Opis patentowy opublikowano: 31.10.1984 121995 Int. Cl3.H02H 9/00 ^K^^ U ?'.lo P-n*oto*ego 1 Twórcy wynalazku: Jan Francyk, Marian Gniadek Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) UKLAD ZABEZPIECZAJACY ELEKTRONICZNE OBWODY NISKONAPIECIOWE Wynalazek dotyczy ukladuzabezpieczajacego elektroniczne obwody niskonapieciowe przed duzymi napie¬ ciami, znajdujacego zastosowanie w róznego rodzaju aparaturze kontrolno-pomiarowej, a zwlaszcza w ukladach wykonanych technologia obwodów scalonych.Do zabezpieczania elektronicznych obwodów niskonapieciowych przed duzymi napieciami stosuje sie najczesciej warystory, których rezystancja zalezy od wartosci doprowadzanego do nich napiecia. Zabezpieczenie takie nie jest skuteczne, gdyz warystor ulega uszkodzeniu w przypadku gdy duza wartosc napiecia utrzymuje sie przez dluzszy czas.Uklad wedlug wynalazku stanowi dioda germanowa, której anoda jest polaczona z bramka polowego tranzystora, a katoda z rezystorem, do którego jest doprowadzane napiecie wejsciowe.Uklad wedlug wynalazku zabezpiecza skutecznie obwody niskonapieciowe zarówno przed krótkotrwaly¬ mi, jak i dlugotrwalymi napieciami, przekraczajacymi znacznie wartosci napiec pracy obwodów niskonapiecio¬ wych. Charakteryzuje sie ponadto niezawodna, dlugotrwala praca.Przedmiot wynalazku jest objasniony w przykaldzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat ideowy ukladu zabezpieczajacego wzmacniacz operacyjny.Uklad wedlug wynalazku sklada sie z wejsciowego rezystora 1, polaczonego z katoda germanowej diody 2, której anoda jest polaczona z bramka polowego tranzystora 3. Wyjscie ukladu stanowia dren i zródlo polowe¬ go tranzystora 3.Germanowa dioda 2 jest spolaryzowana w kierunku zaporowym, a wartosc natezenia pradu wstecznego diody 2 jest wielokrotnie wieksza od wartosci pradu sterujacego bramke tranzystora 3 w czacie jego pracy. Dioda 2 nie stanowi wiec przeszkody dla sygnalu uzytecznego, a jednoczesnie plynacy prad wsteczny powoduje obnize¬ nie wejsciowego napiecia U! ukladu.W przykladowym ukladzie wedlug wynalazku zastosowano diode DZG-7 i tranzystor polowy SK41E, którego prad bramki wynosi rzedu kilkadziesiat nA. Wejsciowe napiecie Ui, o wartosci od 300V do 500V, jest obnizane przez uklad do wyjsciowego napiecia U2 o wartosci do kilku woltów.121995 PLThe patent description was published: October 31, 1984 121995 Int. Cl3.H02H 9/00 ^ K ^^ U? '. Lo Pn * oto * ego 1 Inventors: Jan Francyk, Marian Gniadek Authorized by a temporary patent: Wroclaw University of Technology, Wroclaw (Poland ) ELECTRONIC LOW VOLTAGE CIRCUITS PROTECTION SYSTEM whose resistance depends on the value of the voltage applied to them. Such protection is not effective because the varistor fails when the high voltage value is maintained for a longer time. The system according to the invention consists of a germanium diode, the anode of which is connected to the transistor's field gate, and the cathode to the resistor to which the input voltage is applied. The system according to the invention effectively protects low-voltage circuits against both short-term and long-term voltages, significantly exceeding the operating voltages of the low-voltage circuits. Moreover, it is characterized by reliable, long-lasting operation. The subject of the invention is explained in an example of the embodiment in the drawing, which shows a schematic diagram of the operational amplifier protection circuit. The output of the circuit is the drain and the source of the half-transistor 3. The German diode 2 is biased in the reverse direction, and the value of the reverse current of the diode 2 is many times greater than the value of the current controlling the gate of the transistor 3 during its operation. The diode 2 does not constitute an obstacle for the useful signal, and at the same time the flowing reverse current causes the input voltage U to decrease! In an exemplary system according to the invention, the DZG-7 diode and the SK41E field-effect transistor were used, the gate current of which is in the order of several dozen nA. The input voltage Ui, ranging from 300V to 500V, is reduced by the circuit to an output voltage U2 of up to a few volts.