PL121309B1 - Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom - Google Patents
Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom Download PDFInfo
- Publication number
- PL121309B1 PL121309B1 PL21363879A PL21363879A PL121309B1 PL 121309 B1 PL121309 B1 PL 121309B1 PL 21363879 A PL21363879 A PL 21363879A PL 21363879 A PL21363879 A PL 21363879A PL 121309 B1 PL121309 B1 PL 121309B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- microwave
- cavity
- connector
- rezonatorom
- emnym
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000756998 Alismatales Species 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest mikrofalowe urza¬ dzenie Josephsonawskie, stanowiace cien/kowarstwo- we zlacze umieszczone w nadprzewodzacym rezo¬ natorze o duzej dobroci, znajdujace zastosowanie w generacji i detekcji promieniowania mikrofa¬ lowego.Mikrofalowe urzadzenia Josephsonowskie cha¬ rakteryzuja sie silnym niedopasowaniem impe- dancyjnym pomiedzy zlaczem a obszarem przes¬ trzeni, do którego zlacze emituje promieniowa¬ nie lub z którego je odbiera. Niedopasowanie to powoduje, ze tylko 10-4 mocy promieniowanej przenika przez granice zlacza. Dla efektywnej pracy urzadzenia konieczne jest silne sprzezenie zlacza z polem mikrofalowym.Znane jest urzadzenie zapewniajace efektywne wykorzystanie zalet zlacza Josephsona, w którym zlacze umieszczone jest w nadprzewodzacej wnece rezonansowej o duzej dobroci. W urzadzeniu tym nawet bardzo mala moc wypromieniowana przez zlacze jest magazynowana w rezonatorze i stopnio¬ wo wytwarza silne pole oddzialywujace ponownie na zlacze. Poniewaz w rezonansie pole we wnece jest zgodne w fazie z pradem zlacza, moc wy¬ promieniowana jest duza, a ponadto na charakte¬ rystyce pradowo-napieciowej zlacza pojawia sie znaczaca struktura wywolana oddzialywaniem z wneka. W zasadzie wneka dziala wiec tak jak transformator impedancji pomiedzy zlaczem i im- pedancja falowa wewnatrz rezonatora. 10 2 Maksymalna moc otrzymywana ze zlacza u- mieszczonego wewnatrz rezonatora zalezy od do¬ broci wneki i jej wspólczynnika sprzezenia. Osiag¬ niecie wysokich wartosci tych parametrów ograni¬ czaja straty, jakie wprowadza umieszczone w wnece zlacze, a wlasciwie podloze, na którym jest ono wykonywane. Zlacze wykonywane jest technika naparowania w prózni na podloze die¬ lektryczne. Zwykle materialy podlozowe, typu szkla o wspólczynniku strat tg S~10-8 powoduja spadek dobroci wneki Q z 10-10 do 10-7 gdyz podloze zajmuje co najmniej 1 czesc na 104 obje¬ tosci wneki w pasmie X. Nawet stosowanie ma¬ terialów specjalnych o wspólczynniku strat w 15 wymaganym zakresie czestosci i temperatur, rze¬ du tg 5~M0-5, jak szafir lub kwarc niewiele zwiekszai sprawnosc urzadzenia ze wzgledu na du¬ za objetosc dielektryka, który nie moze byc cienki ze wzgledu na wymagane parametry mechanicz¬ ne.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze zlacze Josephsona naparowywane jest na bardzo cienkiej, elastycznej folii polimerowej przytwierdzonej wewnatrz wneki na jej krzywiz- nie i zajmujacej znikoma czesc objetosci wneki.W sciance rezonatora w poblizu krawedzi zlacza usytowane sa otwory, przez które wyprowadzone sa przewody zasilajace zlacze. W odmianie roz¬ wiazania wedlug wynalazku, wzdluz linii pradu, w sciance rezonatora wykonane sa dwie waskie 20 25 30 121 309121 3 szczeliny, przez które koncówki zlacza wypro¬ wadzone sa na zewnatrz.Tak rozwiazane urzadzenie Josephsonowskie charakteryzuje sie duza dobrocia i sprawnoscia, gdyz zlacze zajmuje znikoma czesc objetosci wne¬ ki umozliwiajac konstruowanie wysokosprawnych generatorów i detektorów promieniowania mikro¬ falowego.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia widok wneki z usytuowanym w niej zlaczem, a fig. 2 — odmiane rozwiazania wypro¬ wadzen zlacza z wneki rezonansowej.Jak pokazano na rysunku na wewnetrznej krzy- wiznfc_wji§k^ W umieszczone jest podloze 2 z napafrovy^anym Jna "3iiln zlaczem Josephsona 1.Jako; podloze 2 sluzy Datdzo cienka elastyczna fo¬ lia riolimerowana o grubosci od 5—25 ^^n wyko¬ nana np.v z mylaru,. fcaptonu lub polietylenu. Ma- trriflftyi-fr 'rjteljg/Arale* fttraty na czestotliwosciach mikrofalowych i w niskich temperaturach. Ze wzgledu na mala grubosc folii i jej elastycznosc istnieje mozliwosc dowolnego ksztaltowania pod¬ loza, tak, ze zajmuje ono znikoma czesc objetosci wneki rzedu 2 czesci w 10-7 i wprowadza. mini¬ malne straty. W przypadku koniecznosci zastoso¬ wania materialu podlozowego o strukturze krys¬ talicznej stosuje sie cienko lupana mike. Podlo¬ ze takie jest bardziej kruche od podloza polimero¬ wego, ale umozliwia osadzanie warstw epitaksjal¬ nych oraz charakteryzuje sie wieksza gladkoscia powierzchni.Podloze 2 przytwierdzone jest trwale do scianki wneki rezonatora W, w ten sposób, ze konce zla¬ cza 1 znajduja sie w poblizu malych cylindrycz¬ nych otworów 3 wykonanych w sciance wneki.Przez otwory te wprowadzone sa przewody zasila¬ jace 4 zlacze 1. Przewody te sa przylutowane lub 309 4 przyklejone pasta przewodzaca do naparowanych uprzednio pól kontaktowych zlacza. Tak