PL133033B1 - Colour picture tube with perforated corrugated shadow mask - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest kineskop kolorowy z fa¬ lista maska perforowana, w której wzory otworów moga byc rózne.W znanych kineskopach kolorowych z maska perforo¬ wana wiele zbieznych wiazek elektronów jest rzutowanych poprzez maske perforowana na ekran z nalozona wielka liczba krazków luminoforów dla trzech kolorów. Tory wiazek sa takie, ze kazda wiazka elektronów pobudza tylko jeden rodzaj luminoforu dla danego koloru dzieki wlasci¬ wej konstrukcji maski.Znane kineskopy kolorowe maja ekranowe plyty czo¬ lowe o ksztalcie kulistym lub cylindrycznym i odpowied¬ nie kuliste lub cylindryczne maski. W opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 072 876 rnaska fa¬ lista z pofaldowaniami w kierunku poziomym wspólpracu¬ je z plaska plyta czolowa. Otwory falistej maski maja ksztalt szczelin i sa usytuowane w pionowych kolumnach. W celu uzyskania wlasciwego rozmieszczenia pasków lumino¬ forów stanowiacych ekran, poziome odleglosci miedzy kolumnami otworów i/lub szerokosc otworów sa zmie¬ niane w zaleznosci od odleglosci miedzy maska a ekranem.W kineskopie wedlug wynalazku maska ma otwory w zmiennej odleglosci i/lub o zmiennej szerokosci wzrasta¬ jacej wraz z maleniem kata padania wiazki elektronów na maske i malejacej wraz ze zwiekszeniem kata padania wiazki elektronów na maske.Kat padania wiazki elektronów jest funkcja kata odchy¬ lania wiazek elektronów, kata w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierz¬ chni odpowiadajacej plaskiej masce i kata w plaszczyznie 10 15 20 25 30 poziomej miedzy styczna do powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plaszczyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, przy czym powierzchnia plaskiej maski jest powierzchnia do której falista maska skurczyla¬ by sie, jesli amplituda jej pofaldowan zostala zmniejszona do zera.W jednym z wykonan wynalazku maska zawiera otwory w ksztalcie szczelin, usytuowane w kolumnach, które roz¬ ciagaja sie w pierwszym kierunku, a odleglosc miedzy srod¬ kami kolumn otworów jest okreslona równaniem 3q'S COS0H L cos(0H+a—PmH) gdzie: a — odleglosc pozioma miedzy srodkami kolumn otwo¬ rów maski, mierzona wzdluz linii stycznej do falistej maski w jednej z kolumn otworów, q' — odleglosc miedzy maska a ekranem w kierunku toru wiazki elektronów, S — odleglosc miedzy srodkowa wiazka lub srodkowa osia wzdluzna kineskopu a wiazka zewnetrzna w plasz¬ czyznie odchylania, L — odleglosc od srodka odchylania wiazki elektronów do punktu na ekranie, 0h — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plaszczyz¬ na prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, 133 033133 033 — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni odpo¬ wiadajacej plaskiej masce, który jest uzyskiwany z równania: = tg"11- —2IIK -sin 2IIK X X J gdzie: X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski mierzo¬ na w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluznej kineskopu.W innym wykonaniu wynalazku maska zawiera otwory w ksztalcie szczelin, usytuowane w kolumnach, które roz¬ ciagaja sie w pierwszym kierunku, a szerokosc otworu jest okreslona równaniem: COS0H w ^ w ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^~ cos(0h +a—Pmh) gdzie: w' — szerokosc otworu rzutowana przez wiazke elek¬ tronów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, ©H — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh— skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, a — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni odpo¬ wiadajacej plaskiej masce, który jest uzyskiwany z równania: a = tg"1 —2ITK sin 2nxM X X J gdzie: X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami, mierzona