PL125645B2 - Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber - Google Patents
Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber Download PDFInfo
- Publication number
- PL125645B2 PL125645B2 PL22879080A PL22879080A PL125645B2 PL 125645 B2 PL125645 B2 PL 125645B2 PL 22879080 A PL22879080 A PL 22879080A PL 22879080 A PL22879080 A PL 22879080A PL 125645 B2 PL125645 B2 PL 125645B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transparency
- glass substrate
- semiconductor material
- vacuum chamber
- deposition
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wzglednego pomiaru przezroczystosci cienkiej warstwy materialu pólprzewodnikowego podczas naparowywania jej na podloze szklane w komorze pró¬ zniowej, stosowany zwlaszcza w procesie wytwarzania warstwy swiatloczulej lamp analizujacych typu widikon.Znane sa sposoby pomiaru przezroczystosci warstwy materialu pólprzewodnikowego naparo¬ wywanej na podloze szklane w komorze prózniowej, które polegaja na przepuszczaniu przez mierzona warstwe swiatla, padajacego nastepnie na element fotoelektryczny polaczony poprzez wzmacniacz z miernikiem pradu elektrycznego i odczytywaniu wzglednych zmian wielkosci pradu fotoelektrycznego w trakcie procesu naparowywania. Ustawianie wskazan miernika na 100% przezroczystosci dla podloza niepokrytego przeprowadza sie metoda korekty natezenia swiatla, którego zródlem jest zwykle zarnik wolframowy.Sposób ten posiada wade wprowadzajaca róznice w pomiarach dla kolejnych procesów naparowywania, gdyz korekta natezenia swiatla wiaze sie ze zmiana temperatury zarnika, od której to uzalezniony jest rozklad widmowy emitowanego przez zarnik promieniowania swietlnego.Zgodnie z istota wynalazku, przed seria pomiarów, miernik pradu fotoelektrycznego wyce- chowuje sie w taki sposób, aby 100% przezroczystosci wskazywal dla niepokrytego podloza szklanego, a 40% dla podloza z naparowana prózniowo warstwa spektralnie czystego selenu o grubosci 80 nm. Przy pomiarze przezroczystosci kolejnych podlozy szklanych przed rozpoczeciem procesu naparowywania ustawia sie kazdorazowo wskazania miernika na 100% za pomoca regula¬ cji czulosci wzmacniacza. Natezenie swiatla w trakcie wszystkich czynnosci pomiarowych pozo¬ staje niezmienione, w zwiazku z czym rozklad widmowy promieniowania swietlnego równiez nie ulega zmianie. Taki sposób pomiaru pozwala na uzyskiwanie powtarzalnych i porównywalnych wyników dla róznych serii produkcyjnych. Wyniki te dodatkowo moga byc wykorzystywane do2 125 645 oceny grubosci rzeczywistej naparowywanych warstw, gdyz przy stalym rozkladzie widmowym zródla swiatla mozna wykonac wykres wzorcowy przezroczystosci w funkcji grubosci mierzonej warstwy.Wynalazek zostanie blizej objasniony na podstawie przykladowego schematu ukladu pomia¬ rowego przedstawionego na rysunku.Swiatlo z zarówki 2, zasilanej napieciem stalym stabilizowanym z zasilacza 1, przechodzi przez podloze szklane 4 w ksztalcie plaskiego krazka umieszczonego w gniezdzie obrotnicy urzadzenia prózniowego i pada na fotorezystor 5.Prad wzbudzony w fotorezystorze 5 jest wzmacniany przez wzmacniacz 6 o regulowanym wzmocnieniu. Dla podloza szklanego 4 bez naparowanej warstwy materialu pólprzewodnikowego ustala sie wzmocnienie wzmacniacza 6 tak, aby miernik pradu 7 wskazywal 100% przezroczystosci.Nastepnie w miejsce podloza niepokrytego wstawia sie takie samo podloze szklane 4 z naparowana prózniowo cienka warstwa 3 selenu o grubosci 80 nm i przy niezmienionym wzmocnieniu wzmac¬ niacza 6 wycechowuje sie miernik pradu 7 w taki sposób, aby wskazywal 40% przezroczystosci. Po takim wycechowaniu wskazan miernika 7 wykonuje sie pomiary przezroczystosci cienkich warstw materialu pólprzewodnikowego Sb2S3. Kazdorazowo, bezposrednio przed naparowaniem Sb2S3, wplyw kolejnego egzemplarza podloza szklanego 4 na pomiar eliminuje sie ustawiajac wskazania miernika 7 na 100% poprzez zmiane wzmocnienia wzmacniacza 6. W trakcie naparowywania Sb2S» na podloze szklane 4 miernik 7 zmienia swoje wskazania w miare wzrostu grubosci cienkiej warstwy 3 dajac wynik wzglednego pomiaru przezroczystosci tej warstwy.Z uprzednio wykonanego wzor¬ cowego przebiegu wskazan przezroczystosci w funkcji grubosci warstwy mozna równiez odczytac grubosc naparowanej warstwy materialu pólprzewodnikowego.Zastrzezenie patentowe Sposób wzglednego pomiaru przezroczystosci cienkiej warstwy materialu pólprzewodniko¬ wego podczas naparowywania jej na podloze szklane w komorze prózniowej, polegajacy na przepuszczaniu przez mierzona warstwe swiatla padajacego nastepnie na element fotoelektryczny polaczony poprzez wzmacniacz z miernikiem pradu elektrycznego