryoznej wynosila 300 - 10 C* Dla warstw o grubosci okolo Un naniesionych na podloze Si + SiO^ po czasie naswietlania 15 minut i wywolana w miesza¬ ninie tetrachloroetanksylen /2:1 objetosciowo/ uzyskano rozdzielozosc rzedu 3,0 Atm. Folie poliarylosulfonianowe, zarówno przed jak i po usieciowaniu wykazywaly odpornosc na okolo 15 minutowe dzialanie wodnych roztworów FeCl~, HC1, HN0~ oraz H^F^ + NRYF* Przyklad IV* W reaktorze o pojemnosci 750 om , zaopatrzonym w mieszadlo mecha¬ niczne umieszcza sie 110 ozesoi wagowyoh 0,1 molowego roztworu NaOH, a nastepnie dodaje 0,684 ozesci 2,2-bis-/4-hydroksyfenylo/-propanu oraz 11,018 ozesoi 2,6-bls-/3etoksy-4-hyd- roksybenzylideno/-4-metylocykloheksanonu* Dalszy przebieg reakcji jest analogiozny jak w przykladzie pierwszym* Otrzymany poliarylosulfonian o lepkosci zredu&manej 0,09 o barwie zóltozielonej wykazy¬ wal dobra rozpuszczalnosc w dichlorometanie, tetraohloroetanie, chloroformie 1 oykloheksano¬ nie* Warstwy naniesione na podlozu z miedzi, glinu oraz Si + SiO^ wykazywaly stopien przy¬ czepnosci do podloza 1 wedlug RJ-80/C-81531• EkstrapoIowana temperatura rozkladu oznaczona metoda analizy term©grawimetrycznej o grubosci okolo l^m naniesionyoh na podloza Si + SiOg, %k 145 306 po ozasie naswietlania 15 minut i wywolaniu w mieszaninie tetraohloroetan - ksylen /2:1 ob¬ jetosciowo/ uzyskano rozdzielczosc rzedu 3,0/rm* Folie pollarylosulfonianowe, zarówno przed jak i po usieoiowaniu, wykazywaly odpornosc na okolo 10 minutowe dzialanie wodnych roztwo¬ rów FeCl , HClf HN03 oraz HgFg + NH^F, Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania ohemo- i termoodpornych poliarylosulfonianów czulych na promienie ultrafioletowe, znamienny tym, ze jako bisfenylosulfoohlorki stosuje sie zwia¬ zki o wzorze ogólnym 3, w którym R. oznaoza diohloroetylenowa grupe lub triohloroetanowa oraz X i Y oznaczaja atom wodoru, chlorowcat grupe alkilowa lub alkoksylowa a jako blsfeno- le stosuje sie mieszanine skladajaca sie z bisfenoli swiatloczulych o wzorze ogólnym 1, w którym Z oznacza ugrupowanie swiatloczule zawierajace grupe CO a X i Y maja wyzej podane znaczenie oraz z bisfenoli nieswiatloozulyoh o wzorze ogólnym 2, w którym R oznaoza atom tlenku, siarki, grupe karbonylowa, sulfonowa, etylenowa, izopropylidenowa, diohloroetyle¬ nowa lub triohloroetanowa a X i Y maja wyzej podane znaczenie, przy czym reakcje polikon- densaoji prowadzi sie na granicy fazy wodnej stanowiacej alkaliozny roztwór bisfenoli i fa¬ zy organicznej stanowiacej roztwór bisfenylosulfochlorku w rozpuszczalniku organicznym wo¬ bec soli amoniowyoh i/lub sulfoniowyoh i/lub fosfoniowyoh i/lub eterów koronowych i/lub srodków powierzchniowo czynnych jako katalizatora lub reakcje prowadzi sie w rozpuszczalni¬ ku organicznym wobec steohiometrycznyoh ilosci trialkiloaminy w stosunku do bisfenylosulfo- ohlorku jako katalizatora* 2. Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze jako bisfenol swiatloczuly stosuje sie 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksybenzylideno/-oykloheksanon, jako bisfenol nieswiat- loczuly 2,2-bis/4-hydrosyyfenylo/-1,1-diohloroetylen, a jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis /4-metoksy-3-chlorosulf onylofenylo/-1,1 ..diohloroetylen* 3* Sposób wedlug zastrz* 1, znamienny tym, ze jako bisfenol swiatloczuly stosuje sie 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy-benzylideno/oykloheksanon, jako bisfenol nieswiat- loczuly 