w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej wzdluznej osi kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluznej kineskopu.W innym wykonaniu wynalazku maska ma otwory o zmiennej szerokosci, przy czym otwory maja szerokosc wzrastajaca proporcjonalnie do skutecznej grubosci maski przy malejacych katach padania wiazek elektronów.Maska zawiera otwory w ksztalcie szczelin, usytuowa¬ ne w kolumnach, które rozciagaja sie w pierwszym kierun¬ ku, a szerokosc otworów jest okreslona równaniem: w = w'- COS0H +t tg (0H + a—Pmh) cos(0H + a — Pmh) gdzie: w' — szerokosc otworu rzutowana przez wiazke elektro¬ nów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, bedaca funkcja a' i wymaganego przenoszenia wiazki elektronów, 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 0H — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh— skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, t — skuteczna grubosc maski lub wymiar pionowy otworu, a — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni odpo¬ wiadajacej masce, który jest uzyskiwany z rów¬ nania: + [ -2IIK . 2nXMl gdzie: X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski mierzona w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluznej kineskopu.Zaleta wynalazku jest zapewnienie kineskopu koloro¬ wego z falista maska perforowana o wlasciwych pozio¬ mych odleglosciach miedzy kolumnami otworów i/lub sze¬ rokosciach otworów, dzieki którym uzyskuje sie wiazki elektronów wzgledem powierzchni maski i utrzymuje sie pozadana jaskrawosc przy pobudzeniu do swiecenia ekranu.W kineskopie kolorowym wedlug wynalazku zmiany sze¬ rokosci otworów i/lub zmiany odleglosci miedzy otwora¬ mi sa zalezne równiez od kata padania wiazki elektronów wzgledem maski a takze w dodatkowym ulepszeniu sze¬ rokosc otworu jest zalezna od skutecznej grubosci maski lub wymiaru pionowego otworu.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia ki¬ neskop kolorowy z plaska plyta czolowa i falista maska w widoku z góry z czesciowym przekrojem, fig. 2 — zespól maska — plyta czolowa kineskopu z fig. 1 w rzucie perspek¬ tywicznym, fig. 3 — szkic przedstawiajacy efekt jednorod¬ nego rozmieszczenia otworów w falistej masce, fig. 4 — szkic przedstawiajacy ulepszenie uzyskiwane przez zmiane odleglosci miedzy otworami, fig. 5 — szkic przedstawiajacy zaleznosci geometryczne wystepujace w falistej masce, fig. 6 — wykres wspólczynnika korekcji odleglosci miedzy otwo¬ rami w dwóch róznych obszarach falistej maski, fig. 7 — wykres przedstawiajacy ksztalt maski i rozmieszczenie otworów w malej czesci falistej maski, fig. 8 — szkic przed¬ stawiajacy przejscie wiazki elektronów przez falista maske majaca otwory o jednakowych wymiarach, fig. 9 — szkic przedstawiajacy przejscie wiazki elektronów przez falista maske majaca otwory o zmiennej szerokosci, fig. 10 — szkic przedstawiajacy przejscie wiazki elektronów przez cienka maske, fig. 11 — szkic przedstawiajacy przejscie wiazki elektronów przez grubsza maske majaca otwory o takiej samej szerokosci jak otwory w masce z fig. 10, fig. 12 — szkic przedstawiajacy przejscie wiazki elektronów przez maske o tej samej grubosci jak maska z fig. 11, lecz majacej wieksze otwory.Fig. 1 przedstawia kineskop kolorowy 20 z maska per¬ forowana zawierajacy prózniowy szklany balon 22 skla¬ dajacy sie z prostokatnej, plaskiej plyty czolowej 24, czesciE33'083 5 -stozkowej 2(M'szyjki'2»? Trójkolorowyluininofónmy ekran 30 jest naniesiony' na, wewnetrzna powierzchnie 32 plyty czolowej 24: Zespól1 wyrzutni elektronowych 34" umiesz¬ czony w- szyjee.28 zawiera ttty wyrzutnie elektronowe (nie pokazane); po jednej ctiar kaniego z trzech- kolorów lumi¬ noforów na ekranie 30; Falista perforowana maska 3£ jest umieszczona