PL123620B1 - Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements - Google Patents
Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements Download PDFInfo
- Publication number
- PL123620B1 PL123620B1 PL21979579A PL21979579A PL123620B1 PL 123620 B1 PL123620 B1 PL 123620B1 PL 21979579 A PL21979579 A PL 21979579A PL 21979579 A PL21979579 A PL 21979579A PL 123620 B1 PL123620 B1 PL 123620B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- resin
- heating elements
- hours
- graphite
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 5
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Substances O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych.Z polskiego opisu patentów*ego patentu tymcza¬ sowego nr 93154 znany jest sposób otrzymywania warstwy rezystywnej, polegajacy na tym, ze na plytka epoksydowo-szklana nanosi sie sito drukiem warstwa pasty zawierajacej wagowo od 80 do 95 % srebra o ziarnistosci do 20 jim i od 5 do 20 % grafitu, przy czym do mieszaniny tej do¬ daje sia substancja wiazaca w postaci lakieru.Nalozona warstwa pasty o podanym skladzie wy¬ pala sia w temperaturze okolo 200°C.Wada tego sposobu jest zastosowanie do wyrobu pasty rezystywnej drogiego proszku srebrowego, który nadaje wytworzonej warstwie wlasnosc dob¬ rego przewodnictwa elektrycznego, zblizonego do przewodnictwa warstw metalizowanych. Ponadto stosowany lakier posiada niska wytrzymalosc ter¬ miczna, co w istotny sposób rzutuje na praca ele¬ mentów grzejnych powodujac zbyt duze zmiany rezystancji.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze pasta rezystywna zawierajaca od 5 do 70% wagowych grafitu, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70% wagowych zywicy do 30% wagowych utwa¬ rdzacza oraz do 40% wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sia na podloze znana technika grubowarstwowa jednokrotnie lub wielokrotnie. 10 13 20 23 39 W przypadku wielokrotnego nakoszenia pasty, po kazdej posredniej operacji naniesienia warstwy utwardza sia ja w zakresie temperatur od 200 co 300°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin lub prznajmniej podsusza sia w temperaturze do 200CC w czasie do dwu godzin. W przypadku nanoszenia tylko jednej warstwy pasty rezystywnej oraz po naniesieniu ostatniej warstwy, wT przypadku nano¬ szenia kilku warstw pasty, przeprowadza sia ope¬ racja utwardzania w zakresie temperatur od 200 do 300°C w czasie od 1 minuty do 20 godzin, Sre¬ dnia wielkosc czastek grafitu jest mniejsza cd 10*3 [Am, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 ym.W sklad pasty rezystywnej wchodzi zywica epo¬ ksydowa i/lub zywTica silikonowa, i/lub zywica re- zolowa. W przypadku stosowania tylko zywic ter¬ moutwardzalnych nie stosuje sia utwardzaczy, na¬ tomiast w przypadku stosowania zywic chema- utwardzainych stosuje sia typowe dla tych zyw.-z utwardzacze.W zaleznosci od stosowania typów zywic dobiera sia odpowiednie dla nich trudnoiotne rozcienczal¬ niki organiczne.Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest wy¬ eliminowanie ze skladu pasty rezystywnej metali szlachetnych oraz podwyzszenie jej wytrzymalosci termicznej dajace w efekcie zwiekszenie nieza¬ wodnosci i obciazalnosci pradowej. 123 6201123 620 10,0 % wagowych 12,5 % wagowych 12,5% wagowych 20,0% wagowych 5,0% wagowych Wynalazek zilustrowany jest przykladami wy¬ konania. W przykladzie pierwszym sporzadza sie paste rezystywna w ten sposób, ze równa ilosci zywicy siliikonowej i zywicy epoksydowej rozpuszcza sie w temperaturze 50^0 w octanie butylokarbitolu, • a nastepnie po ostudzeniu do temperatury okolo 20°C dodaje sie pozostale skladniki w takich ilo¬ sciach, by mieszanina miala sklad nastepujacy: grafit o sredniej wielkosci czastek porMzej 60 yart — 40,0 % wagowych it sadza 6 sredniej wielkosci czastek ponizej 0,5 [im zywica silikonowa zywica epoksydowa octan butylokarbitolu dwucyjanodwuamid Skladniki te dokladnie sie miesza i w postaci pasty naklada metoda sitodruku jedna warstwe na podloze izolacyjne. Warstwe pa^y utwairdza sie na¬ stepnie w temperaturze 240°C w czasie 2 godzin.W przykladzie drugim sporzadza sie paste re¬ zystywna w ten sposób, ze mieszanine zywicy sili¬ konowej., zywicy epoksydowej i zywicy fanolowo- -formadehydowej w proporcjach wagowych odpo¬ wiednio jak 3:l:lrozpuszccza sie w równych ilo¬ sciach terpineolu i octanu butylokarbitolu w tempe¬ raturze 50°C, a nastepnie po ostudzeniu do tempera¬ tury 25°C, dodaje sie pozostale skladniki w takich ilciciach, by mieszanina miala -sklad nastepujacy: grafit o sredniej wielkosci czastek ponizej 100 ^m sadza o sredniej wielkosci czastek ponizej 1 {Ain "zywica silikonowa zywica epoksydowa zywica fenolowo- -farmaldehydowa — 20 % wagowych — 30 % wagowych — 15% wagowych — 5 % wagowych — 5% wagowych ii 20 30 15 terpineol — 10% wagowych octan butylokarbitolu — 10 % wagowych trójfluorek boru — 5% wagowych Skladniki te razem bardzo dokladnie sie miesza i w postaci pasty naklada technika offsetowa na podloze izolacyjne. Uzyskana warstwe podsusza sie przepuszczajac element w czasie 10 minut przez tunelowy piec promiennikowy o. szczytowej tem¬ peraturze 200°C. Po ochlodzeniu elementu "do tem- i ¦...".