2,2-bis/4-hydroksyfenylo/propan, a Jako bisfenylosulfochlorek Z,2-bis/4-raetoksy- -3-chlorosulfonylofenylo/-1,1-dichloroetylen• 4* Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze w reakcji polikondensacji pro* wadzonoJ na granicy faz stosuje sie Jako bisfenol swiatloczuly 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy- -benzylideno/-4-metylooyklohek8anon, jako bisfenol nieswiatloczuly 2,2-bis/4-hydroksyfeny- lo/-1,1-diohloroetylen, a Jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis/4-motoksy-3-ohlorosulfonylo/- -1,1-diohloroe tylen• 5* Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze w reakcji polikondensaoji pro¬ wadzonej na granicy faz stosuje sie Jako bisfenol swiatloczuly 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy- vbenzylideno/-4-metylooykloheksanon, jako bisfenol nieswiatloczuly 2,2-bis/4-hydroksyfeny- lo/propan, a Jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis/4-metoksy-3-chlorosulfonylofenylo/-1,1-di¬ ohloroe ty len* X Y CI02S ~6h WZ0R1 HO^yRYoYoH Ri-\Whso2ci X Y WZÓR 3 WZÓR 2 Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 220 zl PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania ohemo- i termoodpornych poliarylosulfonianów czulych na promienie ultrafioletowe, znamienny tym, ze jako bisfenylosulfoohlorki stosuje sie zwia¬ zki o wzorze ogólnym 3, w którym R. oznaoza diohloroetylenowa grupe lub triohloroetanowa oraz X i Y oznaczaja atom wodoru, chlorowcat grupe alkilowa lub alkoksylowa a jako blsfeno- le stosuje sie mieszanine skladajaca sie z bisfenoli swiatloczulych o wzorze ogólnym 1, w którym Z oznacza ugrupowanie swiatloczule zawierajace grupe CO a X i Y maja wyzej podane znaczenie oraz z bisfenoli nieswiatloozulyoh o wzorze ogólnym 2, w którym R oznaoza atom tlenku, siarki, grupe karbonylowa, sulfonowa, etylenowa, izopropylidenowa, diohloroetyle¬ nowa lub triohloroetanowa a X i Y maja wyzej podane znaczenie, przy czym reakcje polikon- densaoji prowadzi sie na granicy fazy wodnej stanowiacej alkaliozny roztwór bisfenoli i fa¬ zy organicznej stanowiacej roztwór bisfenylosulfochlorku w rozpuszczalniku organicznym wo¬ bec soli amoniowyoh i/lub sulfoniowyoh i/lub fosfoniowyoh i/lub eterów koronowych i/lub srodków powierzchniowo czynnych jako katalizatora lub reakcje prowadzi sie w rozpuszczalni¬ ku organicznym wobec steohiometrycznyoh ilosci trialkiloaminy w stosunku do bisfenylosulfo- ohlorku jako katalizatora*
- 2. Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze jako bisfenol swiatloczuly stosuje sie 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksybenzylideno/-oykloheksanon, jako bisfenol nieswiat- loczuly 2,2-bis/4-hydrosyyfenylo/-1,1-diohloroetylen, a jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis /4-metoksy-3-chlorosulf onylofenylo/-1,1 ..diohloroetylen*
- 3. * Sposób wedlug zastrz* 1, znamienny tym, ze jako bisfenol swiatloczuly stosuje sie 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy-benzylideno/oykloheksanon, jako bisfenol nieswiat- loczuly 2,2-bis/4-hydroksyfenylo/propan, a Jako bisfenylosulfochlorek Z,2-bis/4-raetoksy- -3-chlorosulfonylofenylo/-1,1-dichloroetylen•
- 4. * Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze w reakcji polikondensacji pro* wadzonoJ na granicy faz stosuje sie Jako bisfenol swiatloczuly 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy- -benzylideno/-4-metylooyklohek8anon, jako bisfenol nieswiatloczuly 2,2-bis/4-hydroksyfeny- lo/-1,1-diohloroetylen, a Jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis/4-motoksy-3-ohlorosulfonylo/- -1,1-diohloroe tylen•