w ba¬ lonie 22 w poblizu ekranu 30. Zespól wyrzutni elektro¬ nowych 34:jest przystosowany do kierowania trzech wiazek elektronów przez maske 36 do ekranu 30; przy czym maska 3# sluzy jako* elektroda selekcji kolorów. Magnetyczny wespól odchylajacy 38 jest umieszczony na balonie 221w po¬ blizu miejsca, gdzie czesc stozkowa 26 przechodzi w szyjke 28. Zespól odchylajacy 38 powoduje, ze wiazki elektronów wybieraja prostokatna osnowe obszaru telewizyjnego na ekranie 30.Na fig. 2 perforowana maska 36 jest sinusoidalnie po¬ faldowana wzdluz osi poziomej czyli glównej (w kierunku ^wiekszego wymiaru maski), przy czym pofaldowania roz¬ ciagajac sie w kierunku mniejszej osi maski (miedzy dluz¬ szymi bokami maski czyli w kierunku krótszego wymiaru maski). Nalezy rozumiec, ze termin falista jest tu szero¬ ko okreslony i odnosi sie do róznych ksztaltów, wlaczajac przebiegi piloksztaltne jak równiez przebiegi sinusoidalne.Chociaz maska 36 jest pokazana bez krzywizny wzdluz jej osi glównej i mniejszej, nalezy rozumiec, ze maska ma¬ jaca takie same lub rózne krzywizny wzdluz tych osi jest równiez objeta zakresem wynalazku. Podobnie chociaz plyta czolowa jest pokazana jako plaska, moze ona byc zakrzywiona wzdluz osi zarówno glównej jak i mniejszej.Maska 36 zawiera wiele otworów w ksztalcie szczelin usytuowanych w pionowych kolumnach. W celu utrzyma- iria wlasciwego wzoru pasków luminoforów na ekranie, to jest w celu utrzymywania wymaganego poziomu jaskra¬ wosci oraz wymaganej odleglosci i rozmieszczenia pasków luminoforów, szerokosc otworów i odleglosc miedzy ko¬ lumnami otworów sa zwykle zmienne w zaleznosci od odleglosci miedzy maska 36 a ekranem 30. Dla uprosz¬ czonego przypadku ekranu umieszczonego na plaskiej plycie czolowej i plaskiej niefalistej maski, odlegjosc miedzy otworami zmienia sie zgodnie z nastepujacym równaniem: , 3q'S a=— .gdzie: a* — odleglosc pozioma miedzy kolumnami otworów toru wiazki elektronów, L — odleglosc, wzdluz toru wiazki elektronów od srod¬ ka odchylania wiazki etektrofltfW do ekranu, S — odleglosc miedzy srodkowa: i zewnetrzna wiazka elektronów w plaszczyznie' odchylania.Na fig. 3 w celu przedstawienia jednego problemu roz¬ wiazanego przez wynalazek pokazana jest czesc falistej, perforowanej maski 50 z otworami' rozmieszczonymi w równych odleglosciach mierzonych • wzdluz falistej powierz* ^fcni maski. Dla uproszczenia zmiana odleglosci poziomej miedzy kolumnami otworów, która jest1 zalezna- od odleg¬ losci miedzy maska a ekranem, jest tu pominieta tak, ze ^wplyw skosnosci moze byc latwiej zauwazony.Na masce 5* zaznaczono srodki otworów 52 a- linie bieszace przez otwory reprezentuja wiazki elektronów 3*, które przechodza przez srodki otworów 52. Chociaz ^wiazki elektronów 54 sa pokazane jako emitowane z usta* lonego w przestrzeni zródla punktowego 5tf lecz jest to 6 tylko uproszczenie. Z rysunku mozna zauwazyc; ze wiazki dektronów Wtworza z perforowana maska 50'katy, które zalez- zarówno otf falistosci maski' jak* i kata odchylenia.Poniewaz przedstawiona odleglosc' miedzy kolumnami 5 otworów jest stala, odleglosc1 miedzy wiazkami elektronów 51* przechodzacymi przez otwory 52- w czesci maski 50 z wiekszym katem miedzy wiazka elektronów a powierzchnia prostopadla do maski sa stosunkowo sciesnione na ekranie 58 w porównaniu do odleglosci miedzy wiazkami elektro- 10 nów 53 przechodzacymi przez maske 50 w obszarach, gdzie kat miedzy wiazka elektronów a powierzchnia pro¬ stopadla do maski jest maly. W zwiazku z tym jednolicie rozmieszczone otwory, w masce 50 powoduja; niejednolite rozmieszczenie pasków luminoforów na ekranie 58. 