Przedmiotem wynalazku jest sposób i uklad do pomiaru natezenia pola elektrostatycznego.Dotychczasowe sposoby i uklady do pomiaru pola elektrostatycznego wymagaja wprowadze¬ nia w mierzone pole elementów znieksztalcajacych linie sil pola. W polskim opisie patentowym nr 102408 w badane pole wprowadza sie drgajaca elektrode wraz z cewka uruchamiajaca elektrode.Elementy te obudowane sa ekranem z otworami, przez które wnika pole. Uklad ten powoduje znieksztalcenia linii sil pola, przy czym nie istnieje mozliwosc oceny wielkosci znieksztalcen. W polskim opisie patentowym nr 99390 uklad pomiarowy wprowadzony w mierzone pole sklada sie z wirujacej tarczy metalowej z otworami oraz sondy. Równiez i w tym przypadku ocena wielkosci znieksztalcen linii sil pola jest niemozliwa. Cecha wspólna dotychczasowych sposobów i ukladów do pomiaru pola elektrostatycznego sa bledy pomiarowe i brak mozliwosci kompensacji tych bledów pomiarowo lub obliczeniowo.Celem wynalazku jest usuniecie powyzszej niedogodnosci poprzez opracowanie nowego sposobu pomiaru pola elektrostatycznego i ukladu umozliwiajacego dokonanie pomiaru.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze kule metalowa przedzielono dielektrykiem na dwie pólkule które wewnatrz sa chwilowo polaczone galwanicznie, wprowadza sie na pewien czas w mierzone pole, po czym przerywa sie polaczenia galwaniczne pólkul, usuwa je z mierzonego pola i umieszcza w ekranie elektrostatycznym gdzie nastepuje pomiar zgromadzonego ladunku. Mierzac wartosc ladunku jednoznacznie okresla sie wartosc natezenia pola elektrostatycznego, bez znieksz¬ talcen, poniewaz wartosc ladunku zaindukowanego na powierzchni kuli jest wprost proporcjo¬ nalna do natezenia pola wystepujacego w danym obszarze przestrzeni przed wprowadzeniem kuli.Uklad do pomiaru natezenia pola elektrostatycznego ma dwie metalowe pólkule przedzielone dielekterykiem, a wewnatrz tych pólkul umieszczony jest przelacznik analogowy skladajacy sie z polowych tranzystorów komplementarnych. Bramki tych tranzystorów polaczone sa poprzez równolegly dwójnik RC z dodatnim biegunem zródla zasilania. Powoduje to, ze wyjscie przela¬ cznika znajduje sie na potencjale bliskim zero. Do wyjscia przelacznika podlaczona jest cewka kontaktronu, którego styki podlaczone sa do obu pólkul. Uklad zawiera przelacznik migowy pozwalajacy na chwilowe zwarcie bramek tranzystorów z ujemnym biegunem zródla zasilania co powoduje, iz przerzutnik analogowy zostaje ustawiony na czas okreslony przez wartosci elemen-2 124 438 tów RC, w stanie takim, ze wyjscie jego jest w stanie wysokim. Powoduje to zwarcie styków kontaktronu a zatem i pólkul na czas okreslony wartoscia elementów RC po czym nastepuje samoczynne przerzucenie przerzutnika w stan przeciwny, a zatem rozwarcie pólkul. Uklad do pomiaru natezenia pola pozwala na samoczynne rozwarcie pólkul po umieszczeniu kuli w mierzo¬ nym polu. Pomiar ladunku odbywa sie wedlug znanych metod.Przedmiot wynalazku pokazany jest w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przekrój kuli, a fig. 2 schemat ukladu pomiarowego.Metalowe pólkule 1 przedzielone dielektrykiem 2 zwiera sie stykami 3. Styki 3 sa stykami kontaktronu, którego cewka 4 znajduje sie w ukladzie przelacznika analogowego zbudowanego w ukladzie CMOS na tranzystorach 5. Bramki tranzystorów poprzez dwójnik RC skladajacy sie z kondensatora 6 i rezystora 7, sa polaczone z dodatnim biegunemzródla napiecia zasilania 9. W tym stanie napiecie na cewce 4 jest bliskie zero i styki 3 sa rozwarte. Zwierajac przelacznik migowy 8 podaje sie potencjal niski na bramki polowych tranzystorów komplementarnych 5 co powoduje przerzucenie przelacznika analogowego w stan przeciwny do spoczynkowego, a stad na cewke 4 zostaje przylozone napiecie bliskie napieciu zródla zasilania 9 co powoduje zwarcie styków 3.Zwarcie przelacznika migowego 8 powoduje naladowanie kondensatora 6 do napiecia zródla zasilania 9. Po zwolnieniu przelacznika migowego 8 styki 3 sa zwarte tak dlugo az kondensator 6 rozladuje sie poprzez rezystancje 7do wartosci napiecia odciecia tranzystorów. Uklad ten eliminuje koniecznosc jakichkolwiek wyprowadzen przewodzacych podczas przebywania kuli w mierzonym polu.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru natezenia pola elektrostatycznego przez umieszczenie w badanym polu ukladu pomiarowego, znamienne tym, ze kule metalowa, przedzielona dielektrykiem (2) na dwie pólkule (1) które wewnatrz sa chwilowo polaczone galwanicznie, wprowadza sie na pewien czas w mierzone pole, po czym przerywa sie polaczenie galwaniczne pólkul (1) usuwaje z mierzonego pola i umieszcza w ekranie elektrostatycznym gdzie nastepuje pomiar zgromadzonego ladunku. 2. Uklad do pomiaru natezenia pola elektrostatycznego, znamienny tym, ze ma dwie pólkule (1) przedzielone dielektrykiem (2) a wewnatrz tych pólkuli (1) umieszczony jest przelacznik analogowy skladajacy sie z polowych tranzystorów komplementarnych (5), których bramki pola¬ czone sa przez uklad RC (6 i 7) z dodatnim biegunem napiecia zasilania (9) oraz przelacznikiem migowym (8), a wyjscie przelacznika analogowego polaczonejest zcewka (4) kontaktronu,którego styki (3) podlaczone sa do obu pólkul (1).Flq.4 6 7 FLS.2 PL