PL123620B1 - Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements - Google Patents

Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements Download PDF

Info

Publication number
PL123620B1
PL123620B1 PL21979579A PL21979579A PL123620B1 PL 123620 B1 PL123620 B1 PL 123620B1 PL 21979579 A PL21979579 A PL 21979579A PL 21979579 A PL21979579 A PL 21979579A PL 123620 B1 PL123620 B1 PL 123620B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
resin
heating elements
hours
graphite
Prior art date
Application number
PL21979579A
Other languages
English (en)
Other versions
PL219795A1 (pl
Inventor
Jerzy Mrugalski
Piotr Buczek
Michal Bartula
Original Assignee
Os Bad Rozwojowy Mikroelektron
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Os Bad Rozwojowy Mikroelektron filed Critical Os Bad Rozwojowy Mikroelektron
Priority to PL21979579A priority Critical patent/PL123620B1/pl
Publication of PL219795A1 publication Critical patent/PL219795A1/xx
Publication of PL123620B1 publication Critical patent/PL123620B1/pl

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych.Z polskiego opisu patentów*ego patentu tymcza¬ sowego nr 93154 znany jest sposób otrzymywania warstwy rezystywnej, polegajacy na tym, ze na plytka epoksydowo-szklana nanosi sie sito drukiem warstwa pasty zawierajacej wagowo od 80 do 95 % srebra o ziarnistosci do 20 jim i od 5 do 20 % grafitu, przy czym do mieszaniny tej do¬ daje sia substancja wiazaca w postaci lakieru.Nalozona warstwa pasty o podanym skladzie wy¬ pala sia w temperaturze okolo 200°C.Wada tego sposobu jest zastosowanie do wyrobu pasty rezystywnej drogiego proszku srebrowego, który nadaje wytworzonej warstwie wlasnosc dob¬ rego przewodnictwa elektrycznego, zblizonego do przewodnictwa warstw metalizowanych. Ponadto stosowany lakier posiada niska wytrzymalosc ter¬ miczna, co w istotny sposób rzutuje na praca ele¬ mentów grzejnych powodujac zbyt duze zmiany rezystancji.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze pasta rezystywna zawierajaca od 5 do 70% wagowych grafitu, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70% wagowych zywicy do 30% wagowych utwa¬ rdzacza oraz do 40% wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sia na podloze znana technika grubowarstwowa jednokrotnie lub wielokrotnie. 10 13 20 23 39 W przypadku wielokrotnego nakoszenia pasty, po kazdej posredniej operacji naniesienia warstwy utwardza sia ja w zakresie temperatur od 200 co 300°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin lub prznajmniej podsusza sia w temperaturze do 200CC w czasie do dwu godzin. W przypadku nanoszenia tylko jednej warstwy pasty rezystywnej oraz po naniesieniu ostatniej warstwy, wT przypadku nano¬ szenia kilku warstw pasty, przeprowadza sia ope¬ racja utwardzania w zakresie temperatur od 200 do 300°C w czasie od 1 minuty do 20 godzin, Sre¬ dnia wielkosc czastek grafitu jest mniejsza cd 10*3 [Am, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 ym.W sklad pasty rezystywnej wchodzi zywica epo¬ ksydowa i/lub zywTica silikonowa, i/lub zywica re- zolowa. W przypadku stosowania tylko zywic ter¬ moutwardzalnych nie stosuje sia utwardzaczy, na¬ tomiast w przypadku stosowania zywic chema- utwardzainych stosuje sia typowe dla tych zyw.-z utwardzacze.W zaleznosci od stosowania typów zywic dobiera sia odpowiednie dla nich trudnoiotne rozcienczal¬ niki organiczne.Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest wy¬ eliminowanie ze skladu pasty rezystywnej metali szlachetnych oraz podwyzszenie jej wytrzymalosci termicznej dajace w efekcie zwiekszenie nieza¬ wodnosci i obciazalnosci pradowej. 123 6201123 620 10,0 % wagowych 12,5 % wagowych 12,5% wagowych 20,0% wagowych 5,0% wagowych Wynalazek zilustrowany jest przykladami wy¬ konania. W przykladzie pierwszym sporzadza sie paste rezystywna w ten sposób, ze równa ilosci zywicy siliikonowej i zywicy epoksydowej rozpuszcza sie w temperaturze 50^0 w octanie butylokarbitolu, • a nastepnie po ostudzeniu do temperatury okolo 20°C dodaje sie pozostale skladniki w takich ilo¬ sciach, by mieszanina miala sklad nastepujacy: grafit o sredniej wielkosci czastek porMzej 60 yart — 40,0 % wagowych it sadza 6 sredniej wielkosci czastek ponizej 0,5 [im zywica silikonowa zywica epoksydowa octan butylokarbitolu dwucyjanodwuamid Skladniki te dokladnie sie miesza i w postaci pasty naklada metoda sitodruku jedna warstwe na podloze izolacyjne. Warstwe pa^y utwairdza sie na¬ stepnie w temperaturze 240°C w czasie 2 godzin.W przykladzie drugim sporzadza sie paste re¬ zystywna w ten sposób, ze mieszanine zywicy sili¬ konowej., zywicy epoksydowej i zywicy fanolowo- -formadehydowej w proporcjach wagowych odpo¬ wiednio jak 3:l:lrozpuszccza sie w równych ilo¬ sciach terpineolu i octanu butylokarbitolu w tempe¬ raturze 50°C, a nastepnie po ostudzeniu do tempera¬ tury 25°C, dodaje sie pozostale skladniki w takich ilciciach, by mieszanina miala -sklad nastepujacy: grafit o sredniej wielkosci czastek ponizej 100 ^m sadza o sredniej wielkosci czastek ponizej 1 {Ain "zywica silikonowa zywica epoksydowa zywica fenolowo- -farmaldehydowa — 20 % wagowych — 30 % wagowych — 15% wagowych — 5 % wagowych — 5% wagowych ii 20 30 15 terpineol — 10% wagowych octan butylokarbitolu — 10 % wagowych trójfluorek boru — 5% wagowych Skladniki te razem bardzo dokladnie sie miesza i w postaci pasty naklada technika offsetowa na podloze izolacyjne. Uzyskana warstwe podsusza sie przepuszczajac element w czasie 10 minut przez tunelowy piec promiennikowy o. szczytowej tem¬ peraturze 200°C. Po ochlodzeniu elementu "do tem- i ¦...".•*¦¦'., peratury otoczenia na uzyskana Warstwe nanosi sie technika offsetowa druga warstwe/tej samej pasty, po czym calosc utwardza sie w '^temperaturze 260°C w czasie 1,5 godziny.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych, znamienny tym, ze paste rezystywna zawierajaca od'5 do ^70*% wa¬ gowych grafitj, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70 % wagowych zywicy, do 3Q % wagowych utwa¬ rdzaczy oraz do 40 % wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sie na odpowie¬ dnie podloze znana technika grubowarstwowa je¬ dnokrotnie lub wielokrotnie, przy czym po kazdej posredniej operacji nanoszenia nastepuje przynaj¬ mniej operacja podsuszania w temperaturze 20C°C w czasie do 2 godzin, a po ostatniej operacji nanoszenia warstwy nastepuje operacja utwardze¬ nia w zakresie temperatur od 200 cc 3;G°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin. <2.. Sposób wediug zaistrz. 1, znamienny tym, ze srednia wielkosc czastek grafitu jest mnie;sza od 100 ym, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 jjLm. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zywica jest zywica epoksydowa i/iub zywica -silikonowa, i/lub zywica reaoiowa.LZGraf. Z-d Nr 2 — 727/84 90 egz. A-4 Cena 100 zl PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw rezystywnych, zwlaszcza do elementów grzejnych, znamienny tym, ze paste rezystywna zawierajaca od'5 do ^70*% wa¬ gowych grafitj, do 60% wagowych sadzy, od 10 do 70 % wagowych zywicy, do 3Q % wagowych utwa¬ rdzaczy oraz do 40 % wagowych trudnolotnych roz¬ cienczalników organicznych nanosi sie na odpowie¬ dnie podloze znana technika grubowarstwowa je¬ dnokrotnie lub wielokrotnie, przy czym po kazdej posredniej operacji nanoszenia nastepuje przynaj¬ mniej operacja podsuszania w temperaturze 20C°C w czasie do 2 godzin, a po ostatniej operacji nanoszenia warstwy nastepuje operacja utwardze¬ nia w zakresie temperatur od 200 cc 3;G°C w czasie od 1 minuty co 20 godzin. <
2.. Sposób wediug zaistrz. 1, znamienny tym, ze srednia wielkosc czastek grafitu jest mnie;sza od 100 ym, natomiast srednia wielkosc czastek sadzy jest mniejsza od 1 jjLm.
3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zywica jest zywica epoksydowa i/iub zywica -silikonowa, i/lub zywica reaoiowa. LZGraf. Z-d Nr 2 — 727/84 90 egz. A-4 Cena 100 zl PL
PL21979579A 1979-11-21 1979-11-21 Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements PL123620B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21979579A PL123620B1 (en) 1979-11-21 1979-11-21 Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21979579A PL123620B1 (en) 1979-11-21 1979-11-21 Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL219795A1 PL219795A1 (pl) 1981-06-05
PL123620B1 true PL123620B1 (en) 1982-11-30

Family

ID=19999556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21979579A PL123620B1 (en) 1979-11-21 1979-11-21 Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL123620B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL219795A1 (pl) 1981-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3484284A (en) Electroconductive composition and method
US5980785A (en) Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements
US2530217A (en) Conductive coating compositions
CA1117223A (en) Thick film varistor and method of producing same
US3149002A (en) Method of making electrical resistance element
US4388347A (en) Conductive pigment-coated surfaces
CN100454443C (zh) 正温度系数陶瓷用环保无铅表层银浆及其制备方法
CN101217067B (zh) Ptc热敏电阻器用无铅铝电极浆料及其制备方法
US3326720A (en) Cermet resistance composition and resistor
PL123620B1 (en) Process for manufacturing resistive layers, especially for heating elements
US4460624A (en) Process for the manufacture of thick layer varistors on a hybrid circuit substrate
US4567111A (en) Conductive pigment-coated surfaces
CN1067636A (zh) 封装剂组合物
CA1077351A (en) Resistance material and resistor made therefrom
CN105185429B (zh) 贱金属电子浆料用包封介质浆料及其应用
US4129774A (en) Filling materials for heating elements
CN1045454C (zh) 无机导电涂层及其制法
US5562972A (en) Conductive paste and semiconductor ceramic components using the same
US4655965A (en) Base metal resistive paints
CN109920580B (zh) 一种氧化锌压敏电阻器用铜导体浆料的制备工艺及应用
CN1059287C (zh) 无机电阻涂层及其制法
US3592781A (en) Conductive glaze composition and method for preparation
US1365331A (en) Electric resistance element
CN114068066B (zh) 一种厚膜电路用高耐候性包封介质浆料
CN1148722A (zh) 无机厚膜电阻涂层