15 Na fig, 4 jest przedstawiony zmodyfikowany wzór otwo¬ rów dla uzyskania wymaganego rozkladu pasków lumino¬ forów na ekranie 66. Jest pokazana falista maska 60, w której polozenia otworów 62' sa; okreslone w funkcji: kata padania wiazki elektronów na: maske, 26 W przypadku powierzchni 68 plaskiej maski gdyby am¬ plituda pofaldowan zmniejszyla sie do zera, róznice od¬ leglosci miedzy otworami bylyby mniejsze niz w przypadku falistej maski 60; Odleglosci otworów moga byc przedsta¬ wione w funkcji kata odchylania wiazek elektronów 64 25 i kata miedzy styczna do powierzchni falistej maski 60 i powierzchni 68 plaskiej maski.Na fig. 5 przedstawiono zaleznosc odleglosci, a miedzy kolumnami otworów od skladowej poziomej kata odchy¬ lania ©h i innych parametrów ukladu. Na tej figurze przed- 30 stawiajacej poziomy przekrój wzdluz glównej osi falista perforowana maska 60 jest umieszczona w poblizu ekra¬ nu 70. Ekran 70 jest utworzony z elementów luminoforów kolorów: czerwonego R, zielonego Gi niebieskiego B. Ozna¬ czenia na rysunku sa nastepujace: 35 D — odleglosc wzdluz stycznej do ekranu miedzy srodkami dwóch elementów luminoforów emitu¬ jacych ten sam kolor, CP — powierzchnia odpowiadajaca plaskiej masce uzys¬ kanej, gdy amplituda pofaldowan zmniejszy sie 40 do zera* L — odleglosc od srodka odchylania wiazki elektro¬ nów do punktu na ekranie, q' — odleglosc miedzy maska- a ekranem w kierunku tonrwiazki elektronów, 45 a* — odleglosc" pozioma miedzy srodkami kolumn otworów, rzutowana przez wiazke elektronów nar plaszczyne/ prostopadla co srodkowej osi wzdluznej kineskopu, & —* odleglosc* miedzy srodkowa wiazka lub srodkowa 50 osia; wzdluzna kineskopu a wiazka zewnetrzna W plaszczyznie odchylania, @H — skladowa kata odchylania^ wiazki elektronów w' plaszczyznie' poziomej, et — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi 3* da powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, a — odleglosc pozioma miedzy srodkami kolumn otwo¬ rów maski mierzona wzdluz linii stycznej do fa¬ listej maski w jednej z kolumn otworów, <# b — odleglosc pozioma miedzy wiazkami elektronów przechodzacymi przez sasiednie kolumny otwo¬ rów, mierzona prostopadle do jednej z wiazek elektronów, Pph — skladowa pozioma kata miedzy styczna do ele- 65 mentu powierzchni ekranu i plaszczyzna prosto-133 033 7 padla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu (dla uproszczenia skladowa ta jest pominieta w nastepujacej dyskusji, lecz musi byc rozwazana dla zakrzywionych ekranów), Pmh — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu.Odleglosc a jest uzyskiwana jak nastepuje: 3q'S a' — 3q'S b = a'cos0H= cos0h = a cos(0h + a— Pmh) a'cos0H 3q'S cos0h a= = • cos(0H + a—Phm) L cos(0h + a— Pmh) Zmiennosc falistej maski wzgledem powierzchni odpo" wiadajacej plaskiej masce jest okreslona przez: 2nxM Kcos X ? i . * A 2IIK • 2nx^l tak, ze a = tg-11 — sin —-— gdzie: y — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski, mie¬ rzona w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej wzdluznej ki¬ neskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu.Wymiar dlugosci fali miedzy wierzcholkami falistej maski powinien byc co najmniej dwa razy wiekszy od odleg¬ losci miedzy sasiednimi kolumnami otworów.W podanym wyzej wyrazeniu na odleglosc a, skladnik COS0H jest wspólczynnikiem korekcji skos- cos(0H + a—Pmh) nosci dla okreslonego przypadku powierzchni CP majacej stycznosc z plaszczyzna pozioma.Na fig. 6 jest przedstawiony wykres wspólczynnika ko¬ rekcji w funkcji kata 0h odchylania poziomego dla pun¬ któw wygiecia maski, która ma kat amax=±19°. Linia I wskazuje korekcje konieczna w punktach wygiecia z mini¬ malna skosnoscia (pokazanych na dodatkowym wykresie), a druga linia O wskazuje korekcje konieczna dla punktów wygiecia z maksymalna skosnoscia (takze pokazanych na dodatkowym wykresie). Gdy kat odchylania wzrasta, war¬ tosci linii I zmniejszaja sie wzgledem poczatkowej wartos¬ ci, poniewaz wiazka elektronów staje sie bardziej prosto¬ padla do maski, podczas gdy wartosci linii O wzrastaja, poniewaz kat pomiedzy wiazka elektronów a maska wzra¬ sta wraz ze wzrostem kata odchylania.Fig. 7 przedstawia zakres powierzchni maski 71 i krzy¬ wa 72 odleglosci jej otworów. Krzywa 72 obejmuje zarów¬ no zmiane, która jest zwiazana z odlegloscia maski od ekranu jak równiez korekcje skosnosci. Poniewaz krzy¬ wa 72 odleglosci otworów obejmuje obszar maski, gdzie odchylanie wiazki elektronów jest mniejsze niz 10°, jest ona tylko nieznacznie skosna wzgledem wierzcholka fa¬ listej maski. Gdy kat odchylania wzrasta, skosnosc krzy¬ wej 72 takze wzrasta. 8 W uzupelnieniu do wymaganej korekcji skosnosci odleg¬ losci otworów w falistej masce perforowanej, korekcja skosnosci jest wymagana takze co do szerokosci otworów,, aby utrzymac wymagane przechodzenie wiazki elektronów* 5 Fig. 8 przedstawia czesc uproszczonej falistej maski 74 majacej dwa otwory 76 i 78. Nalezy rozumiec, ze gestosc otworów w falistej masce jest znacznie wieksza i te dwa otwory sa pokazane tylko dla ilustracji. Oba otwory 76 i 78 maja identyczna szerokosc mierzona stycznie do po¬ wierzchni maski 74. Przez kazdy z otworów 76 i 78 prze¬ chodza czesci wiazek elektronów 80 i 82. Szerokosc A wiazki elektronów przechodzacej przez otwór 76 jest znacz¬ nie wieksza niz szerokosc B wiazki elektronów przecho¬ dzacej przez otwór 78.W zwiazku z tym dla zapewnienia pozadanego pobu¬ dzenia ekranu, wymiar otworów musi byc zmodyfikowa¬ ny w sposób podobny do tego, za pomoca którego byla zmodyfikowana odleglosc a.Na fig. 9 jest przedstawiona maska 84 z korekcja wymia¬ rów otworów dla skosnosci. Otwór 86 ma te sama szero¬ kosc co otwór 76 maski 74 z fig. 8 i przepuszcza wiazke elektronów 88 o takiej samej szerokosci A, która to wiazka dochodzi do maski 84 pod tym samym katem, jak w przy¬ kladzie z fig. 8. Otwór 90 jest natomiast poszerzony do wymiaru takiego, ze przepuszcza takze czesc wiazki elektro¬ nów 92 o szerokosci A. Korekcja szerokosci otworu 90 zalezna jest od kata, jaki wiazka elektronów tworzy z maska w miejscu okreslonego otworu.Kat ten jest funkcja kata miedzy ta czescia falistej maski a powierzchnia odpowiadajaca plaskiej masce, nachylenia tej powierzchni i kata odchylania wiazki elektronów. W zwiazku z tym korekcja skosnosci dla szerokosci otworu jest bardzo podobna do korekcji skosnosci wymaganej rozstawieniu otworów i moze byc okreslona nastepujacym równaniem: cos(0H + a—Pmh) gdzie: w* jest szerokoscia otworu rzutowanego przez wia¬ zke elektronów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu i jest funkcja a* i wymaganego przechodzenia wiazki elektronów.Dla powierzchni CP majacej stycznosc z plaszczyzna pozioma, która jest linia prosta, wzór ten upraszcza sie; do nastepujacego: COS0H w =w' cos(0h + a) Wystepuje tez inny problem zwiazany ze skosnoscia, który moze byc skorygowany przez zmiane szerokosci otworu rzutowanego przez wiazke elektronów na plasz¬ czyzne prostopadla do srodkowej wzdluznej otworu. Pro¬ blem ten odnosi sie do grubosci materialu maski lub wy¬ miaru pionowego otworu. Wówczas gdy wiazka elektro¬ nów zbliza sie do maski prostopadle, grubosc maski nie stanowi problemu, natomiast gdy wiazka elektronów zbli¬ za sie pod dowolnym katem innym niz prostopadly, gru¬ bosc maski musi byc rozwazana.Fig. 10 przedstawia wiazke elektronów 94 dochodzaca do maski 96 pod malym katem. Powoduje to, ze szerokosc C wiazki po przejsciu przez otwór 98 maski 96 jest nieca mniejsza niz szerokosc otworu 98 ze wzgledu na skosnosc.Na fig. 11 jest przedstawiona grubsza maska 100 majaca otwór 102 takiej samej szerokosci. Ze wzgledu na zwiek¬ szona grubosc, szerokosc