i odczytywaniu wzglednych zmian wielkosci pradu fotoelektrycznego w trakcie procesu naparowywania, znamienny tym, ze przed seria pomiarów miernik pradu elektrycznego wycechowuje sie w taki sposób, aby 100% przezroczystosci wskazywal dla niepokrytego podloza szklanego, a 40% dla podloza z naparowana prózniowo warstwa spektralnie czystego selenu o grubosci 80 nm, a przy kazdym pomiarze przed rozpoczeciem procesu naparowywania na kolejne podloze szklane, ustawia sie wskazania miernika na 100% przezroczystosci za pomoca regulacji czulosci wzmacniacza, przy czym w trakcie wszyst¬ kich czynnosci pomiarowych natezenie swiatla pozostaje niezmienione.125645 PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wzglednego pomiaru przezroczystosci cienkiej warstwy materialu pólprzewodniko¬ wego podczas naparowywania jej na podloze szklane w komorze prózniowej, polegajacy na przepuszczaniu przez mierzona warstwe swiatla padajacego nastepnie na element fotoelektryczny polaczony poprzez wzmacniacz z miernikiem pradu elektrycznego i odczytywaniu wzglednych zmian wielkosci pradu fotoelektrycznego w trakcie procesu naparowywania, znamienny tym, ze przed seria pomiarów miernik pradu elektrycznego wycechowuje sie w taki sposób, aby 100% przezroczystosci wskazywal dla niepokrytego podloza szklanego, a 40% dla podloza z naparowana prózniowo warstwa spektralnie czystego selenu o grubosci 80 nm, a przy kazdym pomiarze przed rozpoczeciem procesu naparowywania na kolejne podloze szklane, ustawia sie wskazania miernika na 100% przezroczystosci za pomoca regulacji czulosci wzmacniacza, przy czym w trakcie wszyst¬ kich czynnosci pomiarowych natezenie swiatla pozostaje niezmienione.125645 PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22879080A PL125645B2 (en) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22879080A PL125645B2 (en) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL228790A2 PL228790A2 (pl) | 1981-10-30 |
| PL125645B2 true PL125645B2 (en) | 1983-06-30 |
Family
ID=20006631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL22879080A PL125645B2 (en) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL125645B2 (pl) |
-
1980
- 1980-12-24 PL PL22879080A patent/PL125645B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL228790A2 (pl) | 1981-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3654109A (en) | Apparatus and method for measuring rate in flow processes | |
| Skidmore et al. | Evaluating surface‐soil water content by measuring reflectance | |
| Taylor et al. | Light intensity measurements I: Large area bolometers with microwatt sensitivities and absolute calibration of the Rhodamine B quantum counter | |
| Dichter et al. | Development and characterization of a new solar ultraviolet-B irradiance detector | |
| Roess et al. | The Design and Construction of Rapid‐Response Thermocouples for Use as Radiation Detectors in Infra‐Red Spectrographs | |
| US3142755A (en) | Method of determining temperature by means of a phosphorescent substance, and measuring apparatus for the employment of said method | |
| US3366789A (en) | Calibration of ultraviolet radiation sources | |
| PL125645B2 (en) | Method of relative measurement of transparency of thin film of semiconductor material during its deposition on glass substrate in vacuum chamber | |
| JPH0251132B2 (pl) | ||
| US4161363A (en) | Instantaneous exposure control for film | |
| US4995198A (en) | Method for making a reflectance calibration plate having a near-Lambertian surface | |
| Ohno | Improved photometric standards and calibration procedures at NIST | |
| US2554225A (en) | Calibration of photovoltaic cells | |
| Monjushiro et al. | Ultraviolet photoelectron yield spectra of thin gold films measured in air | |
| US2562770A (en) | Thermal receiver and method for producing same | |
| US3809905A (en) | Temperature compensating ultraviolet ray detector | |
| Elliott et al. | Spectroscopy in the 3 μ Region of the Infra-red Spectrum | |
| GB1315318A (en) | Process and apparatus for the determination of the fastness of materials to light | |
| CA1159276A (en) | Method for optical determination of saturation temperature and apparatus therefor | |
| JPS6223126A (ja) | ド−ズ量測定方法 | |
| Coblentz | Selective radiation from the Nernst glower | |
| Fairbrother et al. | The photo-electric measurement of the absorption of sodium resonance radiation | |
| JPS5462776A (en) | Production of compound semiconductor thin films | |
| Katsuyama et al. | An Experimental Determination of the Maximum Spectral Luminous Efficacy of Radiation | |
| Hales | Installation and Use of a Double-Beam Recording Infra-Red Spectrometer |