•*¦¦'., peratury otoczenia na uzyskana Warstwe nanosi sie technika offsetowa druga warstwe/tej samej pasty, po czym calosc utwardza sie w '^temperaturze 260°C w czasie 1,5 godziny.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych, znamienny tym, ze paste rezystywna zawierajaca od'5 do ^70*% wa¬ gowych grafitj, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70 % wagowych zywicy, do 3Q % wagowych utwa¬ rdzaczy oraz do 40 % wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sie na odpowie¬ dnie podloze znana technika grubowarstwowa je¬ dnokrotnie lub wielokrotnie, przy czym po kazdej posredniej operacji nanoszenia nastepuje przynaj¬ mniej operacja podsuszania w temperaturze 20C°C w czasie do 2 godzin, a po ostatniej operacji nanoszenia warstwy nastepuje operacja utwardze¬ nia w zakresie temperatur od 200 cc 3;G°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin. <2.. Sposób wediug zaistrz. 1, znamienny tym, ze srednia wielkosc czastek grafitu jest mnie;sza od 100 ym, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 jjLm. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zywica jest zywica epoksydowa i/iub zywica -silikonowa, i/lub zywica reaoiowa.LZGraf. Z-d Nr 2 — 727/84 90 egz. A-4 Cena 100 zl PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych, znamienny tym, ze paste rezystywna zawierajaca od'5 do ^70*% wa¬ gowych grafitj, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70 % wagowych zywicy, do 3Q % wagowych utwa¬ rdzaczy oraz do 40 % wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sie na odpowie¬ dnie podloze znana technika grubowarstwowa je¬ dnokrotnie lub wielokrotnie, przy czym po kazdej posredniej operacji nanoszenia nastepuje przynaj¬ mniej operacja podsuszania w temperaturze 20C°C w czasie do 2 godzin, a po ostatniej operacji nanoszenia warstwy nastepuje operacja utwardze¬ nia w zakresie temperatur od 200 cc 3;G°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin. <
2.. Sposób wediug zaistrz. 1, znamienny tym, ze srednia wielkosc czastek grafitu jest mnie;sza od 100 ym, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 jjLm.
3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zywica jest zywica epoksydowa i/iub zywica -silikonowa, i/lub zywica reaoiowa. LZGraf. Z-d Nr 2 — 727/84 90 egz. A-4 Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21979579A PL123620B1 (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21979579A PL123620B1 (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL219795A1 PL219795A1 (pl) | 1981-06-05 |
| PL123620B1 true PL123620B1 (en) | 1982-11-30 |
Family
ID=19999556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21979579A PL123620B1 (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL123620B1 (pl) |
-
1979
- 1979-11-21 PL PL21979579A patent/PL123620B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL219795A1 (pl) | 1981-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3484284A (en) | Electroconductive composition and method | |
| US5980785A (en) | Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements | |
| US2530217A (en) | Conductive coating compositions | |
| CA1117223A (en) | Thick film varistor and method of producing same | |
| US3149002A (en) | Method of making electrical resistance element | |
| US4388347A (en) | Conductive pigment-coated surfaces | |
| CN100454443C (zh) | 正温度系数陶瓷用环保无铅表层银浆及其制备方法 | |
| CN101217067B (zh) | Ptc热敏电阻器用无铅铝电极浆料及其制备方法 | |
| US3326720A (en) | Cermet resistance composition and resistor | |
| PL123620B1 (en) | Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements | |
| US4460624A (en) | Process for the manufacture of thick layer varistors on a hybrid circuit substrate | |
| US4567111A (en) | Conductive pigment-coated surfaces | |
| CN1067636A (zh) | 封装剂组合物 | |
| CA1077351A (en) | Resistance material and resistor made therefrom | |
| CN105185429B (zh) | 贱金属电子浆料用包封介质浆料及其应用 | |
| US4129774A (en) | Filling materials for heating elements | |
| CN1045454C (zh) | 无机导电涂层及其制法 | |
| US5562972A (en) | Conductive paste and semiconductor ceramic components using the same | |
| US4655965A (en) | Base metal resistive paints | |
| CN109920580B (zh) | 一种氧化锌压敏电阻器用铜导体浆料的制备工艺及应用 | |
| CN1059287C (zh) | 无机电阻涂层及其制法 | |
| US3592781A (en) | Conductive glaze composition and method for preparation | |
| US1365331A (en) | Electric resistance element | |
| CN114068066B (zh) | 一种厚膜电路用高耐候性包封介质浆料 | |
| CN1148722A (zh) | 无机厚膜电阻涂层 |