D wiazki elektronów 104 prze- 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60133 033 9 ^chodzacej przez otwór 102 pod tym samym katem pada¬ nia, jest zmniejszona.Jak pokazano na fig. 12, szerokosc otworu 106 maski 108 moze byc powiekszona dla umozliwienia takiego sa¬ mego przechodzenia wiazki elektronów 110. Dla danej jednolitej grubosci maski, ta korekcja skutecznej grubosci maski lub wymiaru pionowego otworu jest znowu funkcja padania wiazki elektronów wzgledem okreslonej czesci maski. Taki kat padania jest funkcja kata miedzy ta czescia falistej maski a powierzchnia odpowiadajaca plaskiej masce, nachylenia tej powierzchni i kata odchylania wiazki elek¬ tronów.Równanie dla szerokosci otworu, zawierajace korekcje skosnosci i grubosci maski lub wymiaru pionowego jest nastepujace: COS0H w = w' ———¦ +t tg (Oh + a — Pmh) cos(0H + a — Pmh) gdzie: t jest skuteczna gruboscia maski lub wymiarem pionowym otworu.Dla powierzchni CP majacej stycznosc z plaszczyzna pozioma, równanie to upraszcza sie do nastepujacego: COS0H 10 S — odleglosc miedzy srodkowa wiazka lub srodkowa osia wzdluzna kineskopu a wiazka zewnetrzna w plaszczyznie odchylania, L — odleglosc od srodka odchylania wiazki elektro- 5 nów do punktu na ekranie, ©h — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz- 10 czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, a — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, który jest uzyski- 15 wany z równania: w = w' - cos(0H + a) +ttg(0 + a) Zastrzezenia patentowe 1. Kineskop kolorowy z falista maska perforowana, majacy plyte czolowa, ekran luminoforowy na plycie czo¬ lowej, falista maske perforowana w poblizu ekranu, zespól wyrzutni elektronowych dla rzutowania wiazek elektro¬ nów na ekran, przy czym pofaldowania maski sa równo¬ legle i leza w pierwszym kierunku a przebieg pofaldowan lezy w drugim kierunku oraz maska ma otwory w zmien¬ nej odleglosci i/lub o zmiennej szerokosci w drugim kierun¬ ku jako funkcje odleglosci miedzy maska a ekranem, zna¬ mienny tym, ze maska (60, 71, 84) ma otwory w zmiennej odleglosci (a) i lub o zmiennej szerokosci (w) wzrastajacej wraz z maleniem kata padania wiazki elektronów na mas¬ ke i malejacej wraz ze zwiekszeniem kata padania wiazki elektronów na maske. 2. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze kat padania wiazki elektronów jest funkcja kata odchylania (0h) wiazek elektronów (64, 88, 92), kata (a) w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni (68, CP) odpowiadajacej plaskiej masce i kata (Pmh) w plaszczyznie poziomej miedzy styczna do powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plaszczyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, przy czym powierzchnia plaskiej maski jest powierzchnia, do której falista maska skurczylaby sie, jesli amplituda jej pofaldowan zostalaby zmniejszona do zera. 3. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska (60, 71) zawiera otwory (62) w ksztalcie szczelin, usytuowa¬ ne w kolumnach, które rozciagaja sie w pierwszym kie¬ runku, a odleglosc miedzy srodkami kolumn otworów jest okreslona równaniem: 3q'S COS0H cos(0H + a—Pmh) — odleglosc pozioma miedzy srodkami kolumn otworów maski mierzona wzdluz linii stycznej do falistej maski w jednej z kolumn otworów, — odleglosc miedzy maska a ekranem w kierunku toru wiazki elektronów. 35 45 55 60 a=tg* -2IIK -sin 2IIK X X J gdzie: 20 X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski mie¬ rzona w kierunku Xm» 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiada¬ jacej plaskiej masce, 25 Xm — odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu. 4. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska 30 (84) zawiera otwory (86, 90) w ksztalcie szczelin, usytuowa¬ ne w kolumnach, które rozciagaja sie w pierwszym kierun¬ ku, a szerokosc otworu jest okreslona równaniem: 50 COS0H cos(0H + a — Pmh) gdzie: w' — szerokosc otworu rzutowana przez wiazke elektro¬ nów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, 40 @H — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, a — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, która jest uzyski¬ wana z równania: a=tg"1 - —2IIK -sin 2nxM] X \ gdzie: X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami, mierzona w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej wzdluznej osi kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu. 5. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska (108) ma otwory o zmiennej szerokosci, przy czym otwory 65 (106) maja szerokosc wzrastajaca proporcjonalnie do sku-mma n tecznej grubosci maski przy malejacych katach padanie wiazek elektronów. 6. Kineskop wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ie maska zawiera otwory w ksztalcie szczelin usytuowane w kolum¬ nach, które rozciagaja sie w.pierwszym kierunku, a szero¬ kosc otworów jest okreslona .równaniem: cos0h +ttg(0H + a-PHM) w = w' ex»(©H + a — Pmh) gdzie: — szerokosc otworu rzutowana rprzez wiazke elek¬ tronów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, bedaca funkcja a' .i wymaganego .przenoszenia wiazki elektronów, 0H —skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, 0MH — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu t — a — 12 skuteczna .grubosc maski lub wymiar pionowjr otworu, kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, który jest uzyski¬ wany z a=tg*1 U —2ITK X -sin 2IIXm 10 15 .gdzie: •X — 2K — Xm — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski, mie¬ rzona w kierunku Xm, zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski, mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej; plaskiej masce, odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu.Fig. 2.133 033 5K 53, 53-trfyj 880 881133 033 ° lVa-£MH) 3g'S L Fig. 5. 3 q'S H L (9u+a-f3uJ'9 '6/J ne .Sfr oOt .ot .02 i .01 1_ .0 I9 rr r9 r6 -n ¦2! -n -t'i hS'1 HI cso sex123 033 h7 L.6 n 1 1 r n r i 1 1 1 1 1 r J 2 .3 .4 .5 .6 .7 .8 .9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 XM Fig. 7,IZ 001 151130 •zSa OS+Sff *u '9T/S8/00H/TE2, z 'S P-Z QQT 01H ! I 801 901^ i •// £.U Ol blJ |M ^A 96- 86 —|0 6'6U 8 6.'J 8CA ££l PL PL PL

Claims (7)

1.Zastrzezenia patentowe 1. Kineskop kolorowy z falista maska perforowana, majacy plyte czolowa, ekran luminoforowy na plycie czo¬ lowej, falista maske perforowana w poblizu ekranu, zespól wyrzutni elektronowych dla rzutowania wiazek elektro¬ nów na ekran, przy czym pofaldowania maski sa równo¬ legle i leza w pierwszym kierunku a przebieg pofaldowan lezy w drugim kierunku oraz maska ma otwory w zmien¬ nej odleglosci i/lub o zmiennej szerokosci w drugim kierun¬ ku jako funkcje odleglosci miedzy maska a ekranem, zna¬ mienny tym, ze maska (60, 71, 84) ma otwory w zmiennej odleglosci (a) i lub o zmiennej szerokosci (w) wzrastajacej wraz z maleniem kata padania wiazki elektronów na mas¬ ke i malejacej wraz ze zwiekszeniem kata padania wiazki elektronów na maske.

2. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze kat padania wiazki elektronów jest funkcja kata odchylania (0h) wiazek elektronów (64, 88, 92), kata (a) w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni (68, CP) odpowiadajacej plaskiej masce i kata (Pmh) w plaszczyznie poziomej miedzy styczna do powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plaszczyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, przy czym powierzchnia plaskiej maski jest powierzchnia, do której falista maska skurczylaby sie, jesli amplituda jej pofaldowan zostalaby zmniejszona do zera.

3. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska (60, 71) zawiera otwory (62) w ksztalcie szczelin, usytuowa¬ ne w kolumnach, które rozciagaja sie w pierwszym kie¬ runku, a odleglosc miedzy srodkami kolumn otworów jest okreslona równaniem: 3q'S COS0H cos(0H + a—Pmh) — odleglosc pozioma miedzy srodkami kolumn otworów maski mierzona wzdluz linii stycznej do falistej maski w jednej z kolumn otworów, — odleglosc miedzy maska a ekranem w kierunku toru wiazki elektronów. 35 45 55 60 a=tg* -2IIK -sin 2IIK X X J gdzie: 20 X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski mie¬ rzona w kierunku Xm» 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiada¬ jacej plaskiej masce, 25 Xm — odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu.

4. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska 30 (84) zawiera otwory (86, 90) w ksztalcie szczelin, usytuowa¬ ne w kolumnach, które rozciagaja sie w pierwszym kierun¬ ku, a szerokosc otworu jest okreslona równaniem: 50 COS0H cos(0H + a — Pmh) gdzie: w' — szerokosc otworu rzutowana przez wiazke elektro¬ nów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, 40 @H — skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, Pmh — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu, a — kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, która jest uzyski¬ wana z równania: a=tg"1 - —2IIK -sin 2nxM] X \ gdzie: X — dlugosc fali miedzy wierzcholkami, mierzona w kierunku Xm, 2K — zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, Xm — odleglosc pozioma od srodkowej wzdluznej osi kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu.

5. Kineskop wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze maska (108) ma otwory o zmiennej szerokosci, przy czym otwory 65 (106) maja szerokosc wzrastajaca proporcjonalnie do sku-mma n tecznej grubosci maski przy malejacych katach padanie wiazek elektronów.

6. Kineskop wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ie maska zawiera otwory w ksztalcie szczelin usytuowane w kolum¬ nach, które rozciagaja sie w.pierwszym kierunku, a szero¬ kosc otworów jest okreslona .równaniem: cos0h +ttg(0H + a-PHM) w = w' ex»(©H + a — Pmh) gdzie: — szerokosc otworu rzutowana rprzez wiazke elek¬ tronów na plaszczyzne prostopadla do srodkowej osi kineskopu, bedaca funkcja a' .i wymaganego .przenoszenia wiazki elektronów, 0H —skladowa kata odchylania wiazki elektronów w plaszczyznie poziomej, 0MH — skladowa pozioma kata miedzy styczna do po¬ wierzchni odpowiadajacej plaskiej masce, a plasz¬ czyzna prostopadla do srodkowej osi wzdluznej kineskopu t — a — 12 skuteczna .grubosc maski lub wymiar pionowjr otworu, kat w plaszczyznie poziomej miedzy stycznymi do powierzchni falistej maski i powierzchni od¬ powiadajacej plaskiej masce, który jest uzyski¬ wany z a=tg*1 U —2ITK X -sin 2IIXm 10 15 .gdzie: •X — 2K — Xm — dlugosc fali miedzy wierzcholkami maski, mie¬ rzona w kierunku Xm, zmiana amplitudy miedzy wierzcholkami maski, mierzona wzgledem powierzchni odpowiadajacej; plaskiej masce, odleglosc pozioma od srodkowej osi wzdluznej kineskopu do punktu na masce, mierzona w plasz¬ czyznie prostopadlej do srodkowej osi wzdluz¬ nej kineskopu. Fig. 2.133 033 5K 53, 53-trfyj 880 881133 033 ° lVa-£MH) 3g'S L Fig. 5. 3 q'S H L (9u+a-f3uJ'9 '6/J ne .Sfr oOt .ot .02 i .01 1_ .0 I9 rr r9 r6 -n ¦2! -n -t'i hS'1 HI cso sex123 033 h7 L.6 n 1 1 r n r i 1 1 1 1 1 r J5.6 .7 .8 .9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7.XM Fig.

7,IZ 001 151130 •zSa OS+Sff *u '9T/S8/00H/TE2, z 'S P-Z QQT 01H ! I 801 901^ i •// £.U Ol blJ |M ^A 96- 86 —|0 6'6U 86.'J 8CA ££l PL PL PL