- 5. * Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze w reakcji polikondensaoji pro¬ wadzonej na granicy faz stosuje sie Jako bisfenol swiatloczuly 2,6-bis/3-etoksy-4-hydroksy- vbenzylideno/-4-metylooykloheksanon, jako bisfenol nieswiatloczuly 2,2-bis/4-hydroksyfeny- lo/propan, a Jako bisfenylosulfochlorek 2,2-bis/4-metoksy-3-chlorosulfonylofenylo/-1,1-di¬ ohloroe ty len* X Y CI02S ~6h WZ0R1 HO^yRYoYoH Ri-\Whso2ci X Y WZÓR 3 WZÓR 2 Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 220 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL25502785A PL145306B1 (en) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL25502785A PL145306B1 (en) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL255027A1 PL255027A1 (en) | 1987-08-10 |
| PL145306B1 true PL145306B1 (en) | 1988-08-31 |
Family
ID=20028011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL25502785A PL145306B1 (en) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL145306B1 (pl) |
-
1985
- 1985-08-16 PL PL25502785A patent/PL145306B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL255027A1 (en) | 1987-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0122398B1 (en) | Pattern forming material and method for forming pattern therewith | |
| US4880722A (en) | Diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers | |
| DE69215383T2 (de) | Reduktion des metallionengehaltes in novolakharzen | |
| EP0198215B1 (en) | A process for rendering a polymeric material resistant to an oxygen-containing plasma | |
| EP0227487A2 (en) | Positive type radiation-sensitive resin composition | |
| US5360698A (en) | Deep UV lift-off resist process | |
| KR950000236B1 (ko) | 영상 반전 음화작업용 감광성 내식막 | |
| JPH0147008B2 (pl) | ||
| JPH0369101B2 (pl) | ||
| CA1267559A (en) | Light-sensitive composition for the preparation of a positive-acting photoresist | |
| JP2507481B2 (ja) | ポリシラン及び感光性組成物 | |
| US20040048200A1 (en) | Method for forming fine pattern on substrate by using resist pattern, and resist surface treatment agent | |
| EP1380895A1 (en) | Chemically amplified resist material and patterning method using the same | |
| EP0040535B1 (en) | Method of forming a microscopic pattern, and a photoresist | |
| PL145306B1 (en) | Method of obtaining chemically and thermally resisting polyarylsulfonates being sensitive to ultraviolet radiation | |
| US4729941A (en) | Photoresist processing solution with quaternary ammonium hydroxide | |
| US5087547A (en) | Dual-tone photoresist utilizing diazonaphthoquinone resin and carbodiimide stabilizer | |
| KR940001554B1 (ko) | 사진평판의 스트리핑 방법 | |
| US3489564A (en) | Photolytic etching of silicon dioxide | |
| WO1996012214A1 (en) | Low metal ion photoactive compounds and photoresists compositions produced therefrom | |
| EP0070624B1 (en) | Novolak resin and a positive photoresist composition containing the same | |
| KR19990045753A (ko) | 페놀 포름알데히드 축합물의 분별증류 및 이로부터 제조된포토레지스트 조성물 | |
| EP2137140B1 (en) | Novel diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivative useful in photo lithographic sub micron patterning and a process for preparation thereof | |
| PL148106B1 (en) | Method for manufacturing polyarylsulphonates sensitive to ultraviolet light | |
| US3520684A (en) | Photolytic etching of silicon dioxide by acidified organic fluorides |