uksztal¬ towane kontakty i doprowadzenia nie obciazaja wneki i nie zaburzaja rozkladu pola elektromag- . netycznego.Odmiana rozwiazania wyprowadzen zlacza z wneki, pokazana na fig. 2, posiada wykonane w sciance wneki W wzdluz linii pradu dwie,waskie szczeliny 5, przez które wyprowadzone sa krance j podloza 2 wraz z koncówkami zlacza na zewnatrz wneki W gdzie przewody zasilajace zlacze sa/juz laczone bez ograniczen w dowolny sposób. W celu unikniecia zwarc do scianki wneki, sciezki i pola kontaktowe zabezpieczone sa fotorezistorem, tym samym, którym jest zabezpieczone zlacze w pro¬ cesie jego wytwarzania. Fotorezistor nie wnosi znacznych strat, gdyz naniesiony przez odwirowa¬ nie lub natryskiwanie tworzy warstwe o grubosci ponizej 1 \im. 20 Zastrzezenia patentowe 1. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie wspólpracujace4 z wneka rezonansowa, znamienne ^ tym, ze zlacze (1) natpairolwaine jest na bardzo cien¬ kim elastycznym podlozu (2) zajmujacym mini¬ malna czesc objetosci wneki (W) i przytwierdzo¬ nym wewnatrz wneki na jej krzywiznie. 2. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie we¬ dlug zastrz. 1, znamienne tym, ze w sciance wne¬ ki (W) w poblizu kranców przytwierdzonego pod¬ loza (2) usytuowane sa niewielkie otwory (3), przez które wyprowadzone sa przewody zasilajace (4). 3. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie we- dlug zastrz. 1, znamienne tym, ze w sciance wneki (W) wzdluz linii pradu usytuowane sa dwie was¬ kie szczeliny (5), przez które wyprowadzone sa krance podloza (1) wraz z koncówkami zlacza.J 21 309 Fig.2 PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie wspólpracujace4 z wneka rezonansowa, znamienne ^ tym, ze zlacze (1) natpairolwaine jest na bardzo cien¬ kim elastycznym podlozu (2) zajmujacym mini¬ malna czesc objetosci wneki (W) i przytwierdzo¬ nym wewnatrz wneki na jej krzywiznie.
- 2. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie we¬ dlug zastrz. 1, znamienne tym, ze w sciance wne¬ ki (W) w poblizu kranców przytwierdzonego pod¬ loza (2) usytuowane sa niewielkie otwory (3), przez które wyprowadzone sa przewody zasilajace (4).
- 3. Mikrofalowe urzadzenie Josephsonowskie we- dlug zastrz. 1, znamienne tym, ze w sciance wneki (W) wzdluz linii pradu usytuowane sa dwie was¬ kie szczeliny (5), przez które wyprowadzone sa krance podloza (1) wraz z koncówkami zlacza.J 21 309 Fig.2 PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21363879A PL121309B1 (en) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21363879A PL121309B1 (en) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL213638A1 PL213638A1 (pl) | 1980-10-20 |
| PL121309B1 true PL121309B1 (en) | 1982-04-30 |
Family
ID=19994709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21363879A PL121309B1 (en) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL121309B1 (pl) |
-
1979
- 1979-02-23 PL PL21363879A patent/PL121309B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL213638A1 (pl) | 1980-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cheng et al. | Millimeter-wave low temperature co-fired ceramic leaky-wave antenna and array based on the substrate integrated image guide technology | |
| Cheng et al. | 79 GHz slot antennas based on substrate integrated waveguides (SIW) in a flexible printed circuit board | |
| CA2033137C (en) | Microwave component and method for fabricating substrate for use in microwave component | |
| Richard et al. | Superconducting microstrip antennas: an experimental comparison of two feeding methods | |
| Shang et al. | WR-3 band waveguides and filters fabricated using SU8 photoresist micromachining technology | |
| CN102683834B (zh) | 水平方向辐射天线 | |
| TW490869B (en) | Tunable microwave devices | |
| US20110181376A1 (en) | Waveguide structures and processes thereof | |
| EA003712B1 (ru) | Фазированные антенные решетки с последовательным возбуждением и диэлектрическими фазовращателями | |
| US5164692A (en) | Triplet plated-through double layered transmission line | |
| Hall | Microstrip linear array with polarisation control | |
| CN113013606B (zh) | 基于基片集成波导可调控阵列天线和终端 | |
| JP3071093B2 (ja) | 特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造 | |
| KR100796867B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| Starodubov et al. | Study of flexible monopole antenna with coplanar feeding structure fabricated by magnetron sputtering and laser ablation technologies | |
| CA2224665C (en) | Arrangement and method relating to tunable devices | |
| CN103956539B (zh) | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件 | |
| PL121309B1 (en) | Microwave josephson device matched with resonant cavity b"emnym rezonatorom | |
| US11973267B2 (en) | Antenna and communication apparatus | |
| JP4083778B2 (ja) | 超伝導フィルタ | |
| KR100290158B1 (ko) | 대면적 평면 안테나를 이용한 플라즈마 가공장치 | |
| Esfahani et al. | Hybrid additive manufacture of conformal antennas | |
| JP3880785B2 (ja) | 超伝導フィルタ | |
| JP2001016027A (ja) | 積層型開口面アンテナ | |
| Yang et al. | 3‐D glass integrated stacked patch antenna array